В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Hynix > Память
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    HY27(U/S)SXX561M

    256 Мбитная NAND Flash память

    Характеристики:

    • NAND FLASH память большого объема
          - Эффективное по стоимости решение для приложений хранения больших массивов данных
    • NAND интерфейс
          - Ширина шины x8 или x16
          - Мультиплексирование шины адреса/данных
          - Совместимость по выводам с микросхемами памяти различного объема
    • Напряжение питания
          - 3.3 В приборы: VCC = от 2.7 до 3.6 В: HY27USXX561M
          - 1.8 В приборы: VCC = от 1.7 до 1.95 В: HY27SSXX561M
    • Блочная организация памяти
          - 256 Мбит = 528 байт x 32 страницы x 2 048 блоков
    • Размер страницы
          - x8 приборы: (512 + 16 резервных) байт: HY27US08561M
          - x16 приборы: (256 + 8 резервных) слов: HY27US16561M
    • Размер блока
          - x8 приборы: (16 КБ + 512 резервных) байт
          - x16 приборы: (8 КБ + 256 резервных) слов
    • Постраничное чтение/запись
          - Произвольный доступ: 10 мкс (макс)
          - Последовательная выборка: 50 нс (мин)
          - Время записи страницы: 200 мкс (тип)
    • Режим обратного копирования
          - Высокоскоростное копирование без внешней буферизации
    • Кэширование при записи
          - Внутренний кэш-регистр для повышения пропускной способности при записи
    • Быстрое стирание блоков
          - Время стирания блока: 2 мс (тип)
    • Регистр состояния
    • Электронная подпись
    • Опция игнорирования сигнала активизации микросхемы
          - Простой интерфейс с микроконтроллером
    • После включения автоматическая установка для чтения нулевой страницы
          - Поддержка загрузки из NAND памяти
          - Автоматическая загрузка памяти
    • Опция заводского номера
    • Аппаратная защита данных
          - Блокировка записи/стирания при изменении напряжения питания
    • Целостность данных
          - 100 000 циклов записи/стирания
          - Хранение данных более 10 лет
    • Корпусное исполнение
          - HY27US (08/16) 561M-T (P): 48 контактный 12x20x1.2 мм TSOP1
          - HY27US (08/16) 561M-T (с выводами)
          - HY27US (08/16) 561M-ТР (без выводов)
          - HY27US08561M-V (P): 48 контактный 12 x 17 x 0.7 мм WSOP1
          - HY27US08561M-V (с выводами)
          - HY27US08561M-VP (без выводов)
          - HY27 (U/S) S (08/16) 561M-F (P): 63 контактный 9.0x11x1.0 мм FBGA
          - HY27US (08/16) 561M-F (с выводами)
          - HY27US (08/16) 561M-FP (без выводов)
          - HY27SS (08/16) 561M-F (с выводами)
          - HY27SS (08/16) 561M-FP (без выводов)

    Блок- схема:

    Общее описание:

    HY27(U/S)SXX561M - семейство энергонезависимой Flash памяти, построенной по NAND технологии. Приборы работают от 3.3 и 1.8 В питания. В зависимости от ширины шины (x8 или x16), приборы имеют размер страницы 528 байт (512 + 16 резервных) или 264 слова (256 + 8 резервных).

    Шина адреса мультиплексируется с линиями ввода/вывода данных на x8 или x16 разрядную шину. Такой интерфейс позволяет уменьшить количество используемых выводов и обеспечить совместимость по выводам микросхем с различным объемом памяти.

    Каждый блок может записываться и стираться более 100 000 раз. Для повышения срока службы NAND Flash памяти рекомендуется использовать код коррекции ошибок (ЕСС). Микросхемы имеют вывод аппаратной защиты от записи/стирания.

    Приборы имеют выход с открытым стоком сигнала занятости Ready/Busy, который может использоваться для определения состояния контроллера записи/стирания/чтения (PER). Выход с открытым стоком позволяет подключать выходы индикации занятости от нескольких микросхем при помощи одного подтягивающего резистора к одному выводу микроконтроллера.

    Для оптимизации обслуживания дефектных блоков имеется команда Copy Back. Если операция записи страницы не прошла, то можно записать данные в другую страницу без дополнительной пересылки данных.

    Все микросхемы имеют встроенную кэш-память, которая позволяет повысить скорость записи больших объемов данных. Данные можно загружать в кэш-память уже тогда, когда предыдущие данные еще находятся в буфере страницы и записываются непосредственно в память.

    Приборы доступны в следующих корпусах:

    • 48-TSOP1 (12 x 20 x 1.2 мм)
    • 48-WSOP1 (12 x 17 x 0.7 мм)
    • 63-FBGA (9.0 x 11 x 1.0 мм, 6 x 8 шариковых контактов с шагом 0.8 мм)

    У микросхем семейства NAND Flash памяти имеется три опции:

    - Automatic Page 0 Read after Power-up -Автоматическая установка для чтения нулевой страницы, что позволяет микроконтроллеру принимать загрузочный код с нулевой страницы.

    - Chip Enable Dont Care - Опция игнорирования сигнала выбора чипа, которая позволяет микроконтроллеру непосредственно загружать код, так как изменение состояния вывода выбора чипа в течение времени ожидания не прервет операцию считывания.

    - Serial Number - Опция заводского номера, которая позволяет идентифицировать приборы. Опция серийного номера является опцией не для всеобщего использования (NDA) и поэтому в данном техническом описании не раскрывается. Для получения информации необходимо заключить договор о неразглашении с ближайшим офисом компании HYNIX.

    Документация:

      656Kb Engl Описание микросхемы