В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Тиристоры
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Тиристоры SCR: Phase Control Discrete на ток 6,5-10 А

    Типономинал Корпус Схема VDRM IT(RMS) IT(av) comp.(a) @ TC ITSM (50Hz) ITSM (60Hz) Vgt Igt VTM comp.(a) @ ITM comp. (a) DV/DT Rth(JC)
    10RIA10 TO-208AA (TO-48) DISCRETE 100 25 10 85 190 200 2 60 1.75 32 300 1.85
    10RIA100 TO-208AA (TO-48) DISCRETE 1000 25 10 85 190 200 2 60 1.75 32 300 1.85
    10RIA120 TO-208AA (TO-48) DISCRETE 1200 25 10 85 190 200 2 60 1.75 32 300 1.85
    10RIA20 TO-208AA (TO-48) DISCRETE 200 25 10 85 190 200 2 60 1.75 32 300 1.85
    10RIA40 TO-208AA (TO-48) DISCRETE 400 25 10 85 190 200 2 60 1.75 32 300 1.85
    10RIA60 TO-208AA (TO-48) DISCRETE 600 25 10 85 190 200 2 60 1.75 32 300 1.85
    10RIA80 TO-208AA (TO-48) DISCRETE 800 25 10 85 190 200 2 60 1.75 32 300 1.85
    10TTS08 TO-220 DISCRETE 800 10 6.5 112 140 120 1 15 1.15 6.5 150 1.5
    10TTS08S D2-Pak DISCRETE 800 10 6.5 112 140 120 1 15 1.15 6.5 150 1.5
    12TTS08 TO-220 DISCRETE 800 12 8 108 140 120 1 15 1.2 8 150 1.5
    16TTS08 TO-220 DISCRETE 800 16 10 98 200 170 2 60 1.4 10 500 1.3
    16TTS08FP TO-220 Full-Pak DISCRETE 800 16 10 95 200 170 2 60 1.4 10 500 1.5
    16TTS08S D2-Pak DISCRETE 800 16 10 98 200 170 2 60 1.4 10 500 1.3
    16TTS12 TO-220 DISCRETE 1200 16 10 98 200 170 2 60 1.4 10 500 1.3
    16TTS12FP TO-220 Full-Pak DISCRETE 1200 16 10 95 200 170 2 60 1.4 10 500 1.5
    16TTS12S D2-Pak DISCRETE 1200 16 10 98 200 170 2 60 1.4 10 500 1.3
    VDRM (Maximum Repetitive Peak Off-state Voltage) - максимальное пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии
    IT(RMS) (Maximum Root-Mean Square On-state Current) - максимальный среднеквадратический ток в открытом состоянии
    IT(AV) (Maximum Average On-State Current) - максимальный средний ток в открытом состоянии
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    ITSM(50Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 50 Гц
    ITSM(60Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 60 Гц
    Vgt (Maximum Required DC Gate Voltage to Trigger) - максимально необходимое для открытия постоянное напряжение на управляющем электроде
    Igt (Maximum Required DC Gate Current to Trigger) - максимально необходимый для открытия постоянный ток управляющего электрода
    VTM (Maximum Peak On-state Voltage) - максимальное пиковое напряжение в открытом состоянии
    @ITM (Maximum Peak On-state Current) - максимальный пиковый ток в открытом состоянии
    DV/DT (Critical Rate-of-rise of Off-state voltage) - максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
    Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Tq (Maximum Turn-off Time) - максимальное время выключения