В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Дискретные диоды Шоттки
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Дискретные диоды Шоттки с напряжением 40 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    10BQ040 SMB DISCRETE 40 1 112 0.53 18 0.2 0.1 100
    10MQ040N SMA DISCRETE 40 1.5 123 0.54     0.5 150
    10TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 10 151 0.57 13 2 2 175
    10TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 10 151 0.57 13 2 2 175
    11DQ04 DO-204AL DISCRETE 40 1.1 58 0.55     1 125
    12CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 12 157 0.57 8 1.2 0.8 175
    12CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 12 157 0.57 8 1.2 0.8 175
    12CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 12 157 0.57 8 1.2 0.8 175
    12CWQ04FN D-Pak Общий катод 40 12 135 0.52     3 150
    12TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 15 120 0.56 16 2.4 1.75 150
    12TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 15 120 0.56 16 2.4 1.75 150
    15CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 15 123 0.55 10 1.5 0.8 150
    15CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 15 123 0.55 10 1.5 0.8 150
    15CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 15 123 0.55 10 1.5 0.8 150
    15MQ040N SMA DISCRETE 40 2.1 106 0.42     0.5 150
    18TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 18 149 0.6 24 3.6 2.5 175
    18TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 18 149 0.6 24 3.6 2.5 175
    1N5819 DO-204AL DISCRETE 40 1.0 90 0.55 N/A N/A 1.0 150
    20CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 20 145 0.64 13 2 2 175
    20CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 20 145 0.64 13 2 2 175
    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    20CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 20 145 0.64 13 2 2 175
    20TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 20 116 0.57 27 4 2.7 150
    20TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 20 116 0.57 27 4 2.7 150
    21DQ04 DO-204AL DISCRETE 40 2 112 0.55 N/A N/A 0.50 150
    25CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 30 102 0.56 20 3 1.75 150
    25CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 30 102 0.56 20 3 1.75 150
    25CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 30 102 0.56 20 3 1.75 150
    30BQ040 SMC DISCRETE 40 3 120 0.51 35 0.6 1.5 150
    30CPQ040 TO-247AC Общий катод 40 30 124 0.54 20 3 1.75 150
    30CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 30 127 0.62 20 3 2 175
    30CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 30 127 0.62 20 3 2 175
    30CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 30 127 0.62 20 3 2 175
    30WQ04FN D-Pak DISCRETE 40 3.5 135 0.53     2 150
    31DQ04 DO-201AD DISCRETE 40 3.3 35 0.55     3 125
    40CPQ040 TO-247AC Общий катод 40 40 120 0.49 27 4 4 150
    40L40CW TO-247AC Общий катод 40 40 122 0.53 20 3 0.8 150
    50WQ04FN D-Pak DISCRETE 40 5.5 135 0.51     3 150
    6CWQ04FN D-Pak Общий катод 40 7   0.53     2 150
    6TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 6 163 0.57 8 1.2 0.8 175
    6TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 6 163 0.57 8 1.2 0.8 175
    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    80CNQ040A D61-8 Общий катод 40 80 114 0.47 54 8 5 150
    80CNQ040ASL D61-8-SL Общий катод 40 80 114 0.47 54 8 5 150
    80CNQ040ASM D61-8-SM Общий катод 40 80 114 0.47 54 8 5 150
    80SQ040 DO-204AR DISCRETE 40 8 119 0.53 10 1.6 2 175
    81CNQ040A D61-8 Общий катод 40 80 141 0.54 54 8 5 175
    81CNQ040ASL D61-8-SL Общий катод 40 80 141 0.54 54 8 5 175
    81CNQ040ASM D61-8-SM Общий катод 40 80 141 0.54 54 8 5 175
    90SQ040 DO-204AR DISCRETE 40 9 69 0.48 12 1.8 1.75 150
    IR140CSP Flipky DISCRETE 40 1.0 99 0.38 10 2.0 0.02 150
    IR1H40CSPTR Flipky DISCRETE 40 1.0 117 0.48 10 2.0 0.05 150
    MBR0540 SOD-123 DISCRETE 40 0.5 122 0.48 N/A N/A 0.02 150
    MBR340 DO-204AL DISCRETE 40 3.0 150 0.6 N/A N/A 0.6 150
    MBRA140TR SMA DISCRETE 40 1.0 118 0.49 N/A N/A 0.5 150
    MBRD340 D-Pak DISCRETE 40 3.0 133 0.6 N/A N/A 0.2 150
    MBRS140TR SMB DISCRETE 40 1.0 119 0.53 18 0.2 N/A 150
    MBRS340TR SMC DISCRETE 40 3.0 118 0.43 15 0.4 2.0 150
    STPS40L40CW TO-247AC DISCRETE 40 40 120 0.59 27 4 0.8 150
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии
    IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток
    IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С
    TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода