Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 300 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 10V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRF3000 |
SO-8 |
DISCRETE |
N |
300 |
400.0 |
1.6 |
1.3 |
22.0 |
11.0 |
50 |
2.5 |
| IRFB9N30A |
TO-220AB |
DISCRETE |
N |
300 |
450.0 |
9.3 |
5.9 |
22.0 |
80.0 |
1.3 |
96 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
