4.0 Спецификация
4.1 Абсолютные максимальные номиналы SED1335F
Параметр |
Символ |
Номинал |
Единица измерения |
Диапазон напряжения питания |
VDD |
-0.3…7.0 |
В |
Диапазон входного напряжения |
VIN |
-0.3… VDD +0.3 |
В |
Рассеяние мощности |
PD |
300 |
мВт |
Диапазон рабочей температуры |
Topr |
-20…75 |
°С |
Диапазон температуры хранения |
Tstg |
-65…150 |
°С |
Температура паяния (10 секунд). См. примечание 1. |
Tsolder |
260 |
°С |
Примечания:
- Влагостойкость плоского корпуса может быть уменьшена если корпус погрузить в припой. Использовать метод пайки мягким припоем, который не вызывает температурного напряжения корпуса.
- Если источник питания имеет высокое сопротивление, то между входом и напряжениями питания может возникать большой перепад напряжения. Соблюдать надлежащую осторожность с источником питанияи и при планировке шин питания. (См. раздел 2.3).
- Все питающие напряжения установлены в исходное состояние VSS=0В.
4.2 Электрические характеристики SED1335F
VDD=4.5…5.5В, VSS=0В, Та=-20…75°С
Параметр |
Символ |
Условие |
Номинал |
Единица |
мин |
тип |
макс |
Напряжение питания |
VDD |
|
4.5 |
5.0 |
5.5 |
В |
Напряжение хранение регистра данных |
VOH |
|
2.0 |
- |
6.0 |
В |
Входной ток утечки |
ILI |
VI=VDD.См.прим.6 |
- |
0.05 |
2.0 |
мкА |
Выходной ток утечки |
ILO |
VI=VSS. См.прим. 6 |
- |
0.10 |
5.0 |
мкА |
Рабочий ток питания |
Iopr |
См.примечание 4 |
- |
11 |
15 |
мА |
Ток питания покоя |
IQ |
Режим ожидания, VOSC1=VCS=VRD=VDD |
- |
0.05 |
20.0 |
мкА |
Частота генерации |
fOSC |
Измеренное на кварце, 47.5% рабочего цикла. См. примечание 7. |
1.0 |
- |
10.0 |
МГц |
Внешняя тактовая частота |
fCL |
1.0 |
- |
10.0 |
МГц |
Сопротивление генератора с обратной связью |
Rf |
0.5 |
1.0 |
3.0 |
МОм |
ТТЛ |
Высокий уровень входного напряжения |
VIHT |
См. примечание 1. |
0.5 VDD |
- |
VDD |
В |
Низкий уровень Входного напряжения |
VILT |
См. примечание 1. |
VSS |
- |
0.2 VDD |
В |
Высокий уровень выходного напряжения |
VOHT |
IOH=-5.0 мА. См. примечание 1. |
2.4 |
- |
- |
В |
Низкий уровень выходного напряжения |
VOLT |
IOL=5.0 мА. См. примечание 1. |
- |
- |
VSS+0.4 |
В |
КМОП |
Высокий уровень входного напряжения |
VIHC |
См. примечание 2. |
0.8VDD |
- |
VDD |
В |
Низкий уровень Входного напряжения |
VILC |
См. примечание 2. |
VSS |
- |
0.2VDD |
В |
Высокий уровень выходного напряжения |
VOHC |
IOH=-2.0 мА. См. примечание 2. |
VDD-0.4 |
- |
- |
В |
Низкий уровень выходного напряжения |
VOLC |
IOL=1.6 мА. См. примечание 2. |
- |
- |
VSS+0.4 |
В |
Открытый коллектор |
Низкий уровень выходного напряжения |
VOLN |
IOL=-6.0 мА. См. примечание 5. |
- |
- |
VSS+0.4 |
В |
Триггер Шмидта |
Пороговое напряжение нарастающего фронта |
VT+ |
См. примечание 3. |
0.5VDD |
0.7VDD |
0.8*VDD |
В |
Пороговое напряжение заднего фронта |
VT- |
См. примечание 3. |
0.2VDD |
0.3VDD |
0.5VDD |
В |
Примечания:
D0…D7, A0, CS, RD, WR, VD0…VD7, VA0…VA15, VRD, VWR и VCE входы с ТТЛ-уровнями.
SEL1 и NT/PL входы с КМОП-уровнями. YD, XD0…XD3, XSCL, XECL, LP, WF, YSCL,YDIS и CLO выходы с КМОП-уровнями.
RES вход триггера Шмидта. Ширина импульса на RES должна быть не менее 200 мкс. Заметьте, что пульсации более нескольких секунд будут приводить к тому, что на ЖКД панель будет подано постоянное напряжение.
fOSC=10 МГц,нет загрузки (нет памяти дисплея), внутренний генератор символов, дисплей 256 на 200 пикселов. Рабочий ток питания может быть понижен приблизительно на 1 мА установкой CLO и дисплея в положение "выключено".
4.3 АС веменные диаграммы SED1335F
4.3.1 Временные характеристики интерфейса семейства 8080
Рисунок 30. Временные характеристики интерфейса семейства 8080
Ta=-20…75°C
Сигнал |
Символ |
Параметр |
VDD=4.5…5.5В |
VDD=2.7…4.5В |
Единица |
Условие |
мин |
макс |
мин |
макс |
A0, CS |
tAH8 |
Время задержки адреса |
10 |
- |
10 |
- |
нс |
CL = 100пФ |
tAW8 |
Время установки адреса |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
WR, RD |
tCYC |
Время системного цикла |
См. прим. |
- |
См. прим. |
- |
нс |
tCC |
Длительность импульса строба |
120 |
- |
150 |
- |
нс |
D0…D7 |
tDS8 |
Время установки данных |
120 |
- |
120 |
- |
нс |
tDH8 |
Время задержки данных |
5 |
- |
5 |
- |
нс |
tACC8 |
Время доступа RD |
- |
50 |
- |
80 |
нс |
tOH8 |
Время отключени выхода |
10 |
50 |
10 |
55 |
нс |
Примечание:
- Для команд управления памятью и управления системой: tCYC8 = 2tC + tCC + tCEA + 75 > tACV + 245
- Для всех остальных команд: tCYC8 = 4tC + tCC + 30
4.3.2 Временные характеристки интерфейса семейства 6800
Рисунок 31. Временные диаграммы интерфейса семейства 6800
Ta=-20…75°C
Сигнал |
Символ |
Параметр |
VDD=4.5…5.5В |
VDD=2.7…4.5В |
Единица |
Условие |
мин |
макс |
мин |
макс |
A0, CS, R/W |
tCYC6 |
Время системного цикла |
См. прим. |
- |
См. прим. |
- |
нс |
CL = 100 пФ |
tAW6 |
Время установки адреса |
0 |
- |
10 |
- |
нс |
tAH6 |
Время задержки адреса |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
D0…D7 |
tDS6 |
Время установки данных |
100 |
- |
120 |
- |
нс |
tDH6 |
Время задержки данных |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
tOH6 |
Время отключени выхода |
10 |
50 |
10 |
75 |
нс |
tACC6 |
Время доступа |
- |
85 |
- |
130 |
нс |
E |
tEV |
Длительность разрешающего импульса |
120 |
- |
150 |
- |
нс |
Примечание:
Для команд управления памятью и управления системой: tCYC6 = 2tC + tEW + tCEA + 75 > tACV + 245
Для всех остальных команд: tCYC6 = 4tC + tEW + 30
4.3.3 Временные характеристики чтения памяти дисплея
Рисунок 32. Временные диаграммы чтения памяти дисплея
Ta=-20…75°C
Сигнал |
Символ |
Параметр |
VDD=4.5…5.5В |
VDD=2.7…4.5В |
Единица |
Условие |
мин |
макс |
мин |
макс |
EXT Ж0 |
tC |
Период тактовой частоты |
100 |
- |
125 |
- |
нс |
СL = 100пФ |
VCE |
tW |
VCE длительность высокого уровня импульса |
tC -50 |
- |
tC -50 |
- |
нс |
tCE |
VCE длительность низ-кого уровня импульса |
2 tC -30 |
- |
2 tC -30 |
- |
нс |
VA0…VA15 |
tCYR |
Время цикла чтения |
3 tC |
- |
3 tC |
- |
нс |
tASC |
От времени установки адреса до заднего фронта VCE |
tC -70 |
- |
tC -100 |
- |
нс |
tAHC |
От заднего фронта VCE до времени задержки адреса |
2tC-30 |
- |
tC-40 |
- |
нс |
VRD |
tRCS |
От времени установки цикла чтения до заднего фронта VCE |
tC -45 |
- |
tC -60 |
- |
нс |
tRCH |
От переднего фронта VCE до времени задержки цикла чтения |
0.5 tC |
- |
0.5 tC |
- |
нс |
VD0…VD7 |
tACV |
Время доступа к адресу |
- |
3tC-100 |
- |
3tC-115 |
нс |
tCEA |
Время доступа к VCE |
- |
2tC-80 |
- |
2tC -90 |
нс |
tOH2 |
Задержка выдачи даныых |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
tCE3 |
Время от VCE до окончания данных |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
4.3.4 Временные характеристики записи в память дисплея
Рисунок 33. Временные диаграммы записи в память дисплея
Ta=-20…75°C
Сигнал |
Символ |
Параметр |
VDD=4.5…5.5В |
VDD=2.7…4.5В |
Единица |
Условие |
мин |
макс |
мин |
макс |
EXT Ж0 |
tC |
Период тактовой частоты |
100 |
- |
125 |
- |
нс |
СL = 100пФ |
VCE |
tW |
VCE длительность высокого уровня импульса |
tC -50 |
- |
tC -50 |
- |
нс |
tCE |
VCE длительность низкого уровня импульса |
2 tC -30 |
- |
2 tC -30 |
- |
нс |
VA0…VA15 |
tCYW |
Время цикла записи |
3 tC |
- |
3 tC |
- |
нс |
tAHC |
От заднего фронта VCE до времени задержки адреса |
2 tC -30 |
- |
tC -40 |
- |
нс |
tASC |
От времени установки адреса до заднего фронта VCE |
tC -70 |
- |
tC -100 |
- |
нс |
tCA |
От переднего фронта VCE до времени задержки адреса |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
tAS |
От времени задержки адреса до заднего фронта VWR |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
tAH2 |
От переднего фронта VWR до времени задержки адреса |
10 |
- |
10 |
- |
нс |
VWR |
tWCS |
От времени установки цикла записи до заднего фронта VCE |
tC -45 |
- |
tC -60 |
- |
нс |
tWCH |
От переднего фронта VCE до времени задерж-ки цикла записи |
0.5 tC |
- |
0.5 tC |
- |
нс |
VD0…VD7 |
tACV |
Время доступа к адресу |
- |
3 tC-100 |
- |
3 tC-115 |
нс |
tCEA |
Время доступа к VCE |
- |
2tC-80 |
- |
2tC -90 |
нс |
tOH2 |
Задержка выдачи даныых |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
tCE3 |
Время от VCE до окончания данных |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
Примечание:
VD0…VD7 входы/выходы с фиксацией. Несмотря на то, что шина имеет высокое сопротивление, VD0…VD7 сохраняет данные записи до тех пор, пока данные, прочитанные из памяти, помещены на шину.
4.3.5 Временные характеристики команды SLEEP IN
Рисунок 34. Временная диаграмма команды SLEEP IN
Ta=-20…75°C
Сигнал |
Символ |
Параметр |
VDD=4.5…5.5В |
VDD=2.7…4.5В |
Единица |
Условие |
мин |
макс |
мин |
макс |
WR |
tWRD |
Время задержки заднего фронта VCE |
См. прим.1 |
- |
См. прим.1 |
- |
нс |
СL = 100пФ |
tWRL |
Время задержки заднего фронта YDIS |
- |
См. прим.2 |
- |
См. прим.2 |
нс |
Примечания:
- tWRD = 18tC + tOSS + 40 (tOSS временная задержка от состояния ждущего режима до стабильной работы.
- tWRL = 36tC * [TC/R] * [L/F] + 70
4.3.6 Временные характеристики сигнала внешнего генератора
Рисунок 35. Временная диаграмма сигнала внешнего генератора
Ta=-20…75°C
Сигнал |
Символ |
Параметр |
VDD=4.5…5.5В |
VDD=2.7…4.5В |
Единица |
Условие |
мин |
макс |
мин |
макс |
EXT Ж0 |
tRCL |
Время нарастания внешнего импульса |
- |
15 |
- |
15 |
нс |
|
tFCL |
Время спада внешнего тактового импульса |
- |
15 |
- |
15 |
нс |
tWH |
Длительность высоко-го уровня внешнего импульса |
См. прим.1 |
См. прим.2 |
См. прим.1 |
См. прим.2 |
нс |
tWL |
Длительность низко-го уровня внешнего импульса |
См. прим.1 |
См. прим.2 |
См. прим.1 |
См. прим.2 |
нс |
tC |
Период внешнего тактового сигнала |
100 |
- |
125 |
- |
нс |
Примечания:
- (tC-tRCL-tFCL)*475/1000 < tWH ,tWL
- (tC-tRCL-tFCL)*525/1000 > tWH ,tWL
4.3.7 Выходные временные характеристики ЖКД
Следующие характеристики для 1/64 рабочего цикла.
Рисунок 36. Выходные временные характеристики ЖКД
Ta=-20…75°C
Сигнал |
Символ |
Параметр |
VDD=4.5…5.5В |
VDD=2.7…4.5В |
Единица |
Условие |
мин |
макс |
мин |
макс |
|
tr |
Время нарастания |
- |
30 |
- |
40 |
нс |
CL=100пФ |
tf |
Время спада |
- |
30 |
- |
40 |
нс |
XSCL |
tCX |
Время цикла импульса сдвига |
4tС |
- |
4tС |
- |
нс |
tWX |
Длительность импульса XSCL |
2tС-60 |
- |
2tС-60 |
- |
нс |
XD0-XD3 |
tDH |
Время задержки данных Х |
2tС-50 |
- |
2tС-50 |
- |
нс |
tDS |
Время установки данных Х |
2tС-100 |
- |
2tС-105 |
- |
нс |
LP |
tLS |
Время установки фиксации данных |
2tС-50 |
- |
2tС-50 |
- |
нс |
tWL |
Длительность импульса LP |
4tС-80 |
- |
4tС-120 |
- |
нс |
tLD |
Время задержки LP от XSCL |
0 |
- |
0 |
- |
нс |
WF |
tDF |
Допустимая задержка WF |
- |
50 |
- |
50 |
нс |
YD |
tDHY |
Время задержки данных Y |
2tС-20 |
- |
2tС-20 |
- |
нс |
Примечание:
SED1335F читает данные памяти дисплея по адресу верхнего левого угла экрана дисплея, затем сканирует по горизонтали до тех пор, пока адрес не увеличится до нижнего правого угла экрана дисплея. Поэтому, каждая строка данных Х-драйвера посылается, начиная с левой стороны строки дисплея.
|