В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы SEMITOP
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SK8GD126

    IGBT-модуль SEMITOP 2

    Отличительные особенности:

    • Быстродействующие Trench IGBT-транзисторы
    • Диоды с плавным восстановлением, выполненные по высокоплотной технологии CAL (управляемый срок службы носителей)
    • Компактная конструкция
    • Монтаж одним винтом
    • Передача тепла и изоляция через DBC-керамику

    Области применения:

    • Коммутация (не для линейных цепей)
    • Инверторы
    • Импульсные источники питания
    • Источники бесперебойного питания
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    IC ток коллектора Tc = 25 (80) °C 15 (10) А
    ICM максимальный ток коллектора tp < 1 мс, Ts = 25 (80) °C 30 (20) А
    Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
    CAL-диод
    IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 13 (9) A
    IFM = - ICM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 26 (18) A
    Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
     
    Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
    Tsol температура пайки выводы, 10 сек. 260 °C
    VISOL напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда 2500/3000 В


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 8 A, Tj = 25 (125) °C   1,7 (2) 2,1 В
    VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 0,0003 А 5 5,8 6,5 В
    Cies входная емкость при закороченном выходе VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   0,7   нФ
    Rth(j-s) Тепловое сопротивление для IGBT     2 K/Вт
     
    td(on) длительность задержки включения при следующих условиях: VCC = 600 В, VGE = ± 15В IC = 8 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 50 Ом индуктивная нагрузка   85   нс
    tr время нарастания   30   нс
    td(off) длительность задержки выключения   430   нс
    tf время спада   90   нс
    Eon+(Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)   1,9   мДж
    CAL-диод
    VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 8 A; Tj = 25 (125) °C   1,9 (2) 2 (2,4) В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = (125) °C   1 (0,8) 1,1 В
    rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = (125) °C   112 (150) 138 мОм
    Rth(j-c) тепловое сопротивление       2,8 K/Вт
     
    IRRM максимальный ток обратного восстановления при следующих условиях: IF = 8 A, VR = 600 В diF/dt = 300 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C   9,4   A
    Qrr заряд восстановления   1,5   мКл
    Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   0,6   мДж
    Механические данные
    M1 монтажный вращающий момент       2 Н · м
    w масса     21   грамм
      корпус SEMITOP 2   Т 47    
    IC - ток коллектора;
    VGE - напряжение затвор-эмиттер;
    VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
    VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
    RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
    IF - номинальный прямой ток.

    Внешний вид модулей семейства SEMITOP2:

    Внешний вид модулей семейства SEMITOP2

    Схема модуля и расположение выводов SK8GB126:

    Схема модуля и расположение выводов SK8GB126

    Документация:

      136 Kb Engl Описание модулей