AT45DB081B

Единственная 2.5 В, или 2.7 В, 8 Мбит ИС Flash памяти семейства DataFlash®

Отличительные особенности:

• Однополярное напряжение питания от 2.5 В до 3.6 В, или от 2.7 В до 3.6 В
• Совместимость с последовательным периферийным интерфейсом типа SPI
• Максимальная тактовая частота 20 МГц
• Постраничный режим программирования:
• Одиночный цикл перепрограммирования (стирание плюс программирование)
• 4096 страниц основной памяти (264 байт на страницу)
• Поддержка страничного и блочного режимов стирания
• Два 264- байтных буфера данных SRAM, обеспечивающих прием данных в режиме перепрограммирования энергонезависимой памяти
• Поддержка режима непрерывного считывания полного массива данных
• Идеально для приложений теневого дублирования кода
• Низкое энергопотребление:
      4 мА - типичный ток в режиме активного чтения
      2 мкА - типичный потребляемый ток КМОП в режиме ожидания
• Аппаратная функция защиты данных
• 100%-ная совместимость с AT45DB081 и с AT45DB081A
• Входы сигналов SI, SCK, CS (активный низкий), RESET (активный низкий) и WP (активный низкий) устойчивы к логическим уровням 5 В
• Коммерческий и индустриальный диапазоны температур

Расположение и назначение выводов:

Блок - схема:

Описание:

AT45DB081B является единственной, 2.5 В, или 2.7 В ИС Flash памяти с последовательным интерфейсом, и идеально подходит для широкого спектра цифровых голосовых приложений, приложений визуализации, и приложений хранения программного кода и данных. 8 650 752 бит памяти данной ИС организованы в 4096 страниц по 264 байта каждая. Кроме памяти общего назначения ИС, также, имеет два SRAM буфера данных по 264 байта. Буферы обеспечивают возможность приема данных в режиме перепрограммирования страницы основной памяти, или считывание, или запись непрерывных потоков данных. Режим эмуляции EEPROM (с побитным или побайтным изменением) прост в применении, благодаря встроенной, трехступенчатой системе команд Read - Modify - Write. В отличие от стандартных типов Flash памяти, обращение к которым, происходит произвольным образом в режиме многочисленных адресных строк и при помощи параллельного интерфейса, память типа DataFlash использует последовательный интерфейс для обращения к своим данным в режиме последовательного доступа. ИС поддерживает SPI - режимы типа 0 и 3. Простой последовательный интерфейс облегчает разводку интегральной структуры, увеличивает отказоустойчивость системы, минимизирует коммутационные шумы, а также, уменьшает размер корпуса и число необходимых активных выводов. ИС оптимизирована для использования в широком круге коммерческих и индустриальных приложений, для которых существенную роль играют высокая плотность размещения, малое число выводов, низкое напряжение питания, и низкое энергопотребление. ИС функционирует с тактовыми частотами, вплоть до 20 МГц при типовом потребляемом токе в режиме активного чтения 4 мА.

Для обеспечения удобства внутрисистемного перепрограммирования, ИС AT45DB081B не требует высоких входных напряжений в режиме программирования. ИС питается от однополярного источника с напряжением от 2.5 В до 3.6 В, или от 2.7 В до 3.6 В, как в режиме программирования, так и в режиме чтения. Выборка ИС AT45DB081B производится по входу CS (активный низкий), а доступ к ИС обеспечивается посредством 3-х проводного последовательного интерфейса, состоящего из сигнала последовательного входа (SI), последовательного выхода (SO) и последовательного тактового сигнала (SCK).

Все циклы программирования имеют встроенный контроль временных характеристик, а для проведения программирования предварительный цикл стирания не требуется.

При поставке ИС от Atmel, старшая значащая страница массива памяти может не быть чистой. Другими словами, содержимое последней страницы может быть заполнено содержимым, отличным от FFH.

Документация:

227 Kb Engl Описание микросхемы