Временные константы и функции блокировки

Подавление коротких импульсов

Когда трансформаторы импульсов или оптопары используются для изоляции потенциала управляющих сигналов, особенно нужно защитить драйвер от импульсов с малой амплитудой или коротких управляющих импульсов (помехи) которые могут испортить драйвер. Триггеры Шмидта, например, можно последовательно включить с изоляторами потенциала, которые подавят все сигналы включения и выключения с амплитудой ниже логического уровня (CMOS, TTL) или < 0.2.0.5 мкс. Подобное решение нужно применить и на вторичной стороне оптопар.

Мертвая зона при управлении плечом моста и блокировка при коротком замыкании плеча

MOSFET и IGBT одного плеча моста не должны включаться в одно время в цепях источника напряжения во избежание короткого замыкания плеча. В статическом состоянии этого можно избежать блокировкой обоих драйверов, даже если на входные сигналы драйверов действуют помехи (непригодно для цепей с источниками тока, так как от драйверов будет требоваться работа с перекрытием).

В зависимости от типа транзистора, применения и драйвера, мертвая зона может составлять 2...10 мкс.

Длительность селекторного импульса защиты от короткого замыкания при измерении тока стока или коллектора и напряжения сток-исток или коллектор-эмиттер соответственно

Если транзистор выключился из-за превышения одного из предельных значений, измеряется импульс тока включения. При контроле процесса обеднения в IGBT, нужно также учитывать характеристики напряжения динамического насыщения. В течение первых микросекунд времени включения, V_CEsatdyn значительно возрастает по сравнению с V_CEsat (рис.3.42). Поэтому, цепь контроля должна реагировать в соответствии с кривой V_CEsat во время стробирования, как показано на рис.3.42. Для мягкой защиты от коротких замыканий, время стробирования должно составлять около 10 мкс макс. (см.п. 3.6).

Рис. 3.42. Характеристика напряжения динамического насыщения IGBT и возможный уровень защиты V_ref