В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы SEMITOP
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SK35GD065ET

    3-фазный мостовой инвертор SEMITOP 3

    Отличительные особенности:

    • Компактная конструкция
    • Монтаж одним винтом
    • Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
    • IGBT-транзистор, выполненный по ультрабыстродействующей технологии NPT
    • FW-диод, выполненный по технологии CAL
    • Встроенный термистор для измерения температуры

    Области применения:

    • Инверторы
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT -транзистор инвертора, прерывателя
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   600 В
    IC ток коллектора Tc = 25 (80) °C 45 (33) А
    ICM максимальный ток коллектора tp 1 мс, Ts = 25 (80) °C 90 (66) А
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
    Диод инвертора, прерывателя
    IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 36 (24) A
    IFM = - ICM максимальный прямой ток, равный отрицательному максимальному току коллектора Ts = 25 (80) °C, tp < 1 мс 80 (56) A
    Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
    Выпрямитель
    VRRM повторяющееся максимальное обратное напряжение     В
    IF прямой ток Tc = °C   A
    IFSM/ITSM прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии tp = ms , sin ° ,Tj = °C   A
    I2t значение I2t tp = ms , sin ° ,Tj = °C   А2с
    Tj температура перехода     °C
     
    Tsol температура пайки выводы, 10 сек. 260 °C
    Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
    VISOL напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда 2500/3000 В


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT -транзистор инвертора, прерывателя
    VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 50 A, Tj = 25 (125) °C   2 (2,2) 2,5 (2,7) В
    VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 2 мА 3 4 5 В
    VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера Tj = 25 (125) °C   1,2 (1,1) 1,3 (1,2) В
    rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C   16 (22) 24 (30) мОм
    Cies входная емкость при закороченном выходе VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   2,7   нФ
    Cоes Выходная емкость при закороченном входе VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   0,8   нФ
    Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   0,6   нФ
    Rth(j-s) Тепловое сопротивление для IGBT     1 K/Вт
     
    td(on) длительность задержки включения при следующих условиях: VCC = 300 В, VGE = ± 15В IC = 50 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 15 Ом индуктивная нагрузка   35   нс
    tr время нарастания   35   нс
    td(off) длительность задержки выключения   240   нс
    tf время спада   25   нс
    Eon рассеиваемая энергия в процессе включения   1,3   мДж
    Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения   0,6   мДж
    Диод инвертора, прерывателя
    VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 50 A; Tj = 25 (125) °C   1,9 (1,9) 2,3 (2,4) В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1 (0,9) 1,1 В
    rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = (125) °C   18 (20) 24 (28) мОм
    Rth(j-c) тепловое сопротивление для одного диода     1,7 K/Вт
     
    IRRM максимальный ток обратного восстановления при следующих условиях: IF = 50 A, VR =300 В diF/dt = 2400 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C   57   A
    Qrr заряд восстановления   4,6   мКл
    Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   0,9   мДж
    Термистор
    Rts сопротивление 5 %, Tr = 25 (100 ) °C   5000 (493)   Ом
    Механические данные
    Ms монтажный вращающий момент       2,5 Н · м
    w масса     30   грамм
    IC - ток коллектора;
    VGE - напряжение затвор-эмиттер;
    VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
    VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
    RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
    IF - номинальный прямой ток.

    Внешний вид модулей семейства SEMITOP3:

    Внешний вид модулей семейства SEMITOP3

    Схема модуля SK35GD065ET:

    Схема модуля SK35GD065ET

    Документация:

      701 Kb Engl Описание модулей