В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Диоды
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Высокомощные быстровосстанавливающиеся дискретные диоды с напряжением 200 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC IFSM (50Hz) IFSM (60Hz) Vfm Rth(JC) TRR
    10ETF02 TO-220AC DISCRETE 200 10 128 150 160 1.2 1.5 145
    10ETF02S D2-Pak DISCRETE 200 10 128 150 160 1.2 1.5 145
    12FL20S02 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 12 100 145 150 1.4 2 200
    12FL20S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 12 100 145 150 1.4 2 500
    16FL20S02 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 16 100 180 190 1.4 1.6 200
    16FL20S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 16 100 180 190 1.4 1.6 500
    1N3881 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 6 100 72 75 1.4 2.5 300
    1N3891 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 12 100 145 150 1.4 2 300
    20ETF02 TO-220AC DISCRETE 200 20 97 250 260 1.3 0.9 160
    20ETF02FP TO-220 FullPak DISCRETE 200 20 94 250 300 1.3 1.5 160
    20ETF02S D2-Pak DISCRETE 200 20 97 250 260 1.3 0.9 160
    30CPF02 TO-247AC DISCRETE 200 30 98 300 315 1.41 0.8 160
    30EPF02 TO-247AC (2-Pin) DISCRETE 200 30 98 300 315 1.41 0.8 160
    30HFU-200 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 30 91 400 420 1.45 0.6 60
    40EPF02 TO-247AC (2-Pin) DISCRETE 200 40 75 400 420 1.25 0.6 160
    40HFL20S02 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 40 75 400 420 1.95 0.6 200
    40HFL20S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 40 75 400 420 1.95 0.6 500
    60CPF02 TO-247AC DISCRETE 200 60 75 700 830 1.3 0.35 180
    60EPF02 TO-247AC (2-Pin) DISCRETE 200 60 115 700 730 1.3 0.35 160
    60HFU-200 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 60 82 700 730 1.5 0.36 60
    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC IFSM (50Hz) IFSM (60Hz) Vfm Rth(JC) TRR
    6FL20S02 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 6 100 110 115 1.4 2.5 200
    6FL20S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 6 100 110 115 1.4 2.5 500
    70HFL20S02 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 70 75 700 730 1.85 0.36 200
    70HFL20S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 70 75 700 730 1.85 0.36 500
    80EPF02 TO-247AC DISCRETE 200 80 115 800 850 1.2 0.32 160
    85HFL20S02 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 85 75 1100 1150 1.75 0.3 200
    85HFL20S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 85 75 1100 1150 1.75 0.3 500
    8EWF02S D-Pak DISCRETE 200 8 96 170 200 1.2 2.5 55
    IRD3901 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 20 100 240 250 1.65 0.6 350
    IRD3911 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 200 30 100 285 300 1.8 0.46 350
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    IFSM (50Hz) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 50 Гц
    IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц
    VFM (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    tRR (Reverse Recovery Time) - время обратного восстановления