Напряжение изоляции / устойчивость к отдельным разрядам [275]
При высоких напряжениях возрастают требования к высокому напряжению изоляции и высокой устойчивости к отдельным разрядам IGBT модулей. Напряжение изоляции и устойчивость к отдельным разрядам зависят от толщины, материала и однородности изоляции нижней части кристалла, материала корпуса и иногда от расположения кристаллов.
Обыкновенные транзисторные модули подвергаются проверке изоляции напряжением от 2,5 кВэфф до 9 кВэфф, которое прикладывается к каждому модулю при изготовлении.
Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d.
Рис. 1.53
| 
