В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы SEMITOP
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SK13GD063

    IGBT-модуль SEMITOP3

    Отличительные особенности:

    • Компактная конструкция
    • Монтаж одним винтом
    • Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
    • N-канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT)
    • Высокая стойкость к короткому замыканию
    • Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
    • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

    Области применения:

    • Коммутация (не для линейных цепей)
    • Инверторы
    • Импульсные источники питания
    • Источники бесперебойного питания
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   600 В
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    IC ток коллектора Tc = 20 (80) °C 18 (13) А
    ICM максимальный ток коллектора tp < 1 мс, Ts = 25 (80) °C 36 (26) А
    Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
    CAL-диод
    IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 22 (15) A
    IFM = - ICM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 200 A
    Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
     
    Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
    Tsol температура пайки выводы, 10 сек. 260 °C
    VISOL напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда 2500/3000 В


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 10 A, Tj = 25 (125) °C   2,1 (2,4) 2,5 (2,8) В
    VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 0,0004 А 4,5 5,5 6,5 В
    Cies входная емкость при закороченном выходе VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   0,57   нФ
    Rth(j-s) Тепловое сопротивление для IGBT     2 K/Вт
     
    td(on) длительность задержки включения при следующих условиях: VCC = 300 В, VGE = ± 15В IC = 10 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 100 Ом индуктивная нагрузка   45   нс
    tr время нарастания   45   нс
    td(off) длительность задержки выключения   250   нс
    tf время спада   20   нс
    Eon+(Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)   1   мДж
    CAL-диод
    VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 10 A; Tj = 25 (125) °C   1,45 (1,4) 1,7 (1,7) В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   (0,85) (0,9) В
    rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = (125) °C   (55) (80) мОм
    Rth(j-c) тепловое сопротивление       2,3 K/Вт
     
    IRRM максимальный ток обратного восстановления при следующих условиях: IF = 10 A, VR = -300 В diF/dt = -200 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C   6,5   A
    Qrr заряд восстановления   0   мКл
    Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   0,1   мДж
    Механические данные
    M1 монтажный вращающий момент       2,5 Н · м
    w масса     30   грамм
      корпус SEMITOP 3   Т 12    
    IC - ток коллектора;
    VGE - напряжение затвор-эмиттер;
    VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
    VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
    RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
    IF - номинальный прямой ток.

    Внешний вид модулей семейства SEMITOP3:

    Внешний вид модулей семейства SEMITOP3

    Схема модуля SK13GD063:

    Схема модуля SK13GD063

    Расположение выводов SK13GD063:

    Расположение выводов SK13GD063

    Документация:

      602 Kb Engl Описание модулей