В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SKM600GA125D

    Ультрабыстродействующие IGBT- модули SEMITRANS 4 на напряжение 1200В

    Отличительные особенности:

    • NPT-IGBT с положительным температурным коэффициентом VCEsat
    • Самоограничение тока короткого замыкания до 6 x Ic
    • Соответствие стандартам: IEC 60721-3-3 (влажность) класс 3K3/IEC 68T.1 климатическое исполнение 40/125/56

    Области применения:

    • Резонансные инверторы до 100 кГц
    • Оборудование индукционного нагрева
    • Электронные сварочные аппараты с fпреобр > 20 кГц

    Примечания:

    • IDC 500A ограничен клеммами
    • Учитывайте возможность образования перенапряжений под влиянием паразитной индуктивности.
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
    IC ток коллектора Tc = 25 (80) °C 580 (400) А
    ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 800 А
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая Tstg - 40 ... + (125) 150 °C
    VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
    Обратный диод
    IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 500 (350) A
    IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 800 A
    IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 3600 A


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 16 мА 4,5 5,5 6,5 В
    ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   0,15 0,45 мА
    VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 (125) °C   1,5 (1,7) 1,75 В
    rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   4,5 (6) 5,3 мОм
    VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 400 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   3,3 (4) 3,85 В
     
    Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   36   нФ
    Coes выходная емкость   3,8   нФ
    Cres обратная переходная емкость   3,5   нФ
    LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера   20   нГн
    RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,18 (0,22)   мОм
     
    td(on) длительность задержки включения VCC = 600 В, ICnom = 400 A   800   нс
    tr время нарастания RGon = RGoff = 2.5 Ом, Tj = 125 °C   70   нс
    td(off) длительность задержки выключения VGE = ± 15В   570   нс
    tf время спада     60   нс
    Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     30 (22)   мДж
    Обратный диод
    VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 500 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2 (1,8) 2,5 В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C     (1,2) В
    rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C     (3) мОм
    IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 400 A; Tj = 125 ( ) °C   460   A
    Qrr заряд восстановления di/dt = 7200 A/мкс   65   мкКл
    Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   27   мДж
    Тепловые характеристики
    Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,041 K/Вт
    Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,09 K/Вт
    Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,038 K/Вт
    Механические данные
    Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
    Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2.5   5 Н · м
    w масса       330 грамм
    IC - ток коллектора;
    VGE - напряжение затвор-эмиттер;
    VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
    Tj - температура перехода;
    ICnom - номинальный ток коллектора;
    VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
    RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
    IFnom - номинальный прямой ток.

    Внешний вид модулей семейства SEMITRANS4:

    Внешний вид модулей семейства SEMITRANS4

    Схема модуля:

    Схема модуля  SKM600GA125D

    Расположение выводов:

    Расположение выводов  SKM600GA125D

    Документация:

      594 Kb Engl Описание модулей SKM600GA125D