В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Микросхемы > Maxim > ШИМ-регуляторы
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    MAX764, MAX765, MAX766

    -5 В/-12 В/-15 В, или регулируемые, высокоэффективные DC/DC инверторы с низким потребляемым током покоя

    Отличительные особенности:

    • Высокая эффективность преобразования для широкого спектра нагрузки
    • Нагрузочная способность 250 мА
    • Максимальный потребляемый ток 120 мкА
    • Максимальный потребляемый ток в режиме Shutdown: 5 мкА
    • Входное напряжение от 3 В до 16 В
    • Выходные напряжения:
          –5 В (MAX764)
          –12 В (MAX765)
          –15 В (MAX766)
          или регулируемое от –1 В до –16 В
    • Управление преобразованием с ограничением тока и частотно – импульсной модуляцией (ЧИМ)
    • Частота преобразования 300 кГц
    • Встроенный, P- канальный, силовой MOSFET

    Области применения:

    • Генераторы напряжения смещения для питания ЖКИ
    • Портативные измерительные приборы
    • Адаптеры LAN
    • Системы дистанционного сбора данных
    • Системы с автономным питанием

    Типовая схема включения:

    Расположение выводов:

    Описание:

    Инвертирующие импульсные стабилизаторы напряжения MAX764/MAX765/MAX766 имеют высокую эффективность преобразования в широком диапазоне токов нагрузки, и обеспечивают нагрузочную способность до 1.5 Вт. Уникальная схема управления с ограничением тока и частотно – импульсной модуляцией (ЧИМ) объединяет преимущества традиционных ЧИМ конверторов, с достоинствами конверторов, основанных на широтно – импульсной модуляции (ШИМ). Как и конверторы с ШИМ, MAX764/MAX765/MAX766 имеют высокую эффективность преобразования при больших нагрузках. Но, поскольку, они являются ЧИМ – преобразователями, то они потребляют ток менее 120 мкА, а не 2…10 мА, как аналогичные устройства с ШИМ.

    Диапазон входных напряжений составляет от 3 В до 16 В. ИС имеют следующие фиксированные выходные напряжения: -5 В (MAX764), -12 В (MAX765), -15 В (MAX766), но все они могут использоваться в режиме регулируемого (Dual-Mode TM) , с помощью двух внешних резисторов, выходного напряжения от –1 В до –16 В. Максимальная разность рабочих напряжений VIN – VOUT составляет 20 В.

    Данные ИС используют миниатюрные внешние элементы. Высокая частота преобразования (до 300 кГц) позволяет использовать миниатюрные дроссели поверхностного монтажа, менее 5 мм в диаметре. Стандартный дроссель 47 мкГн идеально подходит для большинства приложений, т.е. нет необходимости в расчете индуктивности дросселя.

    Встроенный силовой MOSFET делает ИС MAX764/MAX765/MAX766 идеальным выбором для реализации приложений малой и средней мощности с минимальным числом компонентов. При необходимости реализации приложений с повышенным уровнем мощности, или с более высокими выходными напряжениями, возможно использование ИС MAX774/MAX775/MAX776 или MAX1774, которые управляют внешним, силовым, P- канальным MOSFET транзистором, и обеспечивают нагрузочную способность до 5 Вт.

    Документация:

      132 Kb Engl Описание микросхемы