Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Новая низкоиндуктивная конструкция IGBT модуля для больших токов и напряженийОчень интересной и многообещающей разработкой в высокомощной электронике (например 1.2 кА и 2.5/3.3 кА) является низкоиндуктивный FLIP-модуль (ABB Semiconductors, [6]) и SKiM20-модуль (без основной пластины) SEMIKRON (рис.1.64). Эти модули были разработаны специально для высоких мощностей. Поэтому, задачами разработчиков были в основном высокая надежность (способность выдерживать высокую мощность и температуру), хорошие характеристики рассеивания тепла (смещенные источники тепла / низкое тепловое сопротивление), минимизация индуктивностей в модуле и в его шинах, а также мягкие параметры отказа (взрывозащищенность посредством определенной площади распределения давления). На рис.1.64 показана основная сборка SKiM20-модуля последней версии такой конструкции.
Как и в других моделях SKiM на рис.1.57, SKiM20 не имеет основной пластины. Отсюда и основные преимущества, рассмотренные в п. 1.4.2.4 (рис.1.54). Полупроводниковые кристаллы расположены на трех маленьких площадках AIN керамической подложки. Одна керамическая подложка связана с элементом корпуса и элементом прижимной пружины, выполненной из пластмассы как и прижимная пластина форм подмодуля. Эта прижимная пружина придавливает подложку по всей ее площади к теплоотводу. Основные выводы каждого подмодуля припаяны к подложке. Управляющие и дополнительные выводы выполнены в виде прижимных контактов. Крышка корпуса также служит прижимным элементом.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|