Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > National Prod. from TI

реклама
 




Мероприятия:




8.0 Характеристики устройства

8.1 Абсолютные максимальные номинальные значения

Абсолютные максимальные номинальные значения показывают пределы, превышение которых может привести к повреждению устройства.

Напряжение питания -0.5В…+7.0В
DC входное напряжение -0.5В…VCC + 0.5В
DC выходное напряжение -0.5В…VCC + 0.5В
Температура хранения -65°С…+150°С
Температура пайки (паяние 10 с) 260 °С
Номинальное значение ESD 1 4.5 КВ

1. Модель человеческого тела; 100 пФ разряжается через 1.5 КОм резистор.

8.2 DC электрические характеристики

(3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
Рабочие значения
VCC Напряжение питания 1   3.0 5.0 5.5 В
ICC1 Рабочий ток питания     30 40 мА
ICC2 Ток питания в режиме ожидания 2     5 10 мА
Iccq Ток в режиме Halt: работа при 3.3В 3     1 2 мкА
Ток в режиме Halt: работа при 5В 1     250 400 мкА
Tamb Диапазон рабочей температуры   0   +70 oC
Сигналы USB
VDI Чувствительность дифференциального входа (D+) – (D-) -0.2   0.2 В
VCM Диапазон общего дифференциального режима   0.8   2.5 В
VSE Порог приёмника   0.8   2.0 В
VOL Низкий уровень выходного напряжения RL = 1.5 КОм для 3.6В     0.3 В
VOH Высокий уровень выходного напряжения   2.8     В
IOZ Утечка трёх стабиль-ной линии данных 0В <VIN<3.3В -10   10 мкА
CTRN Ёмкость передатчика       20 пФ
Сигналы цифрового входа/выхода (RESET, MODE, CLKOUT, AD0-AD7, WR, RD, A0)
VOH Высокий уровень выходного напряжения IOH = -6 мА для(VCC = 5В) I OH = -4 мА для (V CC = 3.3В) 2.4     В
VOL Низкий уровень выходного напряжения IOL= 6 мА     0.4 В
VIH Высокий уровень входного напряжения   2.0     В
VIL Низкий уровень входного напряжения       0.8 В
IIL Низкий уровень входного тока VIN = GND     -10 мкА
IIH Высокий уровень входного тока VIN     10 мкА
IOZ Утечка трёх стабильной линии VOUT = VCC или GND -10   10 мкА
Сигналы входа / выхода осциллятора (XTALIN, XTALOUT)
VIH Входной высокий уровень переключения       1.8 В
VIL Входной низкий уровень переключения       1.0 В
CXIN Входная ёмкость 4       4.0 пФ
CXOUT Выходная ёмкость       4.0 пФ
Регулятор напряжения (3.3 В)
VO Выходное напряжение5   3.0   3.6 В


1. Включён внутренний регулятор напряжения.
2. CLKOUT не подключён и устройство не доступно.
3. Отключён внутренний регулятор напряжения.
4. Не тестировано. Гарантируется разработчиком.
5. Внутренний регулятор напряжения предназначен только для питания внутренних передатчиков и одной внешней нагрузки. Внешний развязывающий конденсатор подключён к этой ноге.

8.3 AC электрические характеристики

(3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



Символ Параметр Условия1 2 Мин Тип Макс Единицы
Скоростная передача сигналов (D+, D-)
TR Время нарастания CL = 50 пФ 4   20 нс
TF Время спада CL = 50 пФ 4   20 нс
TRFM Соотношение времён нарастания/спада (TR/TF) CL = 50 пФ 90   110 %
VCRS Переходное напряжение выходного сигнала CL = 50 пФ 1.3   2.0 В
ZDRV Сопротивление выходно-го драйвера (одно конечный) CL = 50 пФ 28   43 Ом
Выходные характеристики генератора тактовых импульсов (CLKOUT)
TR Выходное время нарастания CL = 50 пФ     10 нс
TF Выходное время спада CL = 50 пФ     10 нс
TCYCLE Выходной рабочий цикл FOUT< 48 МГц 45   55 %


1. Тестирование проведено для 50 Вт, а не для 45 Вт ± 15%, как определено в спецификации USB версии 1.1.
2. Временные характеристики измерены на уровне 10% и 90%.
Примечание: CKI в следующей таблице относится к внутреннему генератору тактовых импульсов устройства, а не к сигналу частоты приложенной к XIN.

8.4 Временные характеристики параллельного интерфейса (MODE1-0 = 00B)

(3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
tAS Время установки адреса CL = 50 пФ 0     нс
tAH Время задержки адреса CL = 50 пФ 0     нс
tRW Ширина импульса чтения 1 CL = 50 пФ 1/CKI     нс
tRC Время цикла чтения 2 3 CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
tRDV Действительные выходные данные после низкого уровня сигнала чтения CL = 50 пФ   20 30 нс
tRDH Задержка выходных данных после высокого уровня сигнала чтения CL = 50 пФ 2     нс
tWW Ширина импульса записи 1 CL = 50 пФ 1/CKI     нс
tWC Время цикла записи 2 3 CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
tDS Время установки входных данных CL = 50 пФ 25     нс
tDH Время задержки входных данных CL = 50 пФ 8     нс


1. Внутренний генератор тактовых импульсов: CKI = 48 МГц в этом устройстве.
2. Тактовые импульсы памяти: MCLK = CKI/4 =12 МГц.
3. Время до прихода следующего цикла чтения или записи.

Рисунок 25. Временные характеристики чтения в немультиплексорном режиме (Показана последовательность циклов чтения)



Примечание: Время установки tAS определено соответственно для первого перехода CS или RD. Все три сигнала могут переключатся в одно время.

Рисунок 26. Временные характеристики записи в немультиплексорном режиме (Показана последовательность циклов записи)



Примечание: Время установки tAS tAH определено соответственно для первого перехода CS или WR. Все три сигнала могут переключатся в одно время.

8.5 Временные характеристики параллельного интерфейса (MODE1-0 = 01B)

(3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
tAH Длительность высокого уровня ALE 1 CL = 50 пФ 1/CKI     нс
tCLAL Низкий уровень CS до низкого уровня ALE CL = 50 пФ 1/CKI     нс
tAVAL Действительный адрес до низкого уровня ALE CL = 50 пФ 10     нс
tAHAL Задержка адреса после низкого уровня ALE CL = 50 пФ 10     нс
tALRH Низкий уровень ALE до высокого уровня RD 2 CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
tRDLV Низкий уровень чтения до действительных данных CL = 50 пФ   20 30 нс
tRHDZ Задержка данных после высокого уровня чтения CL = 50 пФ 2   15 нс
tRL Ширина импульса чтения CL = 50 пФ 1/CKI     нс
tWHAH Высокий уровень записи до следующего высокого уровня ALE CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
tWHCH Высокий уровень записи до высокого уровня CS CL = 50 пФ 10     нс
tWL Ширина импульса записи CL = 50 пФ 1/CKI     нс
tDSWH Установка данных до высокого уровня WR CL = 50 пФ 25     нс
tDHWH Задержка данных после высокого уровня WR CL = 50 пФ 2     нс


1. Внутренний генератор тактовых импульсов: CKI = 48 МГц в этом устройстве.
2. Тактовые импульсы памяти: MCLK = CKI/4 =12 МГц.

Рисунок 27. Временные характеристики чтения в мультиплексорном режиме



Рисунок 28. Временные характеристики записи в мультиплексорном режиме



8.6 Временные характеристики поддержки DMA

(3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
tRHAL Высокий уровень запроса до низкого уровня ACK CL = 50 пФ 0     нс
tALWL Низкий уровень ACK до низкого уровня записи CL = 50 пФ 0     нс
tWW Ширина импульса записи CL = 50 пФ 1/CKI     нс
tWRL Высокий уровень записи до низкого уровня запроса CL = 50 пФ<     2/MCLK нс
tDWR Восстановление записи DMA 1 CL = 50 пФ     2/MCLK нс
tALRL Низкий уровень ACK до низкого уровня чтения CL = 50 пФ 0     нс
tRW Ширина импульса чтения CL = 50 пФ 1/CKI     нс
tRRL Высокий уровень чтения до низкого уровня запроса CL = 50 пФ     2/MCLK нс
tDRR Восстановление чтения DMA 1 CL = 50 пФ     2/MCLK нс


1. Если передача DMA не прервана записью или чтением. Если передача прервана, то используются два дополнительных цикла MCLK.

Рисунок 29. DMA запись в USBN9603/4



Рисунок 30. DMA чтение из USBN9603/4



8.7 Временные характеристики интерфейса MICROWIRE (MODE1-0 = 10B)

Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
tSKC Время цикла SK 1 CL = 50 пФ 4/MCLK     нс
tCC Временной промежуток между двумя последова-тельными 8 тактовыми циклами1 CL = 50 пФ 4/MCLK     нс
tSIH Время задержки последовательного входа CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
tSOV Время действительного последовательного выхода CL = 50 пФ     3/MCLK нс


1. Тактовые импульсы памяти: MCLK = CKI/4 =12 МГц.

Рисунок 31. Временные характеристики интерфейса MICROWIRE



Примечание: Первые 8 импульсов SK выдвигают текущее содержимое сдвигового регистра.

<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы National Products from TI,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники