В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
    •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации




    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Диоды
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Дискретные Standard Recovery диоды с током 12 А

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC VFM @ 25°С IFM comp. (a) IFSM (50Hz) IFSM (60Hz) Rth(JC)
    12F10 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 12 144 1.26 pie X Ifav 225 235 2
    12F100 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 1000 12 144 1.26 pie X Ifav 225 235 2
    12F120 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 1200 12 144 1.26 pie X Ifav 225 235 2
    12F20 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 12 144 1.26 pie X Ifav 225 235 2
    12F40 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 400 12 144 1.26 pie X Ifav 225 235 2
    12F60 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 600 12 144 1.26 pie X Ifav 225 235 2
    12F80 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 800 12 144 1.26 pie X Ifav 225 235 2
    1N1199A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 50 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N1200A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N1201A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 150 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N1202A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 200 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N1203A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 300 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N1204A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 400 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N1205A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 500 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N1206A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 600 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N3670A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 700 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N3671A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 800 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N3672A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 900 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    1N3673A DO-203AA (DO-4) DISCRETE 1000 12 150 1.35 pie X Ifav 230 240 2
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    Vfm@25°C (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения при 25 °C
    IFSM (50Hz) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 50 Гц
    IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц
    Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус