Пороговое напряжение затвора VGS(th)
Пороговое напряжение VGS(th) — напряжение между затвором и истоком, при котором полевой транзистор начинает проводить ток. Его часто путают с напряжением, нужным для полного открытия, и из-за этого ставят в схему транзистор, который не откроется от логики.
Обновлено Редакция GAW
Пороговое напряжение VGS(th) (gate threshold voltage) — напряжение между затвором и истоком полевого транзистора с изолированным затвором, при котором через канал начинает течь заданный небольшой ток. В даташитах силовых MOSFET это обычно ID = 250 мкА — в тысячи раз меньше рабочего тока. Порог указывают диапазоном, потому что он заметно различается от экземпляра к экземпляру.
Порог — не напряжение управления
Чтобы транзистор работал как ключ с малым сопротивлением канала RDS(on), на затвор подают напряжение заметно выше порога — то, при котором даташит гарантирует RDS(on). Пример трёх распространённых транзисторов в корпусе TO-220 по даташитам Vishay:
| Транзистор | VGS(th) при ID = 250 мкА | RDS(on) гарантировано при |
|---|---|---|
| IRF540 | 2,0–4,0 В | VGS = 10 В |
| IRFZ44 | 2,0–4,0 В | VGS = 10 В |
| IRLZ44 | 1,0–2,0 В | VGS = 5 В и 4 В |
IRF540 и IRFZ44 при 5 В на затворе откроются по-разному: экземпляры с низким порогом почти полностью, с высоким — едва-едва, и именно они перегреются в схеме. IRLZ44 — транзистор с логическим уровнем, для него 5 В достаточно. Подробное сравнение — на странице IRF540, IRFZ44 и IRLZ44.
Что из этого следует
- От микроконтроллера на 3,3 или 5 В управляют MOSFET с логическим уровнем, у которого RDS(on) нормировано при напряжении не выше напряжения логики, или ставят драйвер затвора. Готовые схемы ключей — в статье «Ключ на MOSFET».
- Резистор от затвора к истоку удерживает транзистор закрытым, пока вывод микроконтроллера после сброса находится в высокоимпедансном состоянии.
- Устройство транзистора, заряд затвора и потери на переключение разобраны в статье «MOSFET и IGBT».
Частые вопросы
Если порог 2–4 В, откроется ли MOSFET от 5 В?
Не обязательно полностью. При пороговом напряжении через канал течёт всего 250 мкА. У IRF540 и IRFZ44 порог от 2 до 4 В: экземпляр с порогом около 2 В при 5 В на затворе откроется почти полностью, а экземпляр с порогом около 4 В — едва-едва и перегреется под нагрузкой. Сопротивление канала для них гарантировано только при 10 В.
Что такое MOSFET с логическим уровнем?
Транзистор, у которого сопротивление открытого канала гарантировано при 4–5 В на затворе, а иногда и ниже. У IRLZ44 порог 1–2 В, а RDS(on) указано при 5 В и 4 В — его можно открыть напрямую от вывода 5-вольтового микроконтроллера. Смотреть нужно именно на условия RDS(on), а не на сам порог.
Почему порог указан диапазоном, а не одним числом?
Порог заметно различается от экземпляра к экземпляру, и производитель гарантирует только границы: у IRF540 и IRFZ44 — от 2 до 4 В, у IRLZ44 — от 1 до 2 В. Схему рассчитывают так, чтобы она работала с любым экземпляром: закрытым транзистор должен быть при напряжении ниже минимума порога, а открытым — при напряжении, для которого гарантировано RDS(on).
Источники
- Vishay Siliconix. IRF540 Power MOSFET (Document Number 91021, Rev. C, 2021) — VGS(th) 2,0–4,0 В при ID = 250 мкА; RDS(on) нормировано при VGS = 10 В
- Vishay Siliconix. IRFZ44 Power MOSFET (Document Number 91291, Rev. C, 2021) — VGS(th) 2,0–4,0 В при ID = 250 мкА
- Vishay Siliconix. IRLZ44 Power MOSFET (Document Number 91328, Rev. D, 2021) — VGS(th) 1,0–2,0 В при ID = 250 мкА; RDS(on) при VGS = 5 В и 4 В
Нашли ошибку?
Смотрите также
- MOSFET и IGBTУстройство, логический уровень, заряд затвора, потери, ключ и IGBT
- IRF540, IRFZ44, IRLZ44N-канальные MOSFET TO-220AB: 60–100 В, 28–50 А, логический уровень у IRLZ44
- Ключ на MOSFETЛогический уровень, резисторы затвора, потери и нагрев, ШИМ, 3,3 В
- Сопротивление канала RDS(on)Сопротивление открытого MOSFET: падение, потери, нагрев