Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Температура перехода при кратковременной работеКратковременная работа позволяет проводить большие токи в силовых полупроводниках, чем приведенные в справочных данных для продолжительной работы. Однако, возникающая при этом большая температура перехода не должна превышать максимальное значение 150°С. Температуру перехода можно рассчитать при помощи формул 3.9 и 3.10 в п. 3.2.2.1.Примеры: Единичный импульс мощности
Максимальное значение температуры перехода при t1: Температура перехода в период охлаждения: Эти формулы основаны на постоянной номинальной температуре корпуса. Единичная последовательность m импульсов мощности
Значение температуры перехода при t1: Значение температуры перехода при t2: Значение температуры перехода при tm: Эти формулы основаны на постоянной номинальной температуре корпуса.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|