В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Модульные диоды Шоттки
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Модульные диоды Шоттки с напряжением 40 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    120NQ040 D-67 HALF-Pak DISCRETE 40 120 99 0.57 81 12 10 150
    121NQ040 D-67 HALF-Pak DISCRETE 40 120 133 0.65 81 12 10 175
    150CMQ040 D-60 (изолированный) Общий катод 40 150 71 0.6 101 15 200 150
    151CMQ040 D-60 (изолированный) Общий катод 40 150 104 0.65 101 15 45 175
    160CMQ040 TO-249AA (изолированный) Общий катод 40 160 69 0.64 108 16 5 150
    160CNQ040 TO-249AA не изолированный Общий катод 40 160 100 0.64 108 16 5 150
    161CMQ040 TO-249AA (изолированный) Общий катод 40 160 101 0.71 108 16 5 175
    161CNQ040 TO-249AA не изолированный Общий катод 40 160 129 0.71 108 16 5 175
    180NQ040 D-67 HALF-Pak DISCRETE 40 180 90 0.6 243 36 5 150
    181NQ040 D-67 HALF-Pak DISCRETE 40 180 125 0.66 243 36 15 175
    200CNQ040 TO-244AB не изолированный Общий катод 40 200 108 0.54 135 20 10 150
    201CMQ040 TO-244AB изолированный Общий катод 40 200 121 0.67 135 20 10 175
    201CNQ040 TO-244AB не изолированный Общий катод 40 200 138 0.67 135 20 10 175
    240NQ040 D-67 HALF-Pak DISCRETE 40 240 96 0.61 324 48 20 150
    241NQ040 D-67 HALF-Pak DISCRETE 40 240 130 0.69 324 48 20 175
    300CNQ040 TO-244AB не изолированный Общий катод 40 300 104 0.77 150 30 15 150
    301CNQ040 TO-244AB не изолированный Общий катод 40 300 120 0.69 202 30 10 175
    400CMQ040 TO-244AB изолированный Общий катод 40 400 78 0.52 180 40 20 150
    400CNQ040 TO-244AB не изолированный Общий катод 40 400 105 0.57 180 40 20 150
    400DMQ040 TO-244AB изолированный DOUBLER 40 400 70 0.57 180 40 20 150
    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    401CMQ040 TO-244AB изолированный Общий катод 40 400 116 0.67 270 40 20 175
    401CNQ040 TO-244AB не изолированный Общий катод 40 400 138 0.67 270 40 20 175
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии
    IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток
    IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С
    TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода