7.0 Описание блоков схем

7.1 Микропроцессорный интерфейс

7.1.1 Интерфейс системной шины

SEL1, SEL2, A0, RD, WR и CS используются в качестве управляющих сигналов для микропроцессорной шины данных. A0 обычно подключается к младшему биту системной шины адреса. SEL1 и SEL2 изменяют действие контактов RD и WR для разрешения интерфейса либо семейства 8080 либо семейства 6800, и должны иметь или нагрузочный резистр, или резистр утечки.

При использовании микропроцессором интерфейса семейства 8080, SED1335F обычно отображает данные в адресное пространство I/O.

7.1.1.1 Серии 8080

Таблица 26. Сигналы интерфейса серий 8080

7.1.1.2 Серии 6800

Таблица 27. Сигалы интерфейса серий 6800

7.1.2 Синхронизация микропроцессора

Интерфейс SED1335F работает на полной скорости шины, Завершая выполнение каждой команды за время цикла, tCYC. Быстродействие управляющего микропроцессора таким образом не уменьшается во время опроса или подтверждения связи, когда происходит доступ к SED1335F.

Мерцание изображения дисплея может происходить, если происходит более одного последовательного доступа, которые не могут быть проигнорированы внутри кадра. Микропроцессор может уменьшить мерцание либо выполнением этих доступов попеременно, или непрерывной проверкой флага статуса (D6) и ожиданием момента, когда он перейдёт в состояние "1".

7.1.2.1 Доступ к внутреннму регистру

Команды SYSTEM SET и SLEEP IN могут быть использованы для осуществления независимости входа/выхода SED1335F от системной тактовой частоты. Есть команды, которые могут быть использованы только, когда SED1335F в ждущем режиме.

7.1.2.2 Доступ к памяти дисплея

SED1335F поддерживает конвеерную форму работы, в которой, микропроцессор синхронизирует своя работу с временными диаграммами SED1335F. Во время записи микропроцессор сначала выпускает команду MWRITE. Затем, он неоднократно записывает данные в SED1335F, используя синхронизацию системной шины. Это обеспечивает то, что микропроцессор не замедляется, даже если время доступа к памяти дисплея ниже чем время доступа к системной шине. См. рисунок 58.

Во время чтения микропроцессор в начале посылает команду MREAD, которая вызывает загрузку первых прочитанных данных в выходной буффер SED1335F. Затем микропроцессор читает данные из SED1335F, используя синхронизацию системной шины. При каждым чтении, SED1335F читает следующий блок данных из памяти дисплея, готовой к следующему доступу для чтения. См. рисунок 59.

Рисунок 58. Цикл записи в память дисплея

Рисунок 59. Цикл чтения из памяти дисплея

Примечание: Возможна проблема во время цикла чтения из памяти дисплея, так как время доступа к системной шине, t_ACC, не зависит от время доступа к памяти дисплея, t_ACV. Микропроцессор может только повторять чтение, если время цикла чтения превышает время цикла SED1335F, t_CYC. Если это не так, то можно вставить команды NOP в програмный цикл. Ограничения t_ACC, t_ACV и t_CYC даны в разделе 4.3.

7.1.3 Примеры интерфейсов

7.1.3.1 Интерфейс Z80® c SED1335F

Рисунок 60. Интерфейс Z80 c SED1335F

Примечание: Z80® зарегестрированный торговый знак Zilog Corporation.

7.1.3.2 Интерфейс 6800 с SED1335F

Рисунок 61. Интерфейс 6800 с SED1335F

7.2 Интерфейс памяти дисплея

7.2.1 Статическая память RAM

Рисунок, приведённый ниже, показывает интерфейс между 8Кx8 статической памятью RAM и SED1335F.

Рисунок 62. Интерфейс статической памяти RAM

7.2.2 Ток питания во время доступа к памяти дисплея

24 линии адреса и данных SED1335F работают на частоте равной 1/3 частоты генератора, f_OSC. Ток заряда и разряда на этих контактах, I_VOP, дан ниже в виде равенства. Когда I_VOP превышает I_OPR, он может быть приблизительно оценён:

I_VOP = C V f

Если V_OPR=5В, f =1.0 МГц и ёмкость шины памяти дисплея 1.0 пФ на линию, то:

I_VOP < 120 мкА / МГц * пФ.

Для снижения тока, текущего во время доступов к памяти дисплея, важно использовать маломощную память, а также уменьшить количество устройств и паразитную ёмкость.

7.3 Схема генератора

SED1335F содержит схему генератора. Стабильный генератор может быть построен просто подключением кварца и двух конденсаторов к OSC1 и OSC2, как показано на рисунке ниже. Если частота генератора возросла, то CD и CG должны быть пропорционально уменьшены.

Заметьте, что токоведущие линни к OSC1 и OSC2 должны быть как можно короче, для предотвращения проводной ёмкости от изменения частоты генератора или повышения потребляемой мощности.

Рисунок 63. Кварцевый генератор

7.4 Флаг статуса

SED1335F имеет одно битовый флаг статуса.

D6: строка Х в режиме ожидания

Рисунок 64. Флаг статуса

Флаг статуса D6 равен "0" для TC/R - C/R циклов в конце каждой строки, где SED1335F не читает память дисплея. Микропроцессор может использовать этот период, для обновления памяти дисплея не оказывая воздействия на изображение; однако, рекомендуется, чтобы дисплей был выключен во время обновления всего изображения.

Рисунок 65. Временное различие между C/R и T/CR.

7.5 Сброс

SED1335F требует импульса сброса, длительностью не менее 200 мкс, после включения питания, чтобы проинизиализировать его внутренние состояния.

Во время сброса, сигналы управления ЖКД XD, LP и FR задерживаються.

Для большей надёжности, не рекомендуется применять прикладывать постоянное напряжение к ЖКД во время сброса. Выключите источники питания ЖКД не менее чем через один кадр после начала импульса сброса.

SED1335F не посылает команд во время сброса. Команды для инициализации внутренних регистров должны быть посланы вскоре после сброса.

Задержка в 3 мс (максимум) требуется для обеспечения следования передних фронтов RES и V_DD, обеспечивая стабилизацию системы.

Рисунок 66. Блок-схема для проверки флага занятости

Рисунок 67. Временная диаграмма сброса