Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 900 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 10V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRFBF20S |
D2-Pak |
DISCRETE |
N |
900 |
8000.0 |
1.7 |
1.1 |
25.3 |
14.0 |
2.3 |
54 |
| IRFIBF20G |
TO-220 FullPak (Iso) |
DISCRETE |
N |
900 |
8000.0 |
1.2 |
0.79 |
25.3 |
14.0 |
4.1 |
30 |
| IRFIBF30G |
TO-220 FullPak (Iso) |
DISCRETE |
N |
900 |
3700.0 |
1.9 |
1.2 |
52.0 |
28.0 |
3.6 |
35 |
| IRFPF30 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
900 |
3700.0 |
3.6 |
2.3 |
52.0 |
28.0 |
1.00 |
125 |
| IRFPF40 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
900 |
2500.0 |
4.7 |
2.9 |
80.0 |
44.7 |
0.83 |
150 |
| IRFPF50 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
900 |
1600.0 |
6.7 |
4.2 |
133.3 |
73.3 |
0.65 |
190 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
