В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по фирмам > Atmel > Память
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    AT26DF161A

    Последовательная флэш-память семейства DataFlash размером 16 Мбит для хранения кода прошивки

    Отличительные особенности:

    • Одно напряжение питания 2.7В - 3.6В
    • SPI-совместимый последовательный интерфейс
      • Поддерживаются режимы SPI 0 и 3
    • Максимальная частота синхронизации 70 МГц
    • Архитектура поддерживает несколько вариантов стирания блоков памяти
      • стирание блоков размером 4 кбайт
      • стирание блоков размером 32 кбайт
      • стирание блоков размером 64 кбайт
      • полное стирание массива памяти
    • Раздельная защита секторов памяти с возможностью установки/снятия общей защиты памяти
      • 32 физических сектора памяти размером 64 кбайт
    • Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
    • Гибкие возможности программирования
      • Побайтное/постраничное программирование (1-256 байт)
      • Совместимость с режимом упорядоченного программирования
    • Автоматическая проверка и формирование отчета по ошибкам во время стирания и программирования
    • Идентификационные коды продукта и производителя по стандарту JEDEC
    • Малый потребляемый ток
      • Потребляемый ток в активном режиме чтения 5 мА (типичное значение)
      • Потребляемый ток в режиме полного отключения: 10 мкА (типичное значение)
    • Износостойкость: 100 тысяч циклов программирования/стирания
    • Хранение данных: 20 лет
    • Промышленный температурный диапазон
    • Стандартные промышленные корпуса, отвечающие действующим экологическим требованиям (не содержат свинца и галоидных соединений, совместимость с требованиями RoHS)
      • 8-выводной корпус SOIC (ширина 150 и 200 миллидюймов)
      • 8-контактный корпус MLF (5 x 6мм)

    Структурная схема:

    Структурная схема AT26DF161A

    Расположение выводов:

    Расположение выводов AT26DF161A

    Описание:

    AT26DF161A - флэш-память с последовательным интерфейсом, предназначенная для использования в широком числе в высокосерийных потребительских электронных товарах для теневого хранения программного кода, который при подаче питания копируется во внутреннее или внешнее ОЗУ для дальнейшего исполнения. Гибкая архитектура стирания блоков памяти AT26DF161A, поддерживающая возможность стирания блоков памяти размером начиная с 4 кбайт, делает возможным использование ее и для хранения данных, тем самым, исключая необходимость применения отдельного ЭСППЗУ.

    Размеры физических секторов и стираемых блоков памяти AT26DF161A оптимизированы под требования современных приложений с хранением кода и данных. Это позволит более эффективно использовать возможности памяти. Поскольку модули программного кода и сегменты данных хранятся в собственных защищенных секторах памяти, то вероятность образования неиспользуемых областей памяти, свойственных памяти с большим размером секторов и стираемых блоков, существенна снижена. Данная особенность позволит увеличить количество хранимых подпрограмм и данных, не увеличивая емкость памяти.

    AT26DF161A также реализует интеллектуальный способ индивидуальной защиты секторов от ошибочного или несанкционированного программирования/стирания. Возможность установки и снятия защиты для разных секторов делает возможным снять защиту для определенного сектора и выполнить его обновление, при этом, оставив надежно защищенной остальную часть памяти. Данная возможность полезна в приложениях, где предусматривается обновление программного обеспечения на модульной или подпрограммной основе или в приложениях, где модификация сегментов данных должна выполняться без риска повреждения сегментов программного кода. В дополнение к возможности раздельной защиты секторов памяти AT26DF161A позволяет выполнением одной операции установить или снять общую защиту памяти. Такая возможность полезна на производственной стадии, когда перед выполнением программирования необходимо снять защиту для всего массива памяти.

    AT26DF161A, будучи специально разработанной для использования в 3В-ых системах, поддерживает операции чтения, программирования и стирания при питании напряжением 2.7-3.6В. Для выполнения операций программирования и стирания отдельное напряжение питания не требуется.

    Информация для заказа:

    fSCK, МГц Код заказа Корпус Температурный диапазон
    70 AT26DF161A-SSU 8-выв. SOIC (150 мд) Промышленный (-40°C...+85°C)
    70 AT26DF161A-SU 8-выв. SOIC (209 мд)
    70 AT26DF161A-MU 8-конт. MLF (5x6мм)

    Документация:

      584 Kb Engl Описание микросхемы