Алгоритм программирования по последовательному каналу

Для программирования и проверки микроконтроллера ATmega103/L в последовательном режиме рекомендуется следующий алгоритм (формат 4-байтовых команд см. в таблице 39):

1. Выполнить последовательность включения питания:
   Подать на выводы VCC и GND напряжение питания, причем выводы RESET и SCK во время подачи питания должны быть на уровне 0. Если к выводам XTAL1 и XTAL2 не подсоединен кварцевый кристалл, то тактовый сигнал подается на вывод XTAL1. В ряде систем программирующий не может гарантировать нахождение вывода SCK на низком уровне в течение всего периода подачи питания. В этом случае на вывод RESET должен быть подан положительный импульс длительностью не менее двух циклов XTAL1 после того как на SCK будет установлен уровень 0.
2. Сделать выдержку не менее 20 мс и разрешить программирование в последовательном режиме посылкой на вывод PE0 (PDI/RXD).последовательной команды «Разрешить программирование».
3. При выдаче третьего байта команды «Разрешить программирование»., значение, установленное как вторым байтом ($ 53), будет возвращено в течение передачи третьего байта. Если значение $53 не будет возвращено необходимо подать на вывод SCK положительный импульс и вновь послать команду «Разрешить программирование». Если возврат значения $53 не будет получен в течение 32 попыток, то связь устанавливалась с неработающим устройством.
4. Если была выполнена очистка кристалла (выполняется если необходимо очистить Flash память) делается выдержка 10 мс, подается положительный импульс на вывод RESET и начинается выполнение алгоритма с пункта 2.
5. Flash память программируется сразу по одной странице. Страница загружается по одному байту подачей 7 младших битов адреса и байта данных вместе с командой «Загрузить страницу памяти программ». Страница памяти программ сохраняется загрузкой команды «Записать страницу памяти программ» вместе с 9 старшими битами адреса.
6. Матрица EEPROM программируется по одному байту загрузкой адреса и данных вместе с с соответствующей командой «Записать». Соответствующие ячейки памяти EEPROM, перед записью новых данных, автоматически очищаются. Следующий байт может быть записан через 4 мс (при напряжении питания 2,7 В) или через 1 мс мс (при напряжении питания 5,0 В).
7. Любой байт в области памяти может быть проверен командой «Читать», которая возвращает содержимое по заданному адресу через последовательный выход вывода PE1(PDO/TXD).
8. По полном завершении сеанса программирования, для перехода к нормальной работе, вывод RESET должен быть установлен на высокий уровень.
9. Выполнить последовательность отключения питания (при необходимости) Установить низкий уровень на выводе XTAL1 (если не использовался кварцевый кристалл).
   Установить высокий уровень на выводе RESET.
   Отключить напряжение питания VCC.

Таблица 38. Система команд программирования в последовательном режиме

Примечания:

a = старшие биты адреса

b = младшие биты адреса

H = 0 - младший байт, 1 - старший байт

o = выход данных

i = вход данных

x = состояние значения не имеет

1 = бит блокировки 1

2 = бит блокировки 2

3 = бит-предохранитель SUT0

4= бит-предохранитель SUT1

5= бит-предохранитель SPIEN

6= бит-предохранитель EESAVE

При последовательной записи в микроконтроллеры ATmega603/103 данные микроконтроллером ATmega 103 выбираются по нарастающему фронту на SCK.

При последовательном чтении данных из микроконтроллеров ATmega603/103 данные тактируются по падающему фронту на SCK. Объяснение представлено на Рис. 67.

Рис. 67. Временные диаграммы режима последовательного программирования

<-- Предыдущая страница

Оглавление

Следующая страница -->

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи