В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по фирмам > Atmel > Память
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    AT26DF161

    Флэш-память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 16 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа

    Отличительные особенности:

    • Одно напряжение питания 2.7В - 3.6В
    • SPI-совместимый последовательный интерфейс
      - Поддержка режимов SPI 0 и 3
    • Максимальная частота синхронизации 66 МГц
    • Гибкая унифицированная архитектура стирания
      - блоки размером 4 кбайт
      - блоки размером 32 кбайт
      - блоки размером 64 кбайт
      - полное стирание памяти
    • Раздельная защита секторов от программирования/стирания
      - 16 физических секторов размером 128 кбайт
    • Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
    • Гибкое программирование
      - Побайтное или постраничное программирование (1..256 байт)
    • Идентификационный код производителя и продукции в соответствии со стандартом JEDEC
    • Малая потребляемая мощность
      - 7 мА - активный ток чтения (типичное значение)
      - 4 мкА - потребляемый ток в режиме глубокого отключения (типичное значение)
    • Износостойкость: 100 тысяч циклов программирования/стирания
    • Сохранность данных в течение 20 лет
    • Рабочий промышленный температурный диапазон
    • Экологически безопасные стандартные промышленные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)
      - 8-выв. корпус SOIC (ширина 0,2 дюйма)
      - 8-контактный корпус MLF (5 мм x 6 мм)

    Структурная схема:

    Структурная схема AT26DF161

    Расположение выводов:

    Расположение выводов AT26DF161

    Описание выводов:

    Наименование вывода Назначение
    /CS (активный низкий) Выбор микросхемы (активный низкий уровень)
    SCK Вход синхронизации последовательной связи
    SI Вход последовательного ввода данных
    SO Выход последовательного вывода данных
    /WP Вход защиты от записи
    /HOLD Вход приостановки последовательной связи (импульсы SCK и данные на SI игнорируются, S
  • в высокоимпедансном состоянии)
  • VCC Напряжение питания
    GND Общий питания

    Описание:

    AT26DF161- флэш-память с последовательным интерфейсом доступа, которая разработана для использования в широком числе пользовательских приложений с высокой серийностью производства, в которых программный код хранится во внешней флэш-памяти, а исполняется во внутреннем или внешнем ОЗУ. Гибкая архитектура стирания AT26DF161, поддерживающая минимальный стираемый объем памяти 4 кбайт, делает данную микросхему идеальной для приложений с функцией энергонезависимого хранения данных, исключая необходимость установки дополнительных внешних ЭСППЗУ.

    Разделение на физические секторы и размеры стираемых блоков у AT26DF161 оптимизированы под потребности современных приложений с хранением программного кода и данных. За счет оптимизации размеров физических секторов и стираемых блоков память может использоваться более эффективно. Это объясняется тем, что для модулей программного кода и сегментов хранимых данных должны быть выделены их собственные сектора с отдельной защитой, поэтому, по сравнению с флэш-памятью с большим размером секторов и стираемых блоков в данном случае сокращается количество пустующих и незадействованных областей памяти. Улучшение эффективности использования памяти позволяет разместить в пределах равного объема памяти большее количество подпрограмм программного кода и сегментов хранимых данных.

    AT26DF161 также поддерживает интеллектуальный механизм защиты отдельных секторов от ошибочного или несанкционированного программирования и стирания. Поддержка возможности раздельной установки и снятия защиты секторов позволяет реализовать приложение, в котором допускается изменение содержимого некоторых незащищенных секторов, а оставшиеся секторы массива памяти надежно защищены. Это необходимо, например, когда программа обновляется или модифицируется на модульной или подпрограммной основе или когда в одной микросхеме необходимо сочетать модифицируемые сегменты данных и сегменты программного кода, при этом, гарантировать невозможность несанкционированного изменения программного кода.

    AT26DF161 рассчитана на работу в составе 3В-ых систем, поддерживая возможность чтения, программирования и стирания при напряжении питания 2.7В...3.6В. Для программирования и стирания не требуется подача отдельного напряжения.

    Информация для заказа:

    fSCK, МГц Код заказа Корпус Рабочий температурный диапазон
    66 AT26DF161-SU 8-выв. SOIC (ширина 0,209 дюймов) Промышленный (-40°C...+85°C)
    66 AT26DF161-MU 8-выв. MLF (6мм x 5мм)

    Документация:

      486 Kb Engl Описание микросхемы

    Паркет паркетная доска мербау ятоба, экзотический паркет.