Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 800 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 10V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRFBE20 |
TO-220AB |
DISCRETE |
N |
800 |
6500.0 |
1.8 |
1.2 |
25.3 |
14.0 |
2.3 |
54 |
| IRFBE30 |
TO-220AB |
DISCRETE |
N |
800 |
3000.0 |
4.1 |
2.6 |
52.0 |
30.0 |
2.0 |
125 |
| IRFBE30L |
TO-262 |
DISCRETE |
N |
800 |
3000.0 |
4.1 |
2.6 |
52.0 |
30.0 |
1.00 |
125 |
| IRFBE30S |
D2-Pak |
DISCRETE |
N |
800 |
3000.0 |
4.1 |
2.6 |
52.0 |
30.0 |
1.00 |
125 |
| IRFIBE20G |
TO-220 FullPak (Iso) |
DISCRETE |
N |
800 |
6500.0 |
1.4 |
0.86 |
25.3 |
14.0 |
4.1 |
30 |
| IRFIBE30G |
TO-220 FullPak (Iso) |
DISCRETE |
N |
800 |
3000.0 |
2.1 |
1.4 |
52.0 |
32.0 |
3.6 |
35 |
| IRFPE30 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
800 |
3000.0 |
4.1 |
2.6 |
52.0 |
32.0 |
1.00 |
125 |
| IRFPE40 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
800 |
2000.0 |
5.4 |
3.4 |
86.7 |
48.0 |
0.83 |
150 |
| IRFPE50 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
800 |
1200.0 |
7.8 |
4.9 |
133.3 |
73.3 |
0.65 |
190 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
