SK30GB067, SK30GAR067, SK30GAL067
IGBT-модуль SEMITOP2
Отличительные особенности:
- Компактная конструкция
- Монтаж одним винтом
- Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
- Гипербыстродействующий NPT IGBT-транзистор
- N-канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT)
- Положительный температурный коэффициент Vcesat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении), что обеспечивает простоту параллельной работы
- Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
- Низкое пороговое напряжение
Области применения:
- Коммутация (не для линейных цепей)
- Высокочастотные приложения
- Сварочные аппараты
- Импульсные источники питания
- Источники бесперебойного питания
| Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
600 |
В |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tc = 20 (80) °C |
45 (30) |
А |
| ICM |
максимальный ток коллектора |
tp < 1 мс, Ts = 25 (80) °C |
90 (60) |
А |
| Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| Диод |
| IF |
прямой ток |
Tc = 25 (80) °C |
45 (30) |
A |
| IFM = - ICM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
tимп = 1 мс |
90 (60) |
A |
| Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| |
| Tstg |
температура хранения |
|
- 40 ... + 125 |
°C |
| Tsol |
температура пайки |
выводы, 10 сек. |
260 |
°C |
| VISOL |
напряжение испытания изоляции |
действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда |
2500/3000 |
В |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор |
| VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
IC = 60 A, Tj = 25 (125) °C |
|
2,8 (3,5) |
|
В |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 0,0014 А |
3 |
4 |
5 |
В |
| Cies |
входная емкость при закороченном выходе |
VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
3 |
|
нФ |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для IGBT |
|
|
0,85 |
K/Вт |
| |
| td(on) |
длительность задержки включения |
при следующих условиях: VCC = 400 В, VGE = ± 15В IC = 60 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 11 Ом индуктивная нагрузка |
|
32 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
|
20 |
|
нс |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
|
340 |
|
нс |
| tf |
время спада |
|
30 |
|
нс |
| Eon+(Eoff) |
рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) |
|
3,4 |
|
мДж |
| Диод |
| VF = VEC |
прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IF = 60 A; Tj = 25 (125) °C |
|
(1,25) |
2 |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 125 () °C |
|
(1) |
|
В |
| rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = (125) °C |
|
(9) |
|
мОм |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление |
|
|
|
1,6 |
K/Вт |
| |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
при следующих условиях: IF = 30 A, VR = 400 В diF/dt = -100 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C |
|
18 |
|
A |
| Qrr |
заряд восстановления |
|
1,5 |
|
мКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления |
|
|
|
мДж |
| Механические данные |
| M1 |
монтажный вращающий момент |
|
|
|
2 |
Н · м |
| w |
масса |
|
|
19 |
|
грамм |
| |
корпус |
SEMITOP2 |
|
Т 32 |
|
|
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IF - номинальный прямой ток.
Внешний вид модулей семейства SEMITOP2:
Схема модуля и расположение выводов SK30GB067:
Схема модуля и расположение выводов SK30GAL067:
Схема модуля и расположение выводов SK30GAR067:
Документация:
| |
 |
347 Kb Engl Описание модулей |
|
