В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Тиристоры
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Тиристоры SCR: Fast Discrete с напряжением 1000 В

    Типономинал Корпус Схема VDRM IT(RMS) IT(av) comp.(a) @ TC ITSM (50Hz) ITSM (60Hz) Vgt Igt VTM comp.(a) @ ITM comp. (a) DV/DT Rth(JC)
    ST083S10PFK0 TO-209AC (TO-94) DISCRETE 1000 135 85 85 2060 2160 3 200 2.15 300 18 0.195
    ST173C10CFK0 TO-200AB (A-Puk) DISCRETE 1000 610 330 55 3940 4120 3 200 2.07 600 18 0.08
    ST173C10CFP0 TO-200AB (A-Puk) DISCRETE 1000 610 330 55 3940 4120 3 200 2.07 600 20 0.08
    ST203C10CFJ0 TO-200AB (A-Puk) DISCRETE 1000 700 370 55 4420 4630 3 200 1.72 600 25 0.08
    ST203S10PFJ0 TO-209AB (TO-93) DISCRETE 1000 320 205 85 4420 4630 3 200 1.72 600 25 0.105
    ST303C10CFJ0 TO-200AB (E-Puk) DISCRETE 1000 1180 620 55 6690 7000 3 200 2.16 1255 20 0.04
    ST303C10CFK0 TO-200AB (E-Puk) DISCRETE 1000 1180 620 55 6690 7000 3 200 2.16 1255 25 0.04
    ST303C10LFJ0 TO-200AC (B-Puk) DISCRETE 1000 995 515 55 6690 7000 3 200 2.16 1255 20 0.05
    ST303C10LFK0 TO-200AC (B-Puk) DISCRETE 1000 995 515 55 6690 7000 3 200 2.16 1255 25 0.05
    ST303S10PFJ0 TO-209AE (TO-118) DISCRETE 1000 471 300 65 6690 7000 3 200 2.16 1255 20 0.1
    ST303S10PFK0 TO-209AE (TO-118) DISCRETE 1000 471 300 65 6690 7000 3 200 2.16 1255 25 0.1
    VDRM (Maximum Repetitive Peak Off-state Voltage) - максимальное пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии
    IT(RMS) (Maximum Root-Mean Square On-state Current) - максимальный среднеквадратический ток в открытом состоянии
    IT(AV) (Maximum Average On-State Current) - максимальный средний ток в открытом состоянии
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    ITSM(50Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 50 Гц
    ITSM(60Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 60 Гц
    Vgt (Maximum Required DC Gate Voltage to Trigger) - максимально необходимое для открытия постоянное напряжение на управляющем электроде
    Igt (Maximum Required DC Gate Current to Trigger) - максимально необходимый для открытия постоянный ток управляющего электрода
    VTM (Maximum Peak On-state Voltage) - максимальное пиковое напряжение в открытом состоянии
    @ITM (Maximum Peak On-state Current) - максимальный пиковый ток в открытом состоянии
    DV/DT (Critical Rate-of-rise of Off-state voltage) - максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
    Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Tq (Maximum Turn-off Time) - максимальное время выключения