В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы MiniSKiiP
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SKiiP13AC126V1

    3-фазный мостовой инвертор MiniSKiiP 1

    Отличительные особенности:

    • Быстродействующие Tranch IGBT-транзисторы (пазовое исполнение затвора)
    • Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
    • Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
    • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

    Области применения:

    • Инверторы мощностью до 16 кВА
    • Двигатели мощностью 7,5 кВт

    Примечания:

    • VCEsat , VF - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT-транзистор инвертора
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
    IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 41 (31) А
    ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп 1 мс 50 А
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
    Обратный диод инвертора
    IF прямой ток Tc = 25 (70) °C 30 (22) A
    IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп 1 мс 50 A
    Tj температура перехода - 40 ... + 150 °C
     
    ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 40 A
    Tstg температура хранения Top Tstg - 40 ... + 125 °C
    Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 В


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT-транзистор инвертора
    VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 25 A, Tj = 25 (125) °C   1,7 (2) 2,1 (2,4) В
    VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 1 мА 5 5,8 6,5 В
    VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (125) °C   1 (0,9) 1,2 (1,1) В
    rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C   28 (44) 36 (52) мОм
    Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   1,8   нФ
    Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   0,3   нФ
    Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   0,2   нФ
    Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT   0,9   K/Вт
     
    td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 25 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 30 Ом индуктивная нагрузка   95   нс
    tr время нарастания   35   нс
    td(off) длительность задержки выключения   455   нс
    tf время спада   85   нс
    Eon рассеиваемая энергия в процессе включения   4.1   мДж
    Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения   3,1   мДж
    Обратный диод инвертора
    VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 25 A; Tj = 25 (125) °C   1,8 (1,8) 2,1 (2,2 В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1 (0,8) 1,1 (0,9) В
    rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   32 (40) 40 (52) мОм
    Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода   1.7   K/Вт
     
    IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 25 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 1140 A/мкс   25   A
    Qrr заряд восстановления   5,3   мкКл
    Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   2.2   мДж
    Датчик температуры
    Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C   1000 (1670)   Ом
    Механические данные
    Ms монтажный вращающий момент   2   2.5 Н · м
    m масса       35 грамм
    IC - ток коллектора;
    VGE - напряжение затвор-эмиттер;
    VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
    Tj - температура перехода;
    ICnom - номинальный ток коллектора;
    VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
    RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
    IFnom - номинальный прямой ток.

    Внешний вид модулей семейства SKIIP 1:

    Внешний вид модулей семейства SKIIP 1

    Схема модуля:

    Схема модуля SKiiP13AC126V1

    Типовая схема включения:

    Типовая схема включения SKiiP13AC126V1

    Документация:

      847 Kb Engl Описание модулей