В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
    •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации




    Главная страница > Компоненты > Semikron > IPM SKiiP 2,3
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SKiiP313GD122-3DUL

    Интеллектуальная силовая система SKiiP 3 с интегрированной схемой "6-pack"

    Отличительные особенности:

    • Интегрирование технологии SKiiP
    • SPT (Soft Punch Through) IGBT-транзисторы
    • Диодная технология CAL
    • Встроенный датчик тока
    • Встроенный датчик температуры
    • Встроенный теплоотвод
    • Соответствие IEC 60721-3-3 (влажность) класс 3K3/IE32 (система SKiiP3)
    • Соответствие IEC 60068-1 (климатическое исполнение) 40/125/56
    • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

    Отличительные особенности драйвера затвора:

    • КМОП-совместимые входы
    • Широкий диапазон питания
    • Встроенная схема для определения фазы тока, температуры теплоотвода и постоянного напряжения шины (опционально)
    • Защита от короткого замыкания
    • Защита от токовой перегрузки
    • Защита от перенапряжения (опционально)
    • Защита источника питания от снижения напряжения
    • Блокировка верхнего/нижнего ключа
    • Трансформаторная изоляция
    • Оптоволоконный интерфейс (опция только для GB-типов)
    • Соответствие IEC 60068-1 (климатическое исполнение) 40/85/56
    • Сертификат лаборатории безопасности UL номер 242581
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
    VCC рабочее постоянное напряжение   900 В
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 300 (225) А
    Обратный диод
    IF=-IC прямой ток, равный отрицательному току коллектору Tc = 25 (70) °C 230 (180) A
    IFSM прямой максимальный ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2500 A
    I2t значение I2t для диода tимп = 10 мс; Tj = 150 °C 31 кА2с
     
    Tj (Tstg) температура перехода (температура хранения)   - 40 ... + 150 (125) °C
    Visol напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 1 минута, между сетевыми выводами и теплоотводом 3000 B
    IAC-terminal действующего значение тока силовой клеммы для одного вывода, Ts = 70 °C, Tterminal < 115 °C 400 A


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT-транзистор инвертора
    VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 193 A, Tj = 25 (125) °C   2,3 (2,5) 2,6 В
    VGEO   Tj = 25 (125) °C; на выводе   1,1 (1) 1,3 (1,2) В
    rCE дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C; на выводе   6 (7,8) 7 (8,8) мОм
    ICES ток отсечки коллектора-эмиттера с закороченным затвором и эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   4,8 (144)   мА
    Eon + Eoff Рассеиваемая энергия в процессе включения и выключения IC = 193 A, VCC = 600 В,
    Tj = 125 °C, VCC = 900В    		   58
    102    		   мДж
     
    RCC'+EE' сопротивление клемма-кристалл Tj = 25 °C   0,5   мОм
    LCE индуктивность коллектора-эмиттера верхний, нижний транзистор   12   нГн
    CCHC емкость кристалл-корпус для одной фазы, на стороне переменного напряжения   1,7   нФ
    Обратный диод
    VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 193 A; Tj = 25 (125) °C   2 (1,8) 2,3 В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1 (0,7) 1,2 (0,9) В
    rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   5,3 (5,6) 7 (7,4) мОм
    Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления IC = 193 A, VCC = 600 В
    Tj = 125 °C, VCC = 900В    		   15
    20    		   мДж
    мДж
    Механические данные
    Mdc монтажный вращающий момент клеммы постоянного тока 6   8 Н · м
    Mac монтажный вращающий момент клеммы переменного тока 13   15 Н · м
    w масса системы SKiiP 3 без теплоотвода     2,4   кг
    w масса теплоотвода     7,5   кг
    Тепловые характеристики (NWK 40; 8I/min; 50%glyc.); "s" указывает не теплоотвод; "r" - на встроенный датчик температуры (в соответствии с IEC 60747-15)
    Rth(j-s)I тепловое сопротивление для одного IGBT     0,092 К/Вт
    Rth(j-s)D тепловое сопротивление для одного диода     0,23 К/Вт
     
    Zth переходное тепловое сопротивление Ri (мК/Вт) (макс. значения) taui(s)
       
    1 2 3 4
    1 2 3 4
    Zth(j-r)I  
           
           
    Zth(j-r)D  
           
         5  
    Zth(r-a)  
    2,1 20 5,5 1,4
    210 85 11 0,4


    Предельно-допустимые характеристики драйвера
    (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
     
    VS2 нестабилизированное напряжение питания 24В   30 B
    Vi напряжение входного сигнала высокий уровень 15+0,3 B
     
    dv/dt скорость нарастания напряжения от вторичной к первичной стороне 75 кВ/мкс
    VisolIO испытательное напряжение изоляции вход/выход (перем. напр., действ. значение, 2 сек.) 3000 B
    VisolPD напряжение исчезновения частичного разряда, действ.знач. QPD 10 пКл 1170 B
    Visol12 испытательное напряжение изоляции выход 1/выход 2 (перем. напр., действ. знач., 2 сек.) 1500 B
    fsw частота коммутации   20 кГц
    fout выходная частота для Ipeak(1)=IC   20 кГц
    Top (Tstg) рабочая температура/температура хранения   - 40...+ 85 °C


    Рабочие характеристики драйвера
    (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
     
    VS2 нестабилизированное напряжение питания   13 24 30 В
    IS2 потребляемый ток VS2 = 24В 365+20*f/кГц+0,000111*(IAC/A)2 мА
    ViT+ входное пороговое напряжение высокого уровня       12,3 В
    ViT- входное пороговое напряжение низкого уровня   4,6     В
    RIN входное сопротивление     10   кОм
    CIN входная емкость     1   нФ
    td(on)IO задержка распространения вход-выход сигнала включения     1,3   мкс
    td(off)IO задержка распространения вход-выход сигнала выключения     1,3   мкс
    tpERRRESET время сброса запоминания ошибки     9   мкс
    tTD время блокирования верхнего/нижнего ключа     3,3   мкс
    IanalogOUT   макс. 5 мА; 8В соотв. напряжению питания 15 В внешних компонентов   300   A
    Is1out макс. ток нагрузки       50 мA
    ITRIPSC порог срабатывания защиты от токовой перегрузки IanalogВЫХ. = 10 В   375   A
    Ttp порог срабатывания защиты от перегрева   110   120 °C
    UDCTRIP защита от снижения пост. напряжения Uanalog ВЫХ = 9В; опция для GB-типов   900   B

    Внешний вид модулей SKiiP313GD122-3DUL:

    Внешний вид модулей SKiiP313GD122-3DUL

    Схема модуля SKiiP313GD122-3DUL:

    Схема модуля SKiiP313GD122-3DUL

    Документация:

      101 Kb Engl Описание модулей