В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Тиристоры
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Тиристоры SCR: 2 SCR Doubler Circuit Positive Control

    Типономинал Корпус Схема VDRM IT(RMS) IT(av) comp.(a) @ TC ITSM (50Hz) ITSM (60Hz) Tq Rth(JC) VTM comp. (a)
    IRKTF180-04HJ MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 400 180 400 85 7130 7470 25 0.063 1.84
    IRKTF180-04HK MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 400 180 400 85 7130 7470 20 0.063 1.84
    IRKTF180-08HJ MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 800 180 400 85 7130 7470 25 0.063 1.84
    IRKTF180-08HK MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 800 180 400 85 7130 7470 20 0.063 1.84
    IRKTF180-12HJ MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 1200 180 400 85 7130 7470 25 0.063 1.84
    IRKTF180-12HK MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 1200 180 400 85 7130 7470 20 0.063 1.84
    IRKTF200-04HJ MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 400 200 444 85 7600 7800 25 0.063 1.73
    IRKTF200-04HK MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 400 200 444 85 7600 7800 20 0.063 1.73
    IRKTF200-08HJ MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 800 200 444 85 7600 7800 25 0.063 1.73
    IRKTF200-08HK MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 800 200 444 85 7600 7800 20 0.063 1.73
    IRKTF200-12HJ MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 1200 200 444 85 7600 7800 25 0.063 1.73
    IRKTF200-12HK MAGN-A-Pak DBLR 2SCR 1200 200 444 85 7600 7800 20 0.063 1.73
    VDRM (Maximum Repetitive Peak Off-state Voltage) - максимальное пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии
    IT(RMS) (Maximum Root-Mean Square On-state Current) - максимальный среднеквадратический ток в открытом состоянии
    IT(AV) (Maximum Average On-State Current) - максимальный средний ток в открытом состоянии
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    ITSM(50Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 50 Гц
    ITSM(60Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 60 Гц
    Vgt (Maximum Required DC Gate Voltage to Trigger) - максимально необходимое для открытия постоянное напряжение на управляющем электроде
    Igt (Maximum Required DC Gate Current to Trigger) - максимально необходимый для открытия постоянный ток управляющего электрода
    VTM (Maximum Peak On-state Voltage) - максимальное пиковое напряжение в открытом состоянии
    @ITM (Maximum Peak On-state Current) - максимальный пиковый ток в открытом состоянии
    DV/DT (Critical Rate-of-rise of Off-state voltage) - максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
    Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Tq (Maximum Turn-off Time) - максимальное время выключения