Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET




Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 500 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRC830 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 500 1500.0 4.5 3 38.0 22.0 1.7 74
IRC840 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 500 850.0 8 5.1 67.0 34.0 1.00 125
IRF820 TO-220AB DISCRETE N 500 3000.0 2.5 1.6 16.0 8.7 2.5 50
IRF820A TO-220AB DISCRETE N 500 3000.0 2.5 1.6 11.3 5.7 2.5 50
IRF820AL TO-262 DISCRETE N 500 3000.0 2.5 1.6 11.3 5.7 2.5 50
IRF820AS D2-Pak DISCRETE N 500 3000.0 2.5 1.6 11.3 5.7 2.5 50
IRF820S D2-Pak DISCRETE N 500 3000.0 2.5 1.6 16.0 8.7 2.5 50
IRF830A TO-220AB DISCRETE N 500 1400.0 5.0 3.2 16.0 7.3 1.7 74
IRF830AL TO-262 DISCRETE N 500 1400.0 5.0 3.2 16.0 7.3 1.7 74
IRF830AS D2-Pak DISCRETE N 500 1400.0 5.0 3.2 16.0 7.3 1.7 74
IRF830S D2-Pak DISCRETE N 500 1500.0 4.5 2.9 25.3 14.7 1.7 74
IRF840 TO-220AB DISCRETE N 500 850.0 8 5.1 42.0 21.3 1.00 125
IRF840A TO-220AB DISCRETE N 500 850.0 8.0 5.1 25.3 12.0 1.00 125
IRF840AL TO-262 DISCRETE N 500 850.0 8.0 5.1 25.3 12.0 1.00 125
IRF840AS D2-Pak DISCRETE N 500 850.0 8.0 5.1 25.3 12.0 1.00 125
IRF840LCL TO-262 DISCRETE N 500 850.0 8.0 5.1 26.0 12.7 1.00 125
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF840LCS D2-Pak DISCRETE N 500 850.0 8.0 5.1 26.0 12.7 1.00 125
IRF840S D2-Pak DISCRETE N 500 850.0 8 5.1 42.0 21.3 1.00 125
IRFB11N50A TO-220AB DISCRETE N 500 520.0 11 7 34.7 12.0 0.75 170
IRFB13N50A TO-220AB DISCRETE N 500 450.0 14 9.1 54.0 24.0 0.50 250
IRFB16N50K TO-220AB DISCRETE N 500 350.0 17 11 18.0 28.0 0.44 280
IRFB17N50L TO-220AB DISCRETE N 500 320.0 17 10 86.7 39.3 0.63 200
IRFB18N50K TO-220AB DISCRETE N 500 290.0 18 11 80.0 36.0 0.63 200
IRFB20N50K TO-220AB DISCRETE N 500 250.0 20 12 73.3 36.0 0.45 280
IRFBA22N50A Super 220 (TO-273AA) DISCRETE N 500 230.0 24 15 76.7 33.3 0.37 340
IRFD420 HEXDIP DISCRETE N 500 3000.0 0.46 0.26 16.0 8.7 120 1.3
IRFI820G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 500 3000.0 2.1 1.3 16.0 8.7 4.1 30
IRFI830G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 500 1500.0 3.1 2 25.3 14.7 3.6 32
IRFI840G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 500 850.0 4.6 2.9 44.7 22.7 3.1 40
IRFI840GLC TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 500 850.0 4.8 2.9 26.0 12.7 3.1 40
IRFIB5N50L TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 500 800.0 4.7 3 30.0 15.3 3.0 42
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFIB7N50A TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 500 520.0 6.6 4.2 34.7 12.0 2.1 60
IRFIB8N50K TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 500 350.0 6.7 4.2 16.0 29.3 2.76 45
IRFP22N50A TO-247AC DISCRETE N 500 230.0 22 14 80.0 34.7 0.45 277
IRFP23N50L TO-247AC DISCRETE N 500 235.0 23   100.0 48.0 0.34  
IRFP31N50L TO-247AC DISCRETE N 500 180.0 31 20 140.0 66.7 0.26 460
IRFP32N50K TO-247AC DISCRETE N 500 160.0 32 20 126.7 56.0 0.26 460
IRFP440 TO-247AC DISCRETE N 500 850.0 8.8 5.6 42.0 20.0 0.83 150
IRFP448 TO-247AC DISCRETE N 500 600.0 11 6.6 56.0 33.3 0.70 180
IRFP450 TO-247AC DISCRETE N 500 400.0 14 8.7 100.0 53.3 0.65 190
IRFP450A TO-247AC DISCRETE N 500 400.0 14 8.7 42.7 17.3 0.65 190
IRFP450N TO-247AC DISCRETE N 500 370.0 14 8.8 51.3 22.7 0.64 200
IRFP460 TO-247AC DISCRETE N 500 270.0 20 13 140.0 73.3 0.45 280
IRFP460A TO-247AC DISCRETE N 500 270.0 20 13 70.0 28.0 0.45 280
IRFP460AS SMD-247 DISCRETE N 500 270.0 20 13 70.0 28.0 0.45 280
IRFP460N TO-247AC DISCRETE N 500 240.0 20 13 82.7 38.0 0.45 280
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFP460P TO-247AC DISCRETE N 500 270.0 20 13 140.0 73.3 0.45 280
IRFPS35N50L Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 500 145.0 34 22 153.3 73.3 0.28 450
IRFPS37N50A Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 500 130.0 36 23 120.0 47.3 0.28 446
IRFPS40N50L Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 500 100.0 40 26 253.3 126.7 0.28 450
IRFPS43N50K Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 500 90.0 43 27 233.3 120.0 0.28 450
IRFR420 D-Pak DISCRETE N 500 3000.0 2.4 1.5 12.7 8.7 3 42
IRFS11N50A D2-Pak DISCRETE N 500 520.0 11 7 34.7 12.0 0.75 170
IRFSL11N50A TO-262 DISCRETE N 500 550.0 11 7 34.0 15.3 0.75 190
IRFU420 I-Pak DISCRETE N 500 3000.0 2.4 1.5 12.7 8.7 3.0 42
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники