В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Дискретные диоды Шоттки
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Дискретные диоды Шоттки с напряжением 100 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    100BGQ100J PowIRtab (Short) DISCRETE 100 100 129 0.84 9 2.0 0.3 175
    10BQ100 SMB DISCRETE 100 1 152 0.78 9.7 1 0.5 175
    10MQ100N SMA DISCRETE 100 1.5 126 0.78     0.1 150
    113CNQ100A D61-8 Общий катод 100 110 150 0.67 15 1.0 1.0 175
    113CNQ100ASL D61-8-SL Общий катод 100 110 150 0.67 15 1.0 1.0 175
    113CNQ100ASM D61-8-SM Общий катод 100 110 150 0.67 15 1.0 1.0 175
    11DQ10 DO-204AL DISCRETE 100 1.1 48 0.85     0.5 125
    12CWQ10FN D-Pak Общий катод 100 12 134 0.8     1 150
    16CTQ100 TO-220AB Общий катод 100 16 145 0.72 7.5 0.5 0.55 175
    16CTQ100-1 TO-262 Общий катод 100 16 145 0.72 7.5 0.5 0.55 175
    16CTQ100S D2-Pak Общий катод 100 16 148 0.72 7.5 0.5 0.55 175
    20CJQ100 SOT-223 Общий катод 100 2 152 0.79 13 1 0.1 175
    30BQ100 SMC DISCRETE 100 3 143 0.79 50 2.8 0.5 100
    30CPQ100 TO-247AC Общий катод 100 30 140 0.86 7.5 0.5 0.55 175
    30CTQ100 TO-220AB Общий катод 100 30 129 0.86 7.5 0.5 0.55 175
    30CTQ100-1 TO-262 Общий катод 100 30 129 0.86 7.5 0.5 0.55 175
    30CTQ100S D2-Pak Общий катод 100 30 129 0.86 7.5 0.5 0.55 175
    30WQ10FN D-Pak DISCRETE 100 3.5 135 0.81     1 150
    31DQ10 DO-201AD DISCRETE 100 3.3 25 0.85     1 125
    40CPQ100 TO-247AC Общий катод 100 40 145 0.77 11.25 0.75 1.25 175
    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    43CTQ100 TO-220AB Общий катод 100 40 135 0.81 7.5 0.5 1 175
    43CTQ100-1 TO-262 Общий катод 100 40 135 0.81 7.5 0.5 1 175
    43CTQ100S D2-Pak Общий катод 100 40 135 0.81 7.5 0.5 1 175
    50SQ100 DO-204AR DISCRETE 100 5 119 0.66 15 1 0.55 175
    50WQ10FN D-Pak DISCRETE 100 5.5 135 0.77     1 150
    63CPQ100 TO-247AC Общий катод 100 60 153 0.64 15 1 0.3 175
    63CTQ100 TO-220AB Общий катод 100 60 139 0.82 11.25 0.75 0.3 175
    6CWQ10FN D-Pak Общий катод 100 7 135 0.81     1 150
    83CNQ100A D61-8 Общий катод 100 80 132 0.67 15 1 1.5 175
    83CNQ100ASL D61-8-SL Общий катод 100 80 132 0.67 15 1 1.5 175
    83CNQ100ASM D61-8-SM Общий катод 100 80 132 0.67 15 1 1.5 175
    8TQ100 TO-220AC DISCRETE 100 8 157 0.72 7.5 0.5 0.55 175
    8TQ100S D2-Pak DISCRETE 100 8 159 0.72 7.5 0.5 0.55 175
    MBR1100 DO-204AL DISCRETE 100 1.0 85 0.68 N/A N/A 0.5 150
    MBR20100CT TO-220AB Общий катод 100 20 133 0.8     0.15 150
    MBR20100CT-1 TO-262 Общий катод 100 20 133 0.85     0.15 150
    MBRB20100CT D2-Pak Общий катод 100 20 133 0.95 24   0.1 150
    MBRS1100TR SMB DISCRETE 100 1.0 147 0.62 6.0 0.5 0.5 175
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии
    IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток
    IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С
    TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода