В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

 
Пересюхтюмя


13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





Выставка Передовые Технологии Автоматизации




Главная страница > Обзоры по типам > Микроконтроллеры > AVR > Архитектура
Пересюхтюмя


13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





Выставка Передовые Технологии Автоматизации


Характеристики по постоянному току

TA = от -40°C до 85°C, VCC = от 2,7 В до 6,0 В (если не оговорено другое)
Обо-знач. Параметр Условия Мин Тип Макс Ед. из-
мерен.
VIL Входное напряжение низкого уровня   -0,5   0,3 VCC В
VIL1 Входное напряжение низкого уровня XTAL -0,5   0,2 VCC В
VIH Входное напряжение высокого уровня Исключая (XTAL, RESET) 0,6 VCC   VCC +0,5 В
VIH1 Входное напряжение высокого уровня XTAL 0,8 VCC   VCC +0,5 В
VIH2 Входное напряжение высокого уровня RESET VCC   VCC +0,5 В
V OL Выходное напряжение низкого уровня (1).
Порты A, B, C, D		 I OL = 20 мА, V CC = 5В
I OL = 10 мА, V CC = 3В		     0,6
0,5 В		 B
VOH Выходн. напряжение высокого уровня.
Порты A, B, C, D		 IOH = -3 мА, VCC = 5В
IOH = -1,5мА, VCC = 3В		 4,2
2,3		     В
IIL Входной ток утечки вывода I/O VCC = 6В, низкий уровень -8,0   8,0 мкА
IIH Входной ток утечки вывода I/O VCC = 6 В, высокий уровень -8,0   8,0 мкА
RRST Нагрузочный резистор сброса   100   500 кОм
RI/O Нагрузочный резистор I/O   35   120 кОм
ICC Потребляемый ток в режимах: Активный,
4 МГц, VCC =3 В(2)		     3,0 мА
Idle, 4 МГц, VCC =3 В   1,0 1,2 мА
Power Down, 4 МГц, VCC =3 В, WDT разрешен   8,5 15 мкА
Power Down, 4 МГц, VCC =3 В, WDT запрещен   < 1 2,0 мкА
VACIO Напряжение смещения входа аналогового компаратора VCC = 5 В     40 мВ
IACLK Утечка по входу аналогового компаратора VCC = 5 В, VIN = VCC/2 -50   50 нА
tACPD Задержка аналогового компаратора VCC = 2,7 В,
VCC = 4,0 В		   750
500		   нс

Примечания:

  1. В установившемся режиме (не в переходном) значения IOL должны внешними средствами ограничиваться на уровне:
    Максимальный IOL на каждом выводе порта - 10 мА
    Максимальный IOL по всем выводам выхода - 300 мА
    Порт A - 26 мА
    Порты A, B, D - 15 мА
    В случае превышения тестовых величин IOL величина VOL может превысить соответствующие значения.
    Не гарантируется вытекающий ток вывода больше указанного.
  2. При тактовой частоте XTAL = 4 МГц тактовая частота шины тоже 4 МГц.
  3. Минимальное значение VCC в режиме Power Down составляет 2 В.

Таблица 39. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 4,0 до 6,0 В, без состояния ожидания

  Обозн. Параметр Генератор 8 МГц Настраиваемый генератор Ед. измер.
Мин Макс Мин Макс
0 1/tCLCL Частота генератора     0,0 8,0 МГц
1 tLHLL Ширина импульса ALE 32,5   0,5tCLCL -30,0   нс
2 tAVLL Действительность адреса A до низкого ALE 22,5   0,5tCLCL -40,0   нс
3a tLLAX_ST Удержание адреса после низкого ALE, команды ST/STD/STS 67,5   0,5tCLCL -5,0   нс
3b tLLAX_LD Удержание адреса после низкого ALE, команды LD/LDD/LDS 15,0   15,0   нс
4 tAVLLC Действительность адреса C до низкого ALE 22,5   0,5tCLCL -40,0   нс
5 tAVRL Действительность адреса до низкого RD 95,0   1,0tCLCL -30,0   нс
6 tAVWL Действительность адреса до низкого WR 157,5   1,5tCLCL -30,0   нс
7 tLLWL Низкий ALE до низкого WR 105,0 145 1,0tCLCL -20,0 1,0tCLCL +20,0 нс
8 tLLRL Низкий ALE до низкого RD 42,5 82,5 0,5tCLCL -20,0 0,5tCLCL +20,0 нс
9 tDVRH Установка данных до высокого RD 60,0   60,0   нс
10 tRLDV Низкое чтение до действительных данных   70,0   1,0tCLCL -55,0 нс
11 tRHDX Удержание данных после высокого RD 0,0   0,0   нс
12 tRLRH Ширина импульса RD 105,0   1,0tCLCL -20,0   нс
13 tDVWL Установка данных до низкого WR 27,5   0,5tCLCL -35,0   нс
14 tWHDX Удержание данных после высокого WR 0,0   0,0   нс
15 tDVWH Действительность данных до высокого WR 95,0   1,0tCLCL -30,0   нс
16 tWLWH Ширина импульса WR 42,5   0,5tCLCL -20,0   нс

Таблица 40. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 4,0 до 6,0 В, состояния ожидания 1 цикл

  Обозн. Параметр Генератор 8 МГц Настраиваемый генератор Ед. измер.
Мин Макс Мин Макс
0 1/tCLCL Частота генератора     0,0 8,0 МГц
10 tRLDV Низкое чтение до действительных данных   195,0   2,0tCLCL -55,0 нс
12 tRLRH Ширина импульса RD 230,0   2,0tCLCL -20,0   нс
15 tDVWH Действительность данных до высокого WR 220,0   2,0tCLCL -30,0   нс
16 tWLWH Ширина импульса WR 167,5   1,5tCLCL -20,0   нс

Временные диаграммы тактирования внешней памяти

Рис. 68. Временные диаграммы тактирования внешней памяти

Примечание: Тактовый цикл T3 присутствует только в том случае, когда разрешено состояние ожидания внешней SRAM.

Временная диаграмма внешнего тактового сигнала

Временная диаграмма внешнего тактового сигнала

Таблица 41. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 2,7 до 6,0 В, без состояния ожидания

  Обозн. Параметр Генератор 8 МГц Настраиваемый генератор Ед. измер.
Мин Макс Мин Макс
0 1/tCLCL Частота генератора     0,0 4,0 МГц
1 tLHLL Ширина импульса ALE 70,0   0,5tCLCL -55,0   нс
2 tAVLL Действительность адреса A до низкого ALE 60,0   0,5tCLCL-65,0   нс
3a tLLAX_ST Удержание адреса после низкого ALE, команды ST/STD/STS 130,0   0,5tCLCL -65,0   нс
3b tLLAX_LD Удержание адреса после низкого ALE, команды LD/LDD/LDS 15,0   15,0   нс
4 tAVLLC Действительность адреса C до низкого ALE 60,0   0,5tCLCL-65,0   нс
5 tAVRL Действительность адреса до низкого RD 200,0   1,0tCLCL -50,0   нс
6 tAVWL Действительность адреса до низкого WR 325,0   1,5tCLCL -50,0   нс
7 tLLWL Низкий ALE до низкого WR 230,0 270,0 1,0tCLCL -20,0 1,0tCLCL +20,0 нс
8 tLLRL Низкий ALE до низкого RD 105,0 145,0 0,5tCLCL -20,0 0,5tCLCL +20,0 нс
9 tDVRH Установка данных до высокого RD 95,0   95,0   нс
10 tRLDV Низкое чтение до действительных данных 170,0   1,0tCLCL -80,0   нс
11 tRHDX Удержание данных после высокого RD 0,0   0,0   нс
12 tRLRH Ширина импульса RD 230,0   1,0tCLCL -20,0   нс
13 tDVWL Установка данных до низкого WR 70,0   0,5tCLCL -55,0   нс
14 tWHDX Удержание данных после высокого WR 0,0   0,0   нс
15 tDVWH Действительность данных до высокого WR 210,0   1,0tCLCL -40,0   нс
16 tWLWH Ширина импульса WR 105,0   0,5tCLCL -20,0   нс

Таблица 42. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 2,7 до 6,0 В, состояния ожидания 1 цикл

  Обозн. Параметр Генератор 8 МГц Настраиваемый генератор Ед. измер.
Мин Макс Мин Макс
0 1/tCLCL Частота генератора     0,0 8,0 МГц
10 tRLDV Низкое чтение до действительных данных   420,0   2,0tCLCL -20,0 нс
12 tRLRH Ширина импульса RD 480,0   2,0tCLCL -20,0   нс
15 tDVWH Действительность данных до высокого WR 460,0   2,0tCLCL -40,0   нс
16 tWLWH Ширина импульса WR 355,5   1,5tCLCL -20,0
нс

Временные характеристики внешнего тактового сигнала

Обозн. Параметр VCC =2,7 до 6,0 В VCC =4,0 до 6,0 В Ед. изм.
1/tCLCL Частота тактового генератора 0 4 0 6 МГц
tCLCL Период тактовой частоты 250   167   нс
tCHCX Длительность по высокому уровню 0   0   нс
tCLCX Длительность по низкому уровню 0   0   нс
tCLCH Длительность нарастающегофронта   1,6   0,5 мкс
tCHCL Длительность падающего фронта   1,6   0,5 мкс

Информация для заказа

Рабочая частота, МГц Напряжение питания, В Код для заказа Тип корпуса Диапазон рабочих температур
4 2,7 - 6,0 ATmega603L-4AC 64A Коммерческий (от 0°C до 70°C)
ATmega603L-4AI 64A Промышленный (от -40°C до 85°C)
6 4,0 - 6,0 ATmega603L-6AC 64A Коммерческий (от 0°C до 70°C)
ATmega603L-6AI 64A Промышленный (от -40°C до 85°C)
4 2,7 - 6,0 Atmega103L-4AC 64A Коммерческий (от 0°C до 70°C)
Atmega103L-4AI 64A Промышленный (от -40°C до 85°C)
6 4,0 - 6,0 Atmega103L-6AC 64A Коммерческий (от 0°C до 70°C)
Atmega103L-6AI 64A Промышленный (от -40°C до 85°C)


Тип корпуса

64A

 64-выводной тонкий (1,0 мм) квадратный пластмассовый корпус TQFP (Plastic Gull Wing Quad Flat Package)


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->