Микропроцессор SA-110
Первым членом семейства StrongARM, порожденного соглашением между фирмами ARM и Digital Semiconductor, стал ориентированный на встраиваемые применения микропроцессор SA-110 (StrongARM-110), выпущенный еще в сентябре 1996 года. RISC 32-разрядная Гарвардская архитектура ARM с пятиуровневым конвейером в сочетании с низковольтной CMOS технологией и большим опытом разработки высокопроизводительных процессоров фирмы Digital позволили разработать высокопроизводительный микропроцессор с исключительным соотношением производительность/потребление. Так версия с тактовой частотой 160 МГц обеспечивает производительность 185 Dhrystone 2.1 MIPS, потребляя всего 450 мВт, что соответствует соотношению производительность/потребление (MIPS/Вт) свыше 400. При стоимости прибора менее $50 соотношение производительность/стоимость составляет порядка 3,8 MIPS/$, а у версии с тактовой частотой 200 МГц и напряжением питания 2 В это соотношение еще выше - почти 5 MIPS/$. Микропроцессор SA-110 оснащен встроенными кэш команд и данных емкостью по 16 Кбайт, задействуемыми даже в тех случаях, когда процессор работает со сравнительно медленной памятью.
Программируемый системный интерфейс микропроцессора SA-110 предоставляет пользователям высокую гибкость при разработке устройств, соответствующих специфическими требованиям применений. Интерфейс SA-110 может работать в синхронном или асинхронном режимах и программируется в диапазоне частот. Такая гибкость позволяет разработчикам организовывать интерфейс с различными типами памяти, ориентируясь или на обеспечение высокой производительности или на получение системы с невысокой стоимостью.
Микропроцессор SA-110 способен работать с уровнями I/O 3,3 В, предоставляя разработчикам систем возможность использовать новейшие приборы памяти с напряжением питания 3,3 В и другие перспективные компоненты.
Основные характеристики микропроцессоров SA-110
| Тактовая частота (МГц) |
100 |
160 |
166 |
200 |
233 |
233 |
| Производительность (Dhrystone 2.1 MIPS) |
115 |
185 |
192 |
230 |
268 |
268 |
| Напряжение питания ядра (В) |
Vss=0.0
Vdd=1.65 ±10% |
Vss=0.0
Vdd=1.65 ±10% |
Vss=0.0
Vdd=2.0 ±10% |
Vss=0.0
Vdd=2.0 ±10% |
Vss=0.0
Vdd=2.0 ±10% |
Vss=0.0
Vdd=2.0 ±10% |
| Напряжение питания I/O (В) |
Vssx=0.0
Vddx=3.3 ±10% |
Vssx=0.0
Vddx=3.3 ±10% |
Vssx=0.0
Vddx=3.3 ±10% |
Vssx=0.0
Vddx=3.3 ±10% |
Vssx=0.0
Vddx=3.3 ±10% |
Vssx=0.0
Vddx=3.3 ±10% |
| Потребление типовое (мВт) |
Max=<300
Typ=<110
Sleep=50 мкА
Idle=<20 |
Max=<450
Typ=<136
Sleep=50 мкА
Idle=<20 |
Max=<450 |
Max=<900 |
Max=<1000 |
Max=<1000 |
| Максимальная температура переходов (°C) |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 |
| Диапазон рабочих температур (°C) |
0-70 |
0-70 |
0-70 |
0-70 |
0-70 |
0-60 |
| Технология |
0,35 мкм, 3 слоя металлизации |
0,35 мкм, 3 слоя металлизации |
0,35 мкм, 3 слоя металлизации |
0,35 мкм, 3 слоя металлизации |
0,35 мкм, 3 слоя металлизации |
0,35 мкм, 3 слоя металлизации |
| Количество транзисторов (Млн) |
2.1 |
2.1 |
2.1 |
2.1 |
2.1 |
2.1 |
| Корпус |
144 TQFP |
144 TQFP |
144 TQFP |
144 TQFP |
144 TQFP |
144 TQFP |
С целью расширения возможностей и оптимизации полной производительности микропроцессора SA-110 и разрабатываемых на его основе устройств был разработан прибор базовой логики 21285. Этот прибор представляет собой схему однокристального интерфейса между микропроцессором SA-110, синхронными DRAM, Flash ROM и шиной PCI. В приборе интегрированы: DMA и контроллеры прерываний, программируемые таймеры, интеллектуальный I/O (I2O) модуль, параллельные и последовательные порты, и арбитр шины PCI.
|
