Модульные диоды Шоттки с напряжением 80 вольт

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	Vfm	EAS	IAR	IRM @ VRWM 25C (mA)	TJ
123NQ080	D-67 HALF-Pak	DISCRETE	80	120	121	0.91	15	1	3	175
153CMQ080	D-60 (изолированный)	Общий катод	80	150	90	0.8	15	1	35	175
163CMQ080	TO-249AA (изолированный)	Общий катод	80	160	87	0.98	15	1	1.5	175
183NQ080	D-67 HALF-Pak	DISCRETE	80	180	116	0.75	15	1	60	175
203CMQ080	TO-244AB изолированный	Общий катод	80	200	110	0.84	15	1	3	175
203CNQ080	TO-244AB не изолированный	Общий катод	80	200	130	0.86	15	1	3	175
203CNQ080R	TO-244AB не изолированный	общий анод	80	200	137	0.86	15	1	3	175
203DMQ080	TO-244AB изолированный	DOUBLER	80	200	107	0.86	15	1.0	3	175
203DNQ080	TO-244AB не изолированный	DOUBLER	80	200	136	0.86	15	1	3	175
243NQ080	D-67 HALF-Pak	DISCRETE	80	240	120	0.86	15	1	6	175
303CNQ080	TO-244AB не изолированный	Общий катод	80	300	126	0.91	15	1	4.5	175
403CMQ080	TO-244AB изолированный	Общий катод	80	400	85	0.83	15	1	6	175
403CNQ080	TO-244AB не изолированный	Общий катод	80	400	105	0.83	15	1	6	175

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения

EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии

IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток

IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С

TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода