Перейти к содержанию

BT136 и BT139 — симисторы на 4 А и 16 А

BT136 и BT139 — симисторы в корпусе TO-220 на 600 В, из которых собирают регуляторы нагревателей, диммеры и самодельные твердотельные реле для сети 230 В. Отличаются они током — 4 и 16 А, — а буква в конце названия задаёт чувствительность управляющего электрода. Разбираем по даташитам WeEn Semiconductors — компании, выделенной из NXP, — выводы, квадранты, нагрев и управление от микроконтроллера.

Обновлено Редакция GAW

Содержание

Симистор — это два встречно включённых тиристора с общим управляющим электродом: короткий импульс тока в управляющий электрод открывает его для тока любого направления, а дальше он проводит сам, пока ток нагрузки не упадёт почти до нуля, то есть до ближайшего перехода тока через ноль. Поэтому симистор — ключ для переменного тока: снять управление недостаточно, он выключится только в конце полупериода. Подробнее — в статье «Симистор» и в ответе «Чем отличается транзистор от тиристора?».

Коротко

  • Напряжение — 600 В в закрытом состоянии у всех исполнений с цифрами 600 в названии.
  • Ток — 4 А у BT136 и 16 А у BT139, но только при фланце не горячее 107 и 99 °C; у исполнений X в TO-220F — при радиаторе не горячее 92 и 38 °C.
  • Отпирающий ток управления в квадрантах I–III — до 35 мА у стандартных, до 10 мА у исполнений E, до 5 мА у BT136-600D.
  • Фланец — соединён с выводом T2, то есть находится под сетевым напряжением; исключение — исполнения X в TO-220F с изолированным фланцем.

Распиновка

BT136 и BT139 в корпусе TO-220AB, вид спереди: 1 главный вывод T1, 2 главный вывод T2, 3 управляющий электрод, фланец соединён с T2TO-220, вид спередиBT1361T12T23Gфланец — T2
BT136 и BT139 в корпусе TO-220AB, вид спереди: 1 — T1, 2 — T2, 3 — управляющий электрод G; фланец соединён с T2

Цоколёвка одинакова у BT136 и BT139 всех исполнений. Управляющий ток и напряжение отсчитывают от вывода T1: он общий для цепи управления и силовой цепи. Фланец соединён с T2, поэтому радиатор без изолирующей прокладки окажется под сетевым напряжением. У исполнений с буквой X (BT136X-600F, BT139X-600F) корпус TO-220F полностью пластиковый, фланец ни с чем не соединён, а изоляция выводов от радиатора рассчитана на 2500 В действующего значения.

Исполнения

Цифры 600 в названии — напряжение, буква — чувствительность управляющего электрода. Наибольший отпирающий ток управления IGT — ток управляющего электрода, который гарантированно открывает симистор, — при 25 °C по даташитам WeEn:

МодельКорпусI (T2+ G+)II (T2+ G−)III (T2− G−)IV (T2− G+)
BT136-600TO-220AB35 мА35 мА35 мА70 мА
BT136X-600FTO-220F, изолированный25 мА25 мА25 мА70 мА
BT136-600ETO-220AB10 мА10 мА10 мА25 мА
BT136-600DTO-220AB5 мА5 мА5 мА10 мА
BT139-600TO-220AB35 мА35 мА35 мА70 мА
BT139X-600FTO-220F, изолированный25 мА25 мА25 мА70 мА
BT139-600ETO-220AB10 мА10 мА10 мА25 мА

Исполнения E и D WeEn предназначает для прямого управления от микроконтроллеров и логических микросхем. Платой за чувствительность стала стойкость к помехам на силовых выводах — скорость нарастания напряжения dVD/dt, от которой закрытый симистор включится сам, и коммутационная dVcom/dt, о которой ниже. Ток включения IL (latching current) — ток через симистор, который должен установиться к концу импульса управления, чтобы симистор остался открытым:

МодельТок включения IL, I/II/III/IVТок удержания IHdVD/dt при 125 °CdVcom/dt
BT136-60020/30/20/30 мА15 мАне меньше 100 В/мкс50 В/мкс типично
BT136X-600F20/30/20/30 мА15 мАне меньше 50 В/мкс50 В/мкс типично
BT136-600E15/20/15/20 мА15 мА50 В/мкс типичноне указана
BT136-600D10/15/10/15 мА10 мА5 В/мкс типично, с резистором 1 кОм между G и T1не указана
BT139-60040/60/40/60 мА45 мАне меньше 200 В/мксне меньше 10 В/мкс
BT139X-600F40/60/40/60 мА45 мАне меньше 50 В/мкс20 В/мкс типично
BT139-600E30/40/30/40 мА30 мА50 В/мкс типичноне указана

Изолированный корпус ухудшает теплоотвод: BT136X-600F держит 4 А при температуре радиатора до 92 °C, а BT139X-600F — 16 А только при радиаторе не горячее 38 °C. У некоторых моделей есть варианты с суффиксом /DG, например BT136-600/DG, — это корпус без галогенов.

Параметры

По даташитам WeEn для стандартных исполнений при 25 °C, если не сказано иное:

ПараметрBT136-600BT139-600
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM600 В600 В
Действующий ток IT(RMS), полная синусоида4 А при фланце до 107 °C16 А при фланце до 99 °C
Неповторяющийся ток ITSM, один период 20 мс / 16,7 мс25 / 27 А155 / 170 А
I²t для выбора предохранителя, 10 мс3,1 А²с120 А²с
Скорость нарастания тока при включении dIT/dt50 А/мкс в квадрантах I–III при IG = 70 мА, 10 А/мкс в IV при 140 мА50 А/мкс в квадрантах I–III при IG = 70 мА, 10 А/мкс в IV при 140 мА
Напряжение в открытом состоянии VT, не больше1,7 В при 5 А1,6 В при 20 А
Отпирающее напряжение управления VGT, не больше1 В1 В
Наименьшее VGT при 125 °C и 400 В0,25 В0,25 В
Ток утечки при 600 В и 125 °C, не больше0,5 мА0,5 мА
Время включения tgt, типично2 мкс2 мкс
Импульсный ток управляющего электрода IGM2 А2 А
Импульсная мощность управления PGM5 Вт5 Вт
Средняя мощность управления PG(AV) за любые 20 мс0,5 Вт0,5 Вт
Тепловое сопротивление кристалл–фланец, полный период / полупериод3 / 3,7 °C/Вт1,2 / 1,7 °C/Вт
Тепловое сопротивление кристалл–воздух, типично60 °C/Вт60 °C/Вт
Температура кристалла, не больше125 °C125 °C

Запас по напряжению для сети 230 В большой: амплитуда сети — около 325 В, а симистор держит 600 В. Неповторяющийся ток ITSM — это перегрузка, которую симистор выдержит изредка, а не рабочий режим; при перегрузке в несколько периодов допустимый ток меньше — его зависимость от числа периодов приведена на рис. 4 даташитов. Параметр I²t WeEn приводит для подбора плавкой вставки (I²t for fusing): по общепринятой практике I²t отключения предохранителя должен быть меньше I²t симистора.

Квадранты и ток управления

Квадрант — это сочетание полярностей напряжения на T2 и тока управляющего электрода, обе относительно T1. Симисторы BT136 и BT139 включаются во всех четырёх квадрантах, но неравноценно. В IV квадранте (T2−, G+) нужен в 2–2,8 раза больший отпирающий ток (у X-600F — 70 мА против 25 мА), а допустимая скорость нарастания тока нагрузки в пять раз меньше: 10 А/мкс против 50 А/мкс. Эти скорости WeEn задаёт при определённом токе управления IG: 70 и 140 мА у стандартных исполнений, 50 и 140 мА у X-600F, 20 и 50 мА у E, 10 и 20 мА у BT136-600D. Поэтому схему управления строят так, чтобы работать в квадрантах I–III. Как этого добиться, следует из полярностей, а не из схем в даташитах:

  • Через оптосимистор — квадранты I и III получаются сами: ток в управляющий электрод приходит с вывода T2 и меняет направление вместе с полярностью сети.
  • Постоянным током от микроконтроллера — выгоднее отрицательная полярность: плюс питания микроконтроллера соединяют с T1, а его вывод через резистор тянет управляющий электрод вниз. Ток вытекает из управляющего электрода, и симистор работает в квадрантах II и III. Если же соединить с T1 общий провод микроконтроллера и подавать положительный ток, на отрицательной полуволне симистор попадёт в IV квадрант.

Токи в таблицах заданы при 25 °C. На холоде нужно больше: по рис. 7 даташитов при −40 °C отпирающий ток управления вырастает примерно в 1,4–2,4 раза в зависимости от квадранта, сильнее всего в IV. Ток удержания по рис. 9 при −40 °C — примерно в 1,75 раза больше, чем при 25 °C. А при горячем кристалле, наоборот, симистор включается легче: при 125 °C ему может хватить 0,25 В на управляющем электроде, поэтому наводки на эту цепь опасны.

Ток включения и ток удержания. Импульс управления должен длиться, пока ток нагрузки не превысит ток включения IL — до 20–30 мА у BT136-600 и до 40–60 мА у BT139-600. Если импульс закончится раньше, симистор выключится. Дальше он проводит без управления, пока ток больше тока удержания IH — до 15 и 45 мА. Для маломощной нагрузки в десятки миллиампер BT139 может не защёлкнуться вовсе — тут нужен BT136 или чувствительное исполнение.

Нагрев и радиатор

Номинальные 4 и 16 А — это ток при фланце, охлаждённом до 107 и 99 °C. Сколько симистор при этом выделяет, показывает рис. 3 даташита — мощность от действующего тока для разных углов проводимости. При полной синусоиде (угол 180°) это 6 Вт у BT136 при 4 А и около 22 Вт у BT139 при 16 А; правая шкала того же графика сразу даёт наибольшую допустимую температуру фланца.

Те же числа получаются из линейной модели открытого симистора с рис. 10: u = Vo + Rs · i, где Vo = 1,27 В и Rs = 0,091 Ом у BT136, 1,195 В и 0,018 Ом у BT139. Усреднив мощность за период, получаем

P=Vo⋅IT(AV)+Rs⋅IT(RMS)2,IT(AV)=IT(RMS)1,11,P = V_o \cdot I_{T(AV)} + R_s \cdot I_{T(RMS)}^2, \qquad I_{T(AV)} = \frac{I_{T(RMS)}}{1{,}11},

где 1,11 — коэффициент формы полной синусоиды из таблицы на рис. 3. Для BT136 при 4 А: 1,27 · 3,6 + 0,091 · 16 ≈ 6,0 Вт — совпадает с графиком.

Пример: обогреватель 2 кВт. Ток при 230 В — 2000 / 230 ≈ 8,7 А, это больше 4 А, значит BT139. Мощность по формуле:

P=1,195⋅8,71,11+0,018⋅8,72≈9,37+1,36≈10,7 Вт,P = 1{,}195 \cdot \frac{8{,}7}{1{,}11} + 0{,}018 \cdot 8{,}7^2 \approx 9{,}37 + 1{,}36 \approx 10{,}7\ \text{Вт},

по графику на рис. 3 — столько же. Предельную температуру кристалла 125 °C Vishay в заметке о фотосимисторах советует не закладывать в расчёт и даже не приближаться к ней, поэтому возьмём 110 °C, а воздух внутри корпуса прибора — 40 °C. Тепловое сопротивление от фланца до воздуха, то есть прокладки и радиатора вместе, должно быть не больше

Rth(mb-a)≤110−10,7⋅1,2−4010,7≈5,3 °C/Вт.R_{th(mb\text{-}a)} \le \frac{110 - 10{,}7 \cdot 1{,}2 - 40}{10{,}7} \approx 5{,}3\ \text{°C/Вт}.

Тепловое сопротивление изолирующей прокладки берут из её документации и вычитают — остаток и есть требование к радиатору. Ток нагревателя растёт вместе с напряжением: если сеть окажется на 10 % выше, 253 В, ток станет около 9,6 А, мощность на симисторе — около 11,9 Вт, а требование к прокладке с радиатором — не больше 4,7 °C/Вт. Тот же расчёт для других чисел — в калькуляторе радиатора.

Без радиатора. Тепловое сопротивление кристалл–воздух у обоих симисторов — типично 60 °C/Вт. При 40 °C внутри прибора до 125 °C кристалл нагреется уже на (125 − 40) / 60 ≈ 1,4 Вт. По формуле выше это около 1,1 А для BT136 и 1,3 А для BT139 — оценка по типичному значению, на пределе и без всякого запаса. BT136 при 3 А (около 690 Вт нагрузки) рассеивает по рис. 3 около 4,2 Вт и без радиатора уже не обходится.

Коммутация и снаббер

Быстро нарастающее напряжение на силовых выводах мешает симистору двумя разными способами, и Vishay в заметке о dV/dt (AN35) их разделяет:

  • Статическая dV/dt — закрытый симистор открывается без команды от помехи или выброса в сети. Сама сетевая синусоида не опасна: её наибольшая скорость по формуле из заметки Vishay о фотосимисторах (AN34) — 8,89 · 230 В · 50 Гц ≈ 0,1 В/мкс, а BT136-600 выдерживает не меньше 100 В/мкс.
  • Коммутационная dV/dt — не даёт симистору закрыться на индуктивной нагрузке. Ток двигателя отстаёт от напряжения, поэтому, когда он проходит через ноль и симистор должен закрыться, напряжение на нём уже велико и резко растёт. Если скорость больше допустимой, симистор не закрывается и проводит следующий полупериод.

Коммутационную dV/dt WeEn указывает при 400 В, температуре кристалла 95 °C, номинальном токе и скорости спада тока 1,8 А/мс у BT136 и 7,2 А/мс у BT139 — это примерно скорость, с которой проходит через ноль синусоида номинального тока при 50 Гц: 4 А · √2 · 2π · 50 Гц ≈ 1,8 А/мс. Гарантированный минимум есть только у BT139-600 — 10 В/мкс; у BT136-600, BT136X-600F и BT139X-600F приведены лишь типичные значения, а у исполнений E и D этого параметра в даташитах нет вовсе. Поэтому для индуктивной нагрузки — двигателей, трансформаторов, электромагнитов — надёжнее стандартное исполнение, а чувствительное проверяют на макете: управление двигателями WeEn называет и среди применений BT139-600E, но коммутационную dV/dt для него не приводит.

На активной нагрузке — нагревателе, лампе накаливания — dV/dt обычно не проблема, пишет Vishay; там важнее выдержать пусковой ток и поставить предохранитель. На индуктивной нагрузке параллельно симистору ставят снаббер — RC-цепь, которая замедляет нарастание напряжения. Номиналы подбирают по допустимой dV/dt и проверяют на макете. Для чувствительного BT136-600D WeEn указывает dVD/dt только при резисторе 1 кОм между управляющим электродом и T1 — без такого резистора его стойкость к помехам даташитом не задана.

Управление от микроконтроллера

Обычный способ — оптосимистор: светодиод включает микроконтроллер, а фотосимистор подаёт ток в управляющий электрод силового симистора и при этом развязывает низковольтную часть от сети. Выход оптосимистора с последовательным резистором включают между T2 и управляющим электродом. Готовая схема с номиналами onsemi — в карточке MOC3021 и MOC3041.

Резистор в цепи управления ограничивает ток через оптосимистор. Если тот откроется на пике сетевого напряжения, а силовой симистор ещё закрыт, весь ток пойдёт через резистор и выход оптосимистора. Неповторяющийся импульсный ток выхода у VO3021 от Vishay — 1 А, у MOC3041 от onsemi, по данным карточки, тоже 1 А. Отсюда наименьшее сопротивление R = Uпик / ITSM: для сети 230 В с амплитудой около 325 В — 325 Ом. Схема onsemi из карточки MOC3041 рассчитана на 240 В: амплитуда около 340 В даёт 340 Ом, и ближайший больший номинал ряда E24 — 360 Ом, который там и стоит.

Большим резистор делать тоже нельзя: силовой симистор откроется, только когда напряжение сети дорастёт до (IGT + VGT / Rш) · R + VGT + VTM. Здесь Rш = 330 Ом — шунт между управляющим электродом и T1 из той же схемы onsemi, через него уходит ещё около 1 В / 330 Ом ≈ 3 мА, а VTM — падение на открытом оптосимисторе, у VO3021 до 3 В. Для BT136-600 при 360 Ом это (0,035 + 0,003) · 360 + 1 + 3 ≈ 18 В — около 3° после перехода через ноль; для BT136-600E — примерно 9 В.

Напрямую от вывода микроконтроллера можно управлять исполнениями E и D — для этого они и сделаны. Для работы в квадрантах II и III плюс питания микроконтроллера соединяют с T1, а вывод через резистор тянет управляющий электрод вниз, как описано выше. Но тогда питание микроконтроллера соединено с сетью, и вся низковольтная часть оказывается под опасным напряжением: так делают только в устройствах с бестрансформаторным питанием, до которых нельзя дотронуться.

Переход через ноль или фазовое управление

Оптосимисторы бывают двух видов, и выбор зависит от нагрузки:

С переходом через ноль (MOC3041)Без него (MOC3021)
Когда включаетсятолько в начале полупериодав любой момент, сразу по команде
Помехималые: ток нарастает плавно, с нулярезкий скачок тока, помехи в сети и эфире
Регулированиецелыми полупериодами по 10 мсуглом открытия внутри полупериода
Нагрузкинагреватели, соленоидыдиммеры, регуляторы оборотов коллекторных двигателей

По Vishay, включение в нуле годится там, где управляемый процесс медленный, как нагрев: шага в полпериода сети хватает. Где нужна плавная регулировка — яркость лампы, обороты двигателя, — нужен фазовый метод, а за него платят помехами, которые гасят фильтрами и разводкой платы. BT136-600 WeEn в описании прямо предназначает и для переключения, и для фазового управления, а среди типичных применений BT139-600E называет двигатели, освещение и нагрев.

Типичные ошибки

  • Радиатор под напряжением. Фланец — это T2. Без изолирующей прокладки радиатор и всё, что его касается, находится под сетевым напряжением. Альтернатива — исполнения X в изолированном корпусе.
  • Номинальный ток без радиатора. 4 и 16 А верны только при фланце до 107 и 99 °C; в воздухе без радиатора при 40 °C вокруг — около 1,1 и 1,3 А по типичному тепловому сопротивлению.
  • Управление в IV квадранте. Там нужен отпирающий ток до 70 мА вместо 35 мА у стандартных исполнений, а скорость нарастания тока ограничена 10 А/мкс.
  • Отпирающий ток рассчитан на 25 °C. При −40 °C он растёт примерно в 1,4–2,4 раза, и холодное устройство может не включиться.
  • Короткий импульс на маломощной нагрузке. Если к концу импульса ток не дорос до тока включения IL (до 60 мА у BT139-600), симистор закроется вместе с импульсом.
  • Чувствительное исполнение на двигателе. У BT136-600E, BT136-600D и BT139-600E коммутационная dV/dt не указана, а статическая — типично 5–50 В/мкс (у D — с резистором 1 кОм между G и T1). На индуктивной нагрузке такой симистор может не закрыться или открыться от помехи — проверяйте на макете.

Механические реле для сравнения разобраны в статье «Реле», а работа оптосимисторов — в карточке MOC3021 и MOC3041.

Частые вопросы

Чем BT136 отличается от BT139?

Током. BT136 рассчитан на 4 А действующего тока, пока фланец не горячее 107 °C, BT139 — на 16 А до 99 °C. Неповторяющийся ток за один период сети 20 мс — 25 и 155 А, I²t для выбора предохранителя — 3,1 и 120 А²с, тепловое сопротивление кристалл–фланец — 3 и 1,2 °C/Вт. Напряжение 600 В, цоколёвка и токи управления стандартных исполнений одинаковые: до 35 мА в квадрантах I–III и до 70 мА в IV.

Что означают буквы E, D и F в BT136-600E?

Чувствительность управляющего электрода. В квадрантах I–III BT136-600 без буквы включается током до 35 мА, BT136X-600F — до 25 мА, BT136-600E — до 10 мА, BT136-600D — до 5 мА; в IV квадранте — до 70, 70, 25 и 10 мА. Плата за чувствительность — стойкость к помехам: у BT136-600 скорость нарастания напряжения, от которой он не включится сам, — не меньше 100 В/мкс, у E — 50 В/мкс типично, у D — 5 В/мкс типично, причём задана она с резистором 1 кОм между управляющим электродом и T1.

Нужен ли радиатор симистору BT136?

Почти всегда. 4 А WeEn гарантирует, только пока фланец не горячее 107 °C, а рассеивает симистор при этом около 6 Вт. Без радиатора тепловое сопротивление кристалл–воздух — типично 60 °C/Вт: при 40 °C внутри корпуса прибора кристалл дойдёт до предельных 125 °C уже на 1,4 Вт, это ток около 1,1 А — примерно 260 Вт нагрузки при 230 В. У BT139 без радиатора получается около 1,3 А. Оба значения — оценка по типичному тепловому сопротивлению, без запаса.

Какой симистор нужен для обогревателя на 2 кВт?

Ток такой нагрузки при 230 В — 2000 / 230 ≈ 8,7 А, больше 4 А у BT136, значит BT139. Он выделит около 10,7 Вт. Чтобы кристалл был не горячее 110 °C при 40 °C вокруг, тепловое сопротивление радиатора вместе с прокладкой должно быть не больше 5,3 °C/Вт. Нагреватель — активная нагрузка, и для него подходит оптосимистор с переходом через ноль, например MOC3041.

Можно ли управлять BT136 от Arduino напрямую?

Электрически да: для этого WeEn выпускает BT136-600E (до 10 мА в квадрантах I–III) и BT136-600D (до 5 мА). Чтобы работать в квадрантах II и III, ток должен вытекать из управляющего электрода: плюс питания микроконтроллера соединяют с выводом T1, а вывод микроконтроллера через резистор тянет управляющий электрод вниз. Но тогда вся низковольтная часть соединена с сетью и находится под опасным напряжением. Если к схеме можно прикоснуться или подключить компьютер, управляют через оптосимистор MOC3021 или MOC3041 — он развязывает цепи.

Почему симистор не выключается, когда управляет двигателем?

Из-за индуктивности: ток двигателя отстаёт от напряжения, и когда он проходит через ноль, на симисторе сразу появляется заметное и быстро растущее напряжение. Если скорость его нарастания больше допустимой коммутационной dV/dt, симистор не успевает закрыться и проводит следующий полупериод. У BT139-600 она не меньше 10 В/мкс при спаде тока 7,2 А/мс, а у исполнений E вообще не указана. Помогают стандартное исполнение и снаббер параллельно симистору.

Источники

  1. WeEn Semiconductors. BT136-600: 4Q Triac, Product data sheet (Rev.02, 25 September 2024) — табл. 2 — выводы T1, T2, G, фланец = T2; табл. 5 — VDRM 600 В, IT(RMS) 4 А при Tmb ≤ 107 °C, ITSM 25 А (20 мс) и 27 А (16,7 мс), I²t 3,1 А²с, dIT/dt 50 и 10 А/мкс при IG 70 и 140 мА, IGM 2 А, PGM 5 Вт, PG(AV) 0,5 Вт, Tj 125 °C; табл. 6 — Rth(j-mb) 3 и 3,7 К/Вт, Rth(j-a) 60 К/Вт типично; табл. 7 — IGT 35/35/35/70 мА, IL 20/30/20/30 мА, IH 15 мА, VT 1,7 В при 5 А, VGT 1 В и не меньше 0,25 В при 125 °C, ID 0,5 мА, dVD/dt не меньше 100 В/мкс, dVcom/dt 50 В/мкс типично при 400 В, 95 °C, 4 А и 1,8 А/мс, tgt 2 мкс; рис. 3 — Ptot от IT(RMS); рис. 7 и 9 — IGT и IH от температуры; рис. 10 — Vo = 1,27 В, Rs = 0,091 Ом
  2. WeEn Semiconductors. BT136-600E: 4Q Triac, Product data sheet (Rev.01, 14 March 2018) — разд. 1 — исполнение E для прямого управления от микроконтроллеров; табл. 5 — dIT/dt при IG 20 и 50 мА; табл. 7 — IGT 10/10/10/25 мА, IL 15/20/15/20 мА, IH 15 мА, dVD/dt 50 В/мкс типично; коммутационная dV/dt не указана
  3. WeEn Semiconductors. BT136-600D: 4Q Triac, Product data sheet (26 September 2018) — разд. 1 — исполнение D с очень чувствительным управляющим электродом; табл. 4 — dIT/dt 50, 50, 50 и 10 А/мкс при IG 10, 10, 10 и 20 мА; табл. 6 — IGT 5/5/5/10 мА, IL 10/15/10/15 мА, IH 10 мА, dVD/dt 5 В/мкс типично при резисторе 1 кОм между G и T1
  4. WeEn Semiconductors. BT136X-600F: 4Q Triac, Product data sheet (Rev.01, 19 April 2018) — изолированный корпус TO-220F (SOT186A), фланец не подключён; IT(RMS) 4 А при температуре радиатора до 92 °C; табл. 5 — dIT/dt при IG 50 и 140 мА; табл. 6 — Rth(j-h) 5,5 К/Вт с пастой; табл. 7 — изоляция 2500 В; табл. 8 — IGT 25/25/25/70 мА, dVD/dt не меньше 50 В/мкс
  5. WeEn Semiconductors. BT139-600: 4Q Triac, Product data sheet (26 September 2018) — табл. 2 — выводы; табл. 4 — IT(RMS) 16 А при Tmb ≤ 99 °C, ITSM 155 и 170 А, I²t 120 А²с, dIT/dt 50 и 10 А/мкс при IG 70 и 140 мА; табл. 5 — Rth(j-mb) 1,2 и 1,7 К/Вт, Rth(j-a) 60 К/Вт типично; табл. 6 — IGT 35/35/35/70 мА, IL 40/60/40/60 мА, IH 45 мА, VT 1,6 В при 20 А, dVD/dt не меньше 200 В/мкс, dVcom/dt не меньше 10 В/мкс при 400 В, 95 °C, 16 А и 7,2 А/мс; рис. 3 — Ptot; рис. 7 и 9; рис. 10 — Vo = 1,195 В, Rs = 0,018 Ом
  6. WeEn Semiconductors. BT139-600E: 4Q Triac, Product data sheet (Rev.02, 11 September 2024) — табл. 7 — IGT 10/10/10/25 мА, IL 30/40/30/40 мА, IH 30 мА, dVD/dt 50 В/мкс типично; коммутационная dV/dt не указана
  7. WeEn Semiconductors. BT139X-600F: 4Q Triac, Product data sheet (Rev.02, 25 September 2024) — TO-220F с изолированным фланцем; IT(RMS) 16 А при температуре радиатора до 38 °C; табл. 5 — dIT/dt при IG 50 и 140 мА; табл. 6 — Rth(j-h) 4 К/Вт с пастой; табл. 8 — IGT 25/25/25/70 мА, dVcom/dt 20 В/мкс типично
  8. WeEn Semiconductors. Главная страница сайта — о компании: WeEn Semiconductors выделена из NXP (spun off from NXP)
  9. Vishay. Application Note 35: Phototriac dV/dt (doc. 84791, Rev. 1.6, 19-Oct-11) — статическая dV/dt — ложное включение закрытого прибора, коммутационная — не даёт ему выключиться; индуктивная нагрузка; при активной нагрузке dV/dt обычно не проблема, важнее пусковой ток и предохранитель; снаббер RC параллельно симистору
  10. Vishay. Application Note 34: Phototriac Basics (doc. 84780, revision 28-Sep-2018) — симистор — два встречных тиристора с общим управляющим электродом; включение с переходом через ноль и в любой момент, помехи; с. 9 — dv/dt синусоиды 8,89·Uдейств·f; с. 11 — не проектировать на предельную температуру кристалла
  11. Vishay. VO3021, VO3022, VO3023: Optocoupler, Phototriac Output, 400 VDRM (doc. 84132, Rev. 1.8, 04-Aug-2023) — назначение — драйвер мощного симистора; VDRM 400 В, ITSM 1 А, VTM до 3 В при 100 мА, IFT 15, 10 и 5 мА

Нашли ошибку?

Смотрите также