ГОСТ 2.730-73. Обозначения условные графические: приборы полупроводниковые
ГОСТ 2.730-73 задаёт обозначения полупроводниковых приборов: из каких элементов собирается символ диода или транзистора и как его дополнять знаками эффектов. Изменение № 3 1989 года разрешило рисовать транзистор без окружности корпуса — главное, что отличает новые схемы от старых.
Обновлено Редакция GAW
ГОСТ 2.730-73 — стандарт ЕСКД на условные графические обозначения полупроводниковых приборов в схемах, выполняемых вручную или автоматизированным способом. Он устроен как конструктор: в таблице 1 даны элементы обозначений (корпус, база, эмиттер, затвор, электроды), в таблице 4 — знаки физических эффектов, а в таблицах 5–10 — примеры построения обозначений диодов, тиристоров, транзисторов, фото- и оптоприборов. Рисунки частых обозначений по этому стандарту — на странице «Обозначения на схемах по ГОСТ».
Коротко
- Введён
- 1 июля 1974 г.
- Изменения
- № 1–4, последнее — с 01.01.92
- Корпус транзистора
- можно не рисовать (изм. № 3)
- Диоды
- табл. 5
- Транзисторы
- табл. 7 и 8
- Оптопары
- табл. 10
Что в таблицах
| Таблица | Содержание |
|---|---|
| 1 | элементы обозначений: корпус, электроды, база, эмиттер, коллектор, канал и затвор полевого транзистора, вывод корпуса |
| 2, 3 | исключены изменениями |
| 4 | знаки физических свойств: туннельный эффект, лавинный пробой, эффект Шоттки и другие |
| 5 | диоды: выпрямительный, туннельный, обращённый, стабилитрон, варикап, двунаправленный, диод Шоттки, светоизлучающий, сборки диодов |
| 6 | тиристоры: диодные и триодные, запираемые в обратном направлении, симметричные (симистор) |
| 7 | транзисторы с p-n-переходами: n-p-n и p-n-p, однопереходные, многоэмиттерные, лавинные |
| 8 | полевые транзисторы: с p-n-переходом и с изолированным затвором, обогащённого и обеднённого типа, с выводом подложки |
| 9 | фоточувствительные и излучающие приборы: фоторезистор, фотодиод, фототиристор, фототранзистор, фотоэлемент, фотобатарея |
| 10 | оптоэлектронные приборы — оптопары с разными приёмниками |
Как читать обозначение
Символ прибора собирается из элементов таблицы 1 и знаков таблицы 4. Диод — треугольник, упёртый в черту катода; стабилитрон отличается коротким штрихом на конце черты (знак лавинного пробоя), диод Шоттки — знаком эффекта Шоттки. У биполярного транзистора эмиттер показан наклонной линией со стрелкой: стрелка наружу — n-p-n, внутрь — p-n-p. У полевого транзистора с изолированным затвором затвор нарисован отдельной линией, не касающейся канала, а тип канала задаёт направление стрелки подложки; прерывистый канал означает транзистор обогащённого типа.
Подписи к обозначениям дают буквенные коды ГОСТ 2.710-81: VD — диод и стабилитрон, VT — транзистор, VS — тиристор, HL — светодиод как прибор световой сигнализации.
Правила из изменений
- Корпус транзистора. Изменение № 3 (введено с 1 января 1990 года) переиздало таблицы 7 и 8: обозначения построены без окружности, а изображать корпус транзистора допускается.
- Вывод, соединённый с корпусом. Изменение № 3 дополнило таблицу 1 обозначением выводов, электрически соединённых с корпусом; в месте присоединения к корпусу допускается ставить точку.
- Зеркальное изображение. Допускается зеркально отражать обозначения — это удобно, когда эмиттер «смотрит» вниз к общему проводу.
- Новые позиции. Изменение № 3 добавило знак эффекта Шоттки, варикап (ёмкостный диод) и светоизлучающий диод; в таблице 6 появился триодный симметричный тиристор — симистор, а в таблице 10 «оптрон диодный с усилителем» переименован в оптоэлектронный прибор с фотодиодом и усилителем. Последнее, четвёртое изменение введено с 1 января 1992 года.
Связанные стандарты и статус
ГОСТ 2.730-73 введён с 1 июля 1974 года взамен ГОСТ 2.730-68 и пунктов 33 и 34 таблицы ГОСТ 2.747-68, утверждён постановлением Госстандарта СССР от 16 августа 1973 года № 2002. Действующее издание — переиздание апреля 2010 года с изменениями № 1–4 (утверждены в июле 1980, апреле 1987, марте 1989 и июле 1991 года) и поправкой; стандарт соответствует СТ СЭВ 661-88 (изменение № 3 заменило ссылку на СТ СЭВ 661-77). Применяется вместе с ГОСТ 2.702-2011 (правила схем), ГОСТ 2.728-74 (резисторы и конденсаторы) и ГОСТ 2.721-74 (обозначения общего применения). Как работают сами приборы, объясняют статьи «Диоды», «Биполярный транзистор» и «MOSFET и IGBT».
Частые вопросы
Нужно ли рисовать круг вокруг транзистора по ГОСТ?
Нет. В редакции с изменением № 3 (1989) обозначения транзисторов в таблицах 7 и 8 построены без окружности, а примечание допускает изображать корпус транзистора. Круг на старых советских схемах — тоже не ошибка: это изображение корпуса.
Как обозначить диод Шоттки по ГОСТ 2.730?
Знак эффекта Шоттки добавлен в таблицу 4 изменением № 3, а готовое обозначение диода Шоттки — в таблицу 5 (п. 9). Это обычный символ диода, у которого черта катода дополнена знаком эффекта.
Где в ГОСТ светодиод и оптопара?
Светоизлучающий диод — п. 10 таблицы 5, его добавило изменение № 3. Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и фотоэлементы — в таблице 9, оптоэлектронные приборы (оптопары) — в таблице 10.
Источники
- ГОСТ 2.730-73. ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (с изменениями № 1–4) — сборник стандартов ЕСКД, с. 159–160: дата введения 01.07.74, взамен ГОСТ 2.730-68 и пп. 33, 34 табл. ГОСТ 2.747-68; табл. 1 — элементы обозначений; табл. 4 — знаки физических свойств (туннельный эффект, лавинный пробой, эффект Шоттки — изм. № 3); табл. 5 — диоды (варикап, светоизлучающий диод — изм. № 3); табл. 6 — тиристоры; табл. 7 — транзисторы с p-n-переходами; табл. 8 — полевые транзисторы; табл. 9 — фоточувствительные и излучающие приборы; табл. 10 — оптоэлектронные приборы; изменение № 3 — с 01.01.90, допускается изображать корпус транзисторов; изменение № 4 — с 01.01.92
- ГОСТ 2.730-73 в каталоге standartgost.ru — дата введения 01.07.74; постановление от 16.08.73 № 2002; соответствует СТ СЭВ 661-88; переиздание апрель 2010 г. с изменениями № 1–4 (июль 1980, апрель 1987, март 1989, июль 1991; ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91) и поправкой (ИУС 3-91)
- ГОСТ 2.710-81. ЕСКД. Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах — буквенные коды VD, VT, VS, HL группы V и H
Нашли ошибку?
Смотрите также
- Обозначения на схемах по ГОСТУГО по ГОСТ 2.7xx и буквенные коды R, C, VD, VT, DA, DD
- ГОСТ 2.728: резисторы и конденсаторыТаблицы УГО резисторов и конденсаторов, знаки мощности, изменения
- ДиодыВАХ, параметры, 1N4148 и 1N4007, Шоттки, стабилитроны BZX55, TVS SMBJ
- Биполярный транзисторNPN и PNP, режимы работы, параметры из даташита, ключ и усилитель с расчётом
- MOSFET и IGBTУстройство, логический уровень, заряд затвора, потери, ключ и IGBT
- Диод ШотткиМалое падение и быстрое переключение, но большая утечка