Поиск по сайту:
По базе:
Микросхемы
-
DOC
-
ЖКИ
-
Источники питания
-
Электромеханика
-
Интерфейсы
-
Программы
-
Применения
-
Статьи
Фирмы
Alliance Semicon
Altera
Amic
Analog Devices
Atmel
Austriamicrosystems
Avago
Colibrys
Cree
Cypress
Exar
Fairchild
Freescale
Fujitsu
Hynix
Holtek
IMP
Infineon
Inova
IR
ИС управления
Оптоизоляторы
Диоды
Мосты
Тиристоры
MOSFET
IGBT Модули
Комплексные решения
Hi-rel ИС
Кристаллы
Новости
IXYS
Linear Technology
MagnaChip
Maxim
Megawin
Microchip
Миландр
National Prod. from TI
Nuvoton
NXP Semicon.
Power Integrations
Radiocrafts
Ramtron
Rayson
ROHM
Semikron
Sensonor
Silicon Lab
Sirenza
STMicro
SonyEricsson
Telecontrolli
Telit
TechFaith Wireless
Texas Insrt
TranSystem Inc.
Trimble
Xilinx
White Eleсtronic
WAVECOM
Wonde Proud Tech.
реклама
Разное:
Строительство
домов и коттеджей
Главная страница
>
Компоненты
>
International Rectifier
>
MOSFET
http://catalog.gaw.ru
http://www.irf.com/
Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET®
на напряжение -12 В
на напряжение -20 : -25 В
на напряжение -30 В
на напряжение -40 В
на напряжение -55 В
на напряжение -60 В
на напряжение -100 В
на напряжение -150 В
на напряжение -200 В
на напряжение -400 В
реклама
Мероприятия:
Новости фирмы
Впервые?
|
Реклама на сайте
|
О проекте
|
Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:
info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники