Временная диаграмма внешней памяти данных

Таблица 137. Характеристики внешней памяти данных (4.5 - 5.5В, без состояний ожидания)

	Обозначение	Параметр	Генератор 8МГц		Переменный генератор		Ед.изм.
			мин.	макс.	мин.	макс.
0	1/tCLCL	Частота генератора			0.0	16	МГц
1	tLHLL	Длительность импульса ALE	115		1.0tCLCL-10		нс
2	tAVLL	Действительность адреса А до низкого уровня ALE	57.5		0.5tCLCL-5(1)		нс
3а	tLLAX_ST	Удержание адреса после установки низкого уровня на ALE во время записи	5		5		нс
3b	tLLAX_LD	Удержание адреса после установки низкого уровня на ALE во время чтения	5		5		нс
4	tAVLLC	Действительность адреса С до низкого уровня ALE	57,5		0.5tCLCL-5(1)		нс
5	tAVRL	Действительность адреса до низкого уровня на RD	115		1.0tCLCL-10		нс
6	tAVWL	Действительность адреса до низкого уровня на WR	115		1.0tCLCL-10		нс
7	tLLWL	Время после установки низкого уровня на ALE до появления низкого уровня на WR	47,5	67,5	0.5tCLCL-15(2)	0.5tCLCL+5(2)	нс
8	tLLRL	Время после установки низкого уровня на ALE до появления низкого уровня на RD	47,5	67,5	0.5tCLCL-15(2)	0.5tCLCL+5(2)	нс
9	tDVRH	Готовность данных до появления высокого уровня на RD	40		40		нс
10	tRLDV	Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD		75		1.0tCLCL-50	нс
11	tRHDX	Удержание данных после установки лог. 1 на RD	0		0		нс
12	tRLRH	Длительность импульса чтения RD	115		1.0tCLCL-10		нс
13	tDVWL	Врем готовности данных до появления лог. 0 на WR	42,5		0.5tCLCL-20(1)		нс
14	tWHDX	Удержание данных после подачи лог. 1 на WR	115		1.0tCLCL-10		нс
15	tDVWH	Действительность данных до появления лог.1 на WR	125		1.0tCLCL		нс
16	tWLWH	Длительность импульса записи WR	115		1.0tCLCL-10		нс

Прим.:

1. Здесь полагается 50%-ое заполнение синхронизирующих импульсов. Половина периода фактически равна длительности единичного импульса внешнего тактового сигнала на XTAL1.
2. Здесь полагается 50%-ое заполнение синхронизирующих импульсов. Половина периода фактически равна длительности нулевого импульса внешнего тактового сигнала на XTAL1.

Таблица 138. Характеристики внешней памяти данных с однотактным состоянием ожидания (4.5 - 5.5В)

	Обозначение	Параметр	Генератор 8МГц		Переменный генератор		Ед.изм.
			мин.	макс.	мин.	макс.
0	1/tCLCL	Частота генератора			0.0	16	МГц
10	tRLDV	Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD		200		2.0tCLCL-50	нс
12	tRLRH	Длительность импульса чтения RD	240		2.0tCLCL-10		нс
15	tDVWH	Действительность данных до появления лог.1 на WR	240		2.0tCLCL		нс
16	tWLWH	Длительность импульса записи WR	240		1.0tCLCL-10		нс

Таблица 139. Характеристики внешней памяти данных (4.5 - 5.5В, SRWn1 = 1, SRWn0 = 0)

	Обозначение	Параметр	Генератор 8МГц		Переменный генератор		Ед.изм.
			мин.	макс.	мин.	макс.
0	1/tCLCL	Частота генератора			0.0	16	МГц
10	tRLDV	Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD		325		3.0tCLCL-50	нс
12	tRLRH	Длительность импульса чтения RD	365		3.0tCLCL-10		нс
15	tDVWH	Действительность данных до появления лог.1 на WR	375		3.0tCLCL		нс
16	tWLWH	Длительность импульса записи WR	365		3.0tCLCL-10		нс

Таблица 140. Характеристики внешней памяти данных (4.5 - 5.5В, SRWn1 = 1, SRWn0 = 1)

	Обозначение	Параметр	Генератор 8МГц		Переменный генератор		Ед.изм.
			мин.	макс.	мин.	макс.
0	1/tCLCL	Частота генератора			0.0	16	МГц
10	tRLDV	Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD		325		3.0tCLCL-50	нс
12	tRLRH	Длительность импульса чтения RD	365		3.0tCLCL-10		нс
14	tWHDX	Удержание данных после подачи лог. 1 на WR	240		2.0tCLCL-10		нс
15	tDVWH	Действительность данных до появления лог.1 на WR	375		3.0tCLCL		нс
16	tWLWH	Длительность импульса записи WR	365		3.0tCLCL-10		нс

Таблица 141. Характеристики внешней памяти данных (2.7 - 5.5В, без состояний ожидания)

	Обозначение	Параметр	Генератор 4МГц		Переменный генератор		Ед.изм.
			мин.	макс.	мин.	макс.
0	1/tCLCL	Частота генератора			0.0	8	МГц
1	tLHLL	Длительность импульса ALE	235		1.0tCLCL-15		нс
2	tAVLL	Действительность адреса А до низкого уровня ALE	115		0.5tCLCL-10(1)		нс
3а	tLLAX_ST	Удержание адреса после установки низкого уровня на ALE во время записи	5		5		нс
3b	tLLAX_LD	Удержание адреса после установки низкого уровня на ALE во время чтения	5		5		нс
4	tAVLLC	Действительность адреса С до низкого уровня ALE	115		0.5tCLCL-10(1)		нс
5	tAVRL	Действительность адреса до низкого уровня на RD	235		1.0tCLCL-15		нс
6	tAVWL	Действительность адреса до низкого уровня на WR	235		1.0tCLCL-15		нс
7	tLLWL	Время после установки низкого уровня на ALE до появления низкого уровня на WR	115	130	0.5tCLCL-10(2)	0.5tCLCL+5(2)	нс
8	tLLRL	Время после установки низкого уровня на ALE до появления низкого уровня на RD	115	130	0.5tCLCL-10(2)	0.5tCLCL+5(2)	нс
9	tDVRH	Готовность данных до появления высокого уровня на RD	45		45		нс
10	tRLDV	Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD		190		1.0tCLCL-50	нс
11	tRHDX	Удержание данных после установки лог. 1 на RD	0		0		нс
12	tRLRH	Длительность импульса чтения RD	235		1.0tCLCL-15		нс
13	tDVWL	Время готовности данных до появления лог. 0 на WR	105		0.5tCLCL-20(1)		нс
14	tWHDX	Удержание данных после подачи лог. 1 на WR	235		1.0tCLCL-15		нс
15	tDVWH	Действительность данных до появления лог.1 на WR	250		1.0tCLCL		нс
16	tWLWH	Длительность импульса записи WR	235		1.0tCLCL-15		нс

Прим.:

1. Здесь полагается 50%-ое заполнение синхронизирующих импульсов. Половина периода фактически равна длительности единичного импульса внешнего тактового сигнала на XTAL1.
2. Здесь полагается 50%-ое заполнение синхронизирующих импульсов. Половина периода фактически равна длительности нулевого импульса внешнего тактового сигнала на XTAL1.

Таблица 142. Характеристики внешней памяти данных (2.7 - 5.5В, SRWn1 = 0, SRWn0 = 1)

	Обозначение	Параметр	Генератор 4МГц		Переменный генератор		Ед.изм.
			мин.	макс.	мин.	макс.
0	1/tCLCL	Частота генератора			0.0	8	МГц
10	tRLDV	Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD		440		2.0tCLCL-60	нс
12	tRLRH	Длительность импульса чтения RD	485		2.0tCLCL-15		нс
15	tDVWH	Действительность данных до появления лог.1 на WR	500		2.0tCLCL		нс
16	tWLWH	Длительность импульса записи WR	485		2.0tCLCL-15		нс

Таблица 143. Характеристики внешней памяти данных (2.7 - 5.5В, SRWn1 = 1, SRWn0 = 0)

	Обозначение	Параметр	Генератор 4МГц		Переменный генератор		Ед.изм.
			мин.	макс.	мин.	макс.
0	1/tCLCL	Частота генератора			0.0	8	МГц
10	tRLDV	Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD		690		3.0tCLCL-60	нс
12	tRLRH	Длительность импульса чтения RD	735		3.0tCLCL-15		нс
15	tDVWH	Действительность данных до появления лог.1 на WR	750		3.0tCLCL		нс
16	tWLWH	Длительность импульса записи WR	735		3.0tCLCL-15		нс

Таблица 144. Характеристики внешней памяти данных (2.7 - 5.5В, SRWn1 = 1, SRWn0 = 1)

	Обозначение	Параметр	Генератор 4МГц		Переменный генератор		Ед.изм.
			мин.	макс.	мин.	макс.
0	1/tCLCL	Частота генератора			0.0	8	МГц
10	tRLDV	Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD		690		3.0tCLCL-60	нс
12	tRLRH	Длительность импульса чтения RD	735		3.0tCLCL-15		нс
14	tWHDX	Удержание данных после подачи лог. 1 на WR	485		2.0tCLCL-15		нс
15	tDVWH	Действительность данных до появления лог.1 на WR	750		3.0tCLCL		нс
16	tWLWH	Длительность импульса записи WR	735		3.0tCLCL-15		нс

Рисунок 156. Временная диаграмма внешней памяти (SRWn1 = 0, SRWn0 = 0)

Рисунок 157. Временная диаграмма внешней памяти (SRWn1 = 0, SRWn0 = 1)

Рисунок 158. Временная диаграмма внешней памяти (SRWn1 = 1, SRWn0 = 0)

Рисунок 158. Временная диаграмма внешней памяти (SRWn1 = 1, SRWn0 = 1)⁽¹⁾

Прим.:

1. В последнем периоде (T4-T7) импульс ALE присутствует только в том случае, если следующая инструкция осуществляет доступ к ОЗУ (внутреннему или внешнему).

<-- Предыдущая страница

Оглавление

Следующая страница -->