Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET




Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 150 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF3315 TO-220AB DISCRETE N 150 70.0 21 15 63.3 31.3 1.6 94
IRF3315L TO-262 DISCRETE N 150 82.0 21 15 63.3 31.3 1.6 94
IRF3315S D2-Pak DISCRETE N 150 82.0 21 15 63.3 31.3 1.6 94
IRF3415 TO-220AB DISCRETE N 150 42.0 43 30 133.3 65.3 0.75 200
IRF3415L TO-262 DISCRETE N 150 42.0 43 30 133.3 65.3 0.75 200
IRF3415S D2-Pak DISCRETE N 150 42.0 43 30 133.3 65.3 0.75 3.8
IRF3515L TO-262 DISCRETE N 150 45.0 41 29 71.3 43.3 0.75 200
IRF3515S D2-Pak DISCRETE N 150 45.0 41 29 71.3 43.3 0.75 200
IRF5802 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE N 150 1200.0 0.9 0.7 4.5 2.4 62.5 2.0
IRF7451 SO-8 DISCRETE N 150 90.0 3.6 2.8 28.0 13.0 50 2.5
IRF7465 SO-8 DISCRETE N 150 280.0 1.9 1.5 10.0 5.0 50 2.5
IRF7494 SO-8 DISCRETE N 150 44.0 5.2 3.7 36.0 13.0 50 3.0
IRFB23N15D TO-220AB DISCRETE N 150 90.0 23 17 37.0 19.0 1.1 3.8
IRFB33N15D TO-220AB DISCRETE N 150 56.0 33 24 60.0 27.0 0.90 3.8
IRFB41N15D TO-220AB DISCRETE N 150 45.0 41 29 72.0 35.0 0.75 200
IRFB52N15D TO-220AB DISCRETE N 150 32.0 60 43 60.0 28.0 0.47 320
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFB61N15D TO-220AB DISCRETE N 150 32.0 60 42 95.0 45.0 0.45 330
IRFIB41N15D TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 150 45.0 41 29 72.0 35.0 0.75 200
IRFL4315 SOT-223 DISCRETE N 150 185.0 2.6 2.1 12.0 6.8 45 2.8
IRFP3415 TO-247AC DISCRETE N 150 42.0 43 30 133.3 65.3 0.75 200
IRFPS3815 Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 150 15.0 105 74 260.0 153.3 0.34 441
IRFR13N15D D-Pak DISCRETE N 150 180.0 14 9.8 19.0 9.4 1.75 86
IRFR18N15D D-Pak DISCRETE N 150 125.0 18 13 28.0 14.0 1.4 110
IRFR24N15D D-Pak DISCRETE N 150 95.0 24 17 30.0 17.0 1.1 140
IRFS23N15D D2-Pak DISCRETE N 150 90.0 23 17 37.0 19.0 1.1 3.8
IRFS33N15D D2-Pak DISCRETE N 150 56.0 33 24 60.0 27.0 0.90 3.8
IRFS41N15D D2-Pak DISCRETE N 150 45.0 41 29 72.0 35.0 0.75 200
IRFS52N15D D2-Pak DISCRETE N 150 32.0 60 43 60.0 28.0 0.47 320
IRFSL23N15D TO-262 DISCRETE N 150 90.0 23 17 37.0 19.0 1.1 3.8
IRFSL33N15D TO-262 DISCRETE N 150 56.0 33 24 60.0 27.0 0.90 3.8
IRFSL41N15D TO-262 DISCRETE N 150 45.0 41 29 72.0 35.0 0.75 200
IRFSL52N15D TO-262 DISCRETE N 150 32.0 60 43 60.0 28.0 0.47 320
IRFU13N15D I-Pak DISCRETE N 150 180.0 14 9.8 19.0 9.4 1.75 86
IRFU18N15D I-Pak DISCRETE N 150 125.0 18 13 28.0 14.0 1.4 110
IRFU24N15D I-Pak DISCRETE N 150 95.0 24 17 30.0 17.0 1.1 140
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRL3215 TO-220AB DISCRETE N 150 166.0 12 8.5 20.7 14.0 1.9 80
IRLI3615 TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 150 85.0 (95.0 для 4.5В) 14 9.8 93.3 35.3 3.3 45
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники