В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SKM300GB066D

    IGBT-модуль с пазовым исполнением затвора SEMITRANS 3

    Отличительные особенности:

    • Гомогенная кремниевая структура
    • Технология пазового исполнения затвора
    • Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
    • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение до 6 х Ic

    Области применения:

    • Привода с инверторами переменного тока
    • Источники бесперебойного питания
    • Электронные сварочные аппараты

    Примечания:

    • Максимальная температура корпуса Tc = 125°C максимум, рекомендуемая рабочая температура Top = -40 ... +150°C, данные по надежности действительны для Tj150°C
    • Данные по режиму короткого замыкания: tp6 мкс; VGE15В; Tj=150°C; Vcc360В, необходимо использование смягчающего резистора RG!
    • Учитывайте возможность образования перенапряжений под влиянием паразитной индуктивности.
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   600 В
    IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C, Tj=150°C 360 (250) А
    IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C, Tj=175°C 390 (300) А
    ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 600 А
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая Tstg - 40 ... + (175) 125 °C
    VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
    Обратный диод
    IF прямой ток Tc = 25 (80) °C, Tj=150°C 310 (200) A
    IF прямой ток Tc = 25 (80) °C, Tj=175°C 350 (250) A
    IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 600 A
    IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 175 °C   A


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 4.8 мА 5,0 5,8 6,5 В
    ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (150) °C   0,15 0,45 мА
    VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 () °C   0,9 (0.85) 1 (0.9) В
    rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (150) °C   1,8 (2,7) 3,0 (3,8) мОм
    VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 300 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   1,45 (1,7) 1,9 (2,1) В
     
    Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   18,5   нФ
    Coes выходная емкость   1,2   нФ
    Cres обратная переходная емкость   0,55   нФ
    LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20 нГн
    RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,35 (0,5)   мОм
     
    td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, ICnom = 300 A   160   нс
    tr время нарастания RGon = RGoff = 2,4 Ом, Tj = 150 °C   48   нс
    td(off) длительность задержки выключения VGE = -8В/+15В   540   нс
    tf время спада     53   нс
    Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     7,5 (11,5)   мДж
    Обратный диод
    VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 300 A; VGE = 0В; Tj = 25 (150) °C   1,4 1,6 В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 (150) °C   0,95 1 В
    rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 (150) °C   1,5 2 мОм
    IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 300 A; Tj = 150 ( ) °C   340   A
    Qrr заряд восстановления di/dt = 7000 A/мкс   47   мкКл
    Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   10.5   мДж
    Тепловые характеристики
    Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,15 K/Вт
    Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,25 K/Вт
    Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,038 K/Вт
    Механические данные
    Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
    Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
    w масса       325 грамм
    IC - ток коллектора;
    VGE - напряжение затвор-эмиттер;
    VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
    Tj - температура перехода;
    ICnom - номинальный ток коллектора;
    VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
    RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
    IFnom - номинальный прямой ток.

    Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3:

    Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3

    Схема модуля:

    Схема модуля SKM300GB066D

    Расположение выводов:

    Расположение выводов SKM300GB066D

    Документация:

      1027 Kb Engl Описание модулей