Тиристоры SCR: Phase Control Discrete на ток 720-1350 А

Типономинал	Корпус	Схема	VDRM	IT(RMS)	IT(av) comp.(a)	@ TC	ITSM (50Hz)	ITSM (60Hz)	Vgt	Igt	VTM comp.(a)	@ ITM comp. (a)	DV/DT	Rth(JC)
ST330C04C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	400	1420	720	55	7570	7920	3	200	1.96	1800	500	0.04
ST330C08C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	800	1420	720	55	7570	7920	3	200	1.96	1800	500	0.04
ST330C12C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	1200	1420	720	55	7570	7920	3	200	1.96	1800	500	0.04
ST330C14C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	1400	1420	720	55	7570	7920	3	200	1.96	1800	500	0.04
ST330C16C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	1600	1420	720	55	7570	7920	3	200	1.96	1800	500	0.04
ST380C04C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	400	1900	960	55	12600	13200	3	200	1.6	3000	500	0.04
ST380C06C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	600	1900	960	55	12600	13200	3	200	1.6	3000	500	0.04
ST380CH04C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	400	2220	960	80	10500	11000	3	200	1.58	2900	500	0.04
ST380CH06C0	TO-200AB (E-Puk)	DISCRETE	600	2220	960	80	10500	11000	3	200	1.58	2900	500	0.04
ST700C12L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	1200	1857	910	55	13200	13800	3	200	1.8	2000	500	0.031
ST700C16L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	1600	1857	910	55	13200	13800	3	200	1.8	2000	500	0.031
ST700C18L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	1800	1857	910	55	13200	13800	3	200	1.8	2000	500	0.031
ST700C20L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	2000	1857	910	55	13200	13800	3	200	1.8	2000	500	0.031
ST730C08L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	800	2000	990	55	15000	15700	3	200	1.62	2000	500	0.031
ST730C12L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	1200	2000	990	55	15000	15700	3	200	1.62	2000	500	0.031
ST730C14L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	1400	2000	990	55	15000	15700	3	200	1.62	2000	500	0.031
ST730C16L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	1600	2000	990	55	15000	15700	3	200	1.62	2000	500	0.031
ST730C18L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	1800	2000	990	55	15000	15700	3	200	1.62	2000	500	0.031
ST780C04L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	400	2700	1350	55	20550	21500	3	200	1.31	3600	500	0.031
ST780C06L0	TO-200AC (B-Puk)	DISCRETE	600	2700	1350	55	20550	21500	3	200	1.31	3600	500	0.031

VDRM (Maximum Repetitive Peak Off-state Voltage) - максимальное пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии

IT(RMS) (Maximum Root-Mean Square On-state Current) - максимальный среднеквадратический ток в открытом состоянии

IT(AV) (Maximum Average On-State Current) - максимальный средний ток в открытом состоянии

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

ITSM(50Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 50 Гц

ITSM(60Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 60 Гц

Vgt (Maximum Required DC Gate Voltage to Trigger) - максимально необходимое для открытия постоянное напряжение на управляющем электроде

Igt (Maximum Required DC Gate Current to Trigger) - максимально необходимый для открытия постоянный ток управляющего электрода

VTM (Maximum Peak On-state Voltage) - максимальное пиковое напряжение в открытом состоянии

@ITM (Maximum Peak On-state Current) - максимальный пиковый ток в открытом состоянии

DV/DT (Critical Rate-of-rise of Off-state voltage) - максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус

Tq (Maximum Turn-off Time) - максимальное время выключения