http://catalog.gaw.ru

http://www.ramtron.com

Ramtron International Corporation

    Этот раздел подготовили и поддерживают специалисты фирмы ООО "АСД" - официального дистрибьютора компании Ramtron International Corporation в России, странах СНГ и странах Восточной Европы, с любезного разрешения администрации сайта,предоставившей таким образом возможность своим клиентам ознакомиться с самыми новыми, современными технологиями и приборами.

О фирме

    Ramtron International Corporation - молодая компания, являющаяся разработчиком технологии и мировым лидером в сфере разработки и производства электронных компонентов по запатентованной фирмой технологии FRAM® самого различного назначения. Фирма выпускает небольшой, но обладающий уникальными свойствами ассортимент энергонезависимых FRAM® приборов на основе усовершенствованного сегнетоэлектрического технологического процесса, включающий: Приборы FRAM® памяти с быстрым последовательным I²С и SPI интерфейсом, приборы FRAM® памяти с параллельным интерфейсом и приборов энергонезависимой логики. Приборы FRAM® памяти pin-to-pin совместимы со множеством приборов - прототипов других фирм и допускают прямую замену этих приборов с мгновенным улучшением характеристик всей системы и уже применяются в широчайшем спектре изделий. В настоящее время идет подготовка к запуску в производство целого ряда новых приборов, в том числе, содержащих часы реального времени, совмещенные с массивом FRAM® памяти на одном кристалле

    Компания Ramtron International Corporation была основана в 1984 году, для разработки сегнетоэлектрического технологического процесса и последующего изготовления и продажи полупроводниковых изделий памяти на его основе. Обширный портфель из 160 основных международных патентов защищает компанию и FRAM® технологию производства. Центральная штаб-квартира Ramtron International Corporation расположена в США, штат Колорадо, Колорадо Спрингс.

    Чтобы ускорить производство коммерческих изделий и внедрение FRAM® технологий, Ramtron использует литейные заводы и/или предоставляет соглашения лицензирования ведущим производителями памяти, включая, Infineon Technologies, (бывший Siemens Semiconductors), Cypress Semiconductor, Hitachi, Rohm, Toshiba, Fujitsu, Samsung, Asahi Chemical, IBM и Siemens. Это позволило уже в 1998 году начать промышленное производство первых серийных FRAM® приборов памяти.

    FRAM® память объединяет быстродействие и надежность широко используемых динамических и статических приборов оперативной памяти, со способностью хранить информацию без напряжения питания как у постоянной памяти, или ROM. Гарантируется 10^10 циклов записи,10 лет сохранения данных при +55°C. Все приборы имеют только промышленное исполнение для диапазона рабочих температур от -40°C до +85°C, высокую устойчивость к различным видам радиационного излучения, радио и магнитным полям. Все эти признаки никогда прежде не были доступны в совокупности в единственном полупроводником приборе памяти. FRAM® память - идеальная память для потребителя и индустриальных изделий электроники.

    FRAM® память уже нашла применение в различном офисном оборудовании: Лазерных принтерах, Деловых телефонах, Копировальном оборудовании, Видеомониторах, Почтовых приборах, Конфигурационных узлах RAID, Устройствах считывания магнитных карт, В устройствах передачи данных и телекоммуникациях: Кабельных модемах, Радиостанциях и радиомодемах, Сетевых конфигурационных узлах, Промышленных сетях передачи данных, Различных системах идентификации, Различных устройствах RF/ID, Пластиковых карточках, Путевых процессорах, Устройствах считывания штрихового кода, Различном медицинском оборудовании, Системах управления производственными процессом, Технологическом оборудовании, Индустриальном оборудовании, Навигационных и полетных приборах, Авиационных и Автомобильных "Черных ящиках", Испытательных и Измерительных системах, Лифтовом оборудовании, Дистанционных измерительных системах, Автомобильных коробках передач, Автомобильных воздушных мешках безопасности, Электронных швейных машинах, Системах безопасности и охранных сигнализациях.
В начало:>>

Основные характеристики FRAM® приборов I²С интерфейсом.

Тип Органи зация Длит. цикла записи байта Такт. частота (max) I ac(tip) I sb(tip) VCC FM24C04 512 x 8 20 µS 400 kHz 115 µА (100 kHz) 1 µА 5.0V FM24C16 2048 x 8 20 µS 400 kHz 115 µА (100 kHz) 1 µА 5.0V FM24C64 8192 x 8 (Анонс) 12,5 µS 1 MHz 115 µА (100 kHz) 1 µА 5.0V
	В начало:>>

Основные характеристики FRAM® приборов SPI интерфейсом.

Тип Организа ция Длит. цикла зап. байта Такт. частота (max) I ac (tip) I sb (tip) VCC FM25040 512 x 8 3,8 µS 2.1 MHz 1.6 mА(2.1 MHz) 1 µА 5.0V FM25160 2048 x 8 3,8 µS 2.1 MHz 1.6 mА (2.1 MHz) 1 µА 5.0V FM25C160 2048 x 8 1,6 µS 5 MHz 3.0 mА (5 MHz) 1 µА 5.0V FM25640 8192 x 8 1,6 µS 5 MHz 3.0 mА (5 MHz) 1 µА 5.0V
	В начало:>>

Основные характеристики параллельных FRAM® приборов.

Тип Организа ция Длит. цикла зап./ чтения Длит. цикла чтения I ac (tip) I sb (tip) VCC FM1608-120 8192 x 8 (Анонс) 180 nS 120 nS 5 mА 7 µА 5.0V FM1808-120 32768 x 8 (Анонс) 180 nS 120 nS 5 mА 7 µА 5.0V FM2008-55-S 131072 x 8 80 nS 55 nS 5 mА 7 µА 5.0V FM2008-70-S 131072 x 8 100 nS 70 nS 5 mА 7 µА 5.0V FM2008-55-P 131072 x 8 80 nS 55 nS 5 mА 7 µА 5.0V
	В начало:>>

Основные характеристики FRAM® приборов логики.

Готовящиеся к запуску в 2000 году приборы.

Таблица соответствия.

Мероприятия:

Новости фирмы