SS14 и SS34 — диоды Шоттки для поверхностного монтажа

SS14 и SS34 — диоды Шоттки, которые чаще всего встречаются на платах с импульсными преобразователями и защитой от переполюсовки. SS14 — SMD-аналог выводного 1N5819: серия SS1x рассчитана на 1 А в корпусе SMA, а SS3x — на 3 А в корпусе SMC. Разбираем по даташитам Vishay.

Обновлено 16 октября 2026 г.Редакция GAW

Содержание

Маркировка
Параметры
На что смотреть

SS12–SS16 и SS32–SS36 (Vishay) — диоды Шоттки для поверхностного монтажа. Цифра после «SS» обозначает ток (1 — 1 А, 3 — 3 А), последняя — напряжение в десятках вольт: SS14 — 1 А и 40 В, SS34 — 3 А и 40 В. Vishay рекомендует их для низковольтных высокочастотных преобразователей, цепей рекуперации тока индуктивности, DC-DC и защиты от переполюсовки.

Маркировка

Полоса на корпусе — катод. Коды маркировки по даташитам Vishay одинаковые у обеих серий:

Код	Серия SS1x (SMA, 1 А)	Серия SS3x (SMC, 3 А)	Напряжение
S2	SS12	SS32	20 В
S3	SS13	SS33	30 В
S4	SS14	SS34	40 В
S5	SS15	SS35	50 В
S6	SS16	SS36	60 В

Поэтому деталь с надписью S4 — это SS14 или SS34 в зависимости от размера корпуса: SMC (DO-214AB) крупнее SMA (DO-214AC). Коды маркировки не стандартизованы между производителями: у диода другой фирмы с тем же кодом параметры сверяют по его даташиту.

Параметры

По даташитам Vishay при 25 °C:

Параметр	SS12–SS16	SS32–SS36
Корпус	SMA (DO-214AC)	SMC (DO-214AB)
Средний прямой ток	1,0 А	3,0 А
Импульс тока, полусинус 8,3 мс	40 А	100 А
Прямое падение, не больше	0,50 В (до 40 В) и 0,75 В (50–60 В) при 1 А	0,5 В (до 40 В) и 0,75 В (50–60 В) при 3 А
Обратный ток при 25 °C	до 0,2 мА	до 0,5 мА
Обратный ток при 100 °C	до 6,0 мА (до 40 В), 5,0 мА (50–60 В)	до 20 мА (до 40 В), 10 мА (50–60 В)
Тепловое сопротивление кристалл–воздух	88 °C/Вт на площадках 5 × 5 мм	55 °C/Вт на площадках 14 × 14 мм
Температура кристалла	−65…+150 °C	−55…+150 °C

Исполнения с суффиксами HE3 и HM3 квалифицированы по AEC-Q101 для автомобильной электроники.

На что смотреть

Падение напряжения. Главное достоинство Шоттки — малое падение: SS34 теряет не больше 0,5 В при 3 А, то есть до 1,5 Вт. Модели на 50–60 В уже теряют до 0,75 В — их берут только там, где не хватает 40 В.

Утечка. Обратный ток Шоттки на порядки больше, чем у обычных диодов, и быстро растёт с нагревом: у SS34 — от 0,5 мА при 25 °C до 20 мА при 100 °C. При 40 В в обратном направлении это 0,8 Вт только на утечке. В горячем корпусе и при высоком обратном напряжении это нужно учитывать, иначе нагрев от утечки увеличивает утечку ещё больше.

Теплоотвод. Тепловое сопротивление в даташите указано для конкретных медных площадок: 5 × 5 мм у SMA и 14 × 14 мм у SMC. С меньшей площадкой диод нагреется сильнее, поэтому под SS34 на плате оставляют побольше меди.

Выводной аналог на 1 А — 1N5819 в корпусе DO-41: падение до 0,6 В при 1 А против 0,5 В у SS14 — в карточке 1N4007, 1N4148, 1N5819. Другие диоды — в разделе «Диоды».

Частые вопросы

Что за диод с маркировкой S4?

По даташитам Vishay код S4 носят и SS14 в корпусе SMA, и SS34 в корпусе SMC — коды S2–S6 у обеих серий одинаковые и соответствуют напряжению 20–60 В. Различить их можно по размеру корпуса: SMC заметно крупнее SMA. Код маркировки зависит от производителя, поэтому деталь другого изготовителя сверяют по его даташиту.

Чем SS14 отличается от SS34?

Током и корпусом при одинаковом ряде напряжений. SS12–SS16 по Vishay рассчитаны на 1 А со всплеском до 40 А в корпусе SMA, SS32–SS36 — на 3 А со всплеском до 100 А в корпусе SMC. Падение напряжения одинаковое — до 0,5 В у моделей до 40 В, — но у SS34 оно задано при токе 3 А, а у SS14 — при 1 А.

Можно ли заменить 1N5819 на SS14?

Да, если подходит корпус: обе детали — диоды Шоттки на 1 А и 40 В. По даташитам Vishay SS14 теряет не больше 0,5 В при 1 А, 1N5819 — не больше 0,6 В. Отличие — в монтаже: SS14 в корпусе SMA для поверхностного монтажа, 1N5819 — выводной DO-41.

Почему диод Шоттки греется даже в закрытом состоянии?

Из-за утечки, которая быстро растёт с температурой. По даташиту Vishay у SS34 обратный ток — до 0,5 мА при 25 °C, но до 20 мА при 100 °C. При 40 В на диоде это 0,8 Вт только на утечке — она дополнительно нагревает кристалл, и при плохом теплоотводе процесс может пойти вразнос.

Источники

Vishay General Semiconductor. SS12, SS13, SS14, SS15, SS16: Surface-Mount Schottky Barrier Rectifier (doc. 88746, revision 23-Apr-2020) — корпус SMA (DO-214AC), полоса — катод; маркировка S2–S6; VRRM 20–60 В; IF(AV) 1,0 А; IFSM 40 А; TJ −65…+150 °C; VF не больше 0,50 В у SS12–SS14 и 0,75 В у SS15–SS16 при 1 А; IR до 0,2 мА при 25 °C, до 6,0 мА у SS12–SS14 и 5,0 мА у SS15–SS16 при 100 °C; RθJA 88 и RθJL 28 °C/Вт на площадках 5 × 5 мм; исполнения HE3 и HM3 по AEC-Q101
Vishay General Semiconductor. SS32, SS33, SS34, SS35, SS36: Surface-Mount Schottky Barrier Rectifier (doc. 88751, revision 23-Apr-2020) — корпус SMC (DO-214AB); маркировка S2–S6; VRRM 20–60 В; IF(AV) 3,0 А; IFSM 100 А; EAS 20 мДж; TJ −55…+150 °C; VF не больше 0,5 В у SS32–SS34 и 0,75 В у SS35–SS36 при 3 А; IR до 0,5 мА при 25 °C, до 20 мА у SS32–SS34 и 10 мА у SS35–SS36 при 100 °C; RθJA 55 и RθJL 17 °C/Вт на площадках 14 × 14 мм
Vishay. 1N5817, 1N5818, 1N5819: Schottky Barrier Plastic Rectifier (doc. 88525, revision 01-Jul-2020) — для сравнения: выводной DO-41, 1 А, 20–40 В, падение 0,45–0,6 В при 1 А

Нашли ошибку?