Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -60 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 10V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRF9Z14 |
TO-220AB |
DISCRETE |
P |
-60 |
500.0 |
-6.7 |
-4.7 |
8.0 |
3.4 |
3.5 |
43 |
| IRF9Z14S |
D2-Pak |
DISCRETE |
P |
-60 |
500.0 |
-6.7 |
-4.7 |
8.0 |
3.4 |
3.5 |
43 |
| IRF9Z24NL |
TO-262 |
DISCRETE |
P |
-60 |
175.0 |
-11 |
-7.7 |
12.7 |
6.7 |
2.5 |
60 |
| IRF9Z24S |
D2-Pak |
DISCRETE |
P |
-60 |
280.0 |
-11 |
-7.7 |
12.7 |
7.3 |
2.5 |
60 |
| IRF9Z34S |
D2-Pak |
DISCRETE |
P |
-60 |
140.0 |
-18 |
-13 |
22.7 |
10.7 |
1.7 |
88 |
| IRFD9014 |
HEXDIP |
DISCRETE |
P |
-60 |
500.0 |
-1.1 |
-0.8 |
8.0 |
3.4 |
120 |
1.3 |
| IRFD9024 |
HEXDIP |
DISCRETE |
P |
-60 |
280.0 |
-1.6 |
-1.1 |
12.7 |
7.3 |
120 |
1.3 |
| IRFL9014 |
SOT-223 |
DISCRETE |
P |
-60 |
500.0 |
-1.8 |
-1.1 |
8.0 |
3.4 |
60 |
2.0 |
| IRFR9014 |
D-Pak |
DISCRETE |
P |
-60 |
500.0 |
-5.1 |
-3.2 |
8.0 |
3.4 |
5 |
25 |
| IRFR9024 |
D-Pak |
DISCRETE |
P |
-60 |
280.0 |
-8.8 |
-5.6 |
12.7 |
7.3 |
3 |
42 |
| IRFU9014 |
I-Pak |
DISCRETE |
P |
-60 |
500.0 |
-5.1 |
-3.2 |
8.0 |
3.4 |
5.0 |
25 |
| IRFU9024 |
I-Pak |
DISCRETE |
P |
-60 |
280.0 |
-8.8 |
-5.6 |
12.7 |
7.3 |
3.0 |
42 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
