Температура перехода при кратковременной работе
Кратковременная работа позволяет проводить большие токи в силовых полупроводниках, чем приведенные в справочных данных для продолжительной работы. Однако, возникающая при этом большая температура перехода не должна превышать максимальное значение 150°С. Температуру перехода можно рассчитать при помощи формул 3.9 и 3.10 в п. 3.2.2.1.
Примеры:
Единичный импульс мощности
![Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичном импульсе мощности](/im/Semikron/app/3_9.gif) Рис. 3.9. Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичном импульсе мощности
Максимальное значение температуры перехода при t1:
![](/im/Semikron/app/f_151.gif)
Температура перехода в период охлаждения:
![](/im/Semikron/app/f_152.gif)
Эти формулы основаны на постоянной номинальной температуре корпуса.
Единичная последовательность m импульсов мощности
![Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощности](/im/Semikron/app/3_10_1.gif) ![Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощности](/im/Semikron/app/3_10_2.gif) Рис. 3.10. Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощности
Значение температуры перехода при t1:
![](/im/Semikron/app/f-3_13.gif)
Значение температуры перехода при t2:
![](/im/Semikron/app/f_3_14.gif)
Значение температуры перехода при tm:
![](/im/Semikron/app/f_3_15.gif)
Эти формулы основаны на постоянной номинальной температуре корпуса.
|