Перейти к содержанию

IR2110 — драйвер верхнего и нижнего ключа (high-side/low-side)

IR2110 управляет двумя N-канальными MOSFET или IGBT полумоста: нижним — относительно общего провода, верхним — относительно средней точки, напряжение которой скачет до 500 В. Верхний канал обычно питают от бутстрепного конденсатора. Разбираем по даташиту и запискам Infineon выводы, параметры, расчёт бутстрепа на примере IRF540, мёртвое время и выбросы на выводе VS.

Обновлено Редакция GAW

IR2110 — драйвер затворов для двух N-канальных MOSFET или IGBT с независимыми выходами: нижний канал LO работает относительно общего провода силовой части, верхний HO — относительно вывода VS, который соединяют с истоком верхнего транзистора. По AN-978 затвор верхнего ключа нужно поднять на 10–15 В выше его истока, то есть выше напряжения шины, и при этом управлять им от логики, привязанной к общему проводу. IR2110 решает обе задачи: сдвигает уровень команды и выдаёт на затвор 10–20 В от плавающего питания между VB и VS. Как устроены сами ключи и откуда берутся потери переключения, рассказано в статье «MOSFET и IGBT».

Коротко

  • Напряжение верхнего канала — до 500 В у IR2110 и 600 В у IR2113.
  • Выходы — два независимых, импульсный ток от 2 А в обе стороны, напряжение на затворе 10–20 В.
  • Логика — отдельное питание VDD от VSS + 3 В, работает с 3,3 и 5 В; земли логики и силы могут расходиться на ±5 В.
  • Скорость — при VDD = 15 В задержки 120 и 94 нс типично, разница каналов не больше 10 нс (у IR2113 — 20 нс); при VDD = 3,3–5 В задержки больше, 140–185 нс.
  • Защита — блокировка UVLO по VCC и по питанию верхнего канала около 8,2–8,6 В; мёртвого времени нет.
  • Корпуса — PDIP-14 (IR2110, IR2113) и широкий SOIC-16 (IR2110S, IR2113S).

Распиновка

IR2110, вид сверху: 1 LO, 2 COM, 3 VCC, 4 NC, 5 VS, 6 VB, 7 HO, 8 NC, 9 VDD, 10 HIN, 11 SD, 12 LIN, 13 VSS, 14 NCIR21101LO2COM3VCC4NC5VS6VB7HO8NC9VDD10HIN11SD12LIN13VSS14NCвид сверху
IR2110 и IR2113 в корпусе PDIP-14, вид сверху
PDIP-14SOIC-16ОбозначениеНазначение
11LOвыход нижнего канала, к затвору нижнего транзистора
22COMвозврат нижнего канала — прямо к истоку или эмиттеру нижнего транзистора
33VCCпитание нижнего канала и бутстрепа, 10–20 В
56VSвозврат плавающего питания — к средней точке полумоста
67VBплавающее питание верхнего канала, плюс бутстрепного конденсатора
78HOвыход верхнего канала, к затвору верхнего транзистора
911VDDпитание логики
1012HINвход верхнего канала, HO повторяет его в фазе
1113SDвход отключения: единица выключает оба выхода
1214LINвход нижнего канала, LO повторяет его в фазе
1315VSSобщий провод логики
4, 8, 144, 5, 9, 10, 16—в даташите без назначения

У драйвера три опорные точки. VSS — земля логики, COM — силовая земля нижнего канала, VS — плавающая опора верхнего канала. VSS может отличаться от COM на ±5 В, но при VDD ниже 5 В нижняя граница — −VDD (примечание 2 к рабочим условиям). AN-978 объясняет, зачем COM выведен отдельно: его соединяют прямо с истоком силового транзистора, чтобы ток перезаряда затвора возвращался коротким путём.

Как работает

Входы HIN, LIN и SD — КМОП-триггеры Шмитта с подтяжкой к VSS внутри, так что неподключённый вход читается как ноль. Нижний канал — выходной каскад между VCC и COM с узлом задержки, который выравнивает его время срабатывания с верхним. Верхний канал собран в изолированном кармане кристалла, который плавает вместе с VS. Команды в него передаются короткими импульсами по фронтам входного сигнала и запоминаются триггером; фильтр импульсов не даёт помехам от быстрого изменения VS переключить выход. По AN-978 так драйвер переносит скорость изменения напряжения на ключах до 50 В/нс — это же значение dVS/dt стоит в предельных режимах даташита. Входные импульсы короче примерно 50 нс отфильтровываются.

Отключение SD. Единица на SD выключает оба выхода до конца текущего цикла. После снятия сигнала канал включится по первой новой команде на его входе — AN-978 использует это для ограничения тока в каждом цикле ШИМ. Если отключение не нужно, SD соединяют с VSS.

Блокировка при пониженном питании. Пока VCC ниже порога, не работает ни один канал; пока ниже порога питание верхнего канала VB − VS, заблокирован HO. После снятия блокировки каналы ведут себя по-разному: нижний сразу включится, если на LIN единица, а верхний изменит состояние только по следующему фронту на HIN. Подробнее о самом механизме — в статье «Блокировка при пониженном питании».

Параметры

Предельные режимы и рабочие условия, напряжения — относительно COM:

ПараметрПредельноРекомендуется
VB − VS, питание верхнего канала−0,3…25 В10–20 В
VB / VS, IR2110VB до 525 ВVS до 500 В
VB / VS, IR2113VB до 625 ВVS до 600 В
VCC−0,3…25 В10–20 В
VDDдо VSS + 25 Вот VSS + 3 до VSS + 20 В
VSSот VCC − 25 до VCC + 0,3 В−5…+5 В
Входы HIN, LIN, SDот VSS − 0,3 до VDD + 0,3 Вот VSS до VDD
Скорость изменения VS50 В/нс—
Рассеиваемая мощность при 25 °C1,6 Вт (PDIP-14), 1,25 Вт (SOIC-16)—
Тепловое сопротивление кристалл–воздух75 °C/Вт (PDIP-14), 100 °C/Вт (SOIC-16)—
Температуракристалл до 150 °Cсреда −40…125 °C

По примечанию 1 логика работает при VS от −4 В, а при VS от −4 В до −VBS выход верхнего канала сохраняет состояние.

Характеристики при VCC = VBS = VDD = 15 В, 25 °C, нагрузка 1000 пФ:

ПараметрТипичноГарантированно
Задержка включения ton120 нсдо 150 нс
Задержка выключения toff94 нсдо 125 нс
Задержка отключения по SD110 нсдо 140 нс
Фронт и спад на 1000 пФ25 и 17 нсдо 35 и 25 нс
Разница задержек каналов—до 10 нс, у IR2113 до 20 нс
Импульсный ток выхода, вытекающий и втекающий2,5 Аот 2,0 А, импульс до 10 мкс
Выход в единице, ниже питания канала—до 1,2 В без нагрузки
Выход в нуле—до 0,1 В без нагрузки
Порог единицы и нуля на входе, VDD = 15 В—от 9,5 В и до 6,0 В
Ток входа в единице20 мкАдо 40 мкА
Ток покоя VBS, VCC, VDD125, 180, 15 мкАдо 230, 340, 30 мкА
Утечка VB и VS при 500 или 600 В—до 50 мкА
UVLO VCC: включение и выключение8,5 и 8,2 В7,4–9,6 и 7,0–9,4 В
UVLO VBS: включение и выключение8,6 и 8,2 В7,5–9,7 и 7,0–9,4 В

Логические входы и VDD

Пороги входов заданы при VDD = 15 В: единица — от 9,5 В, ноль — до 6,0 В. Графики 12B и 13B даташита показывают, что с уменьшением VDD пороги снижаются почти пропорционально; AN-978 описывает такие входы у семейства IRS211x — порог пропорционален VDD в диапазоне 3–20 В, гистерезис около 10 % VDD. Отсюда правило: VDD питают от того же напряжения, что и микроконтроллер, — 3,3 или 5 В, а VSS соединяют с его землёй. Тогда выходы микроконтроллера управляют драйвером напрямую, а питание затворов VCC = 12–15 В остаётся отдельным.

Задержки в таблице тоже заданы при VDD = 15 В. С меньшим VDD они растут (рис. 7C и 8C): при 5 В включение — около 140 нс типично и до 170 нс, выключение — около 145 и до 185 нс; при 3,3 В обе задержки — около 185 нс типично и до 240–250 нс. С нагревом задержки тоже растут: при 125 °C (рис. 7A и 8A) включение — около 165 нс типично и до 205 нс, выключение — около 135 и до 165 нс.

Мёртвое время

У IR2110 нет ни встроенной паузы, ни запрета одновременного включения: выходы повторяют HIN и LIN, и единица на обоих входах откроет оба транзистора полумоста — через них потечёт сквозной ток. В списке проверок AN-978 так и сказано: логические входы не должны вызывать одновременную проводимость ключей. Паузу между выключением одного ключа и включением другого — мёртвое время — задают снаружи:

  • В микроконтроллере. Таймеры с комплементарными выходами и генератором мёртвого времени выдают на HIN и LIN готовые сигналы с паузой.
  • Резистором с диодом в цепи затвора. AN-978 предлагает такую цепь как дополнительный запас: она задерживает включение транзистора, не замедляя выключения, — это добавляет паузу и уменьшает выброс тока обратного восстановления диода.
  • Другим драйвером. Для схем, где пауза обязательна, AN-978 советует полумостовые драйверы со встроенным мёртвым временем.

Рассчитывать на задержки самого драйвера не стоит. Разница каналов до 10 нс в таблице относится к одному и тому же фронту в двух каналах, а для паузы важна разница между включением одного канала и выключением другого. При VDD = 15 В включение запаздывает больше: 120 против 94 нс типично, и AN-978 (разд. 12) пишет, что задержка включения на 25 нс длиннее выключения при расхождении не больше 10 нс, — по мнению записки, уже это исключает перекрытие, даже если команды совпадают. Но силовой транзистор выключается не мгновенно — в опыте AN-978 с резистором 27 Ом в затворе это 48 нс, — а при VDD = 3,3–5 В задержки включения и выключения по рис. 7C и 8C почти равны, и этот запас исчезает. Поэтому паузу задают явно, не короче времени выключения транзистора с выбранным резистором в затворе, и проверяют осциллографом на затворах обоих ключей.

Бутстрепное питание

Бутстреп — диод от VCC к VB и конденсатор между VB и VS. Когда открыт нижний ключ, VS притянут к COM, и конденсатор заряжается через диод до VCC за вычетом падений на диоде и нижнем ключе. Когда открывается верхний ключ, VS поднимается до напряжения шины, диод запирается, и конденсатор питает верхний канал, отдавая заряд затвору. По AN-978 бутстрепный диод и конденсатор — единственные внешние детали, без которых драйвер в обычной ШИМ-схеме не работает. Платой за простоту, по таблице I той же записки, становится ограничение скважности и длительности включения: конденсатор нужно периодически подзаряжать.

Минимальную ёмкость AN-978 (разд. 3) предлагает считать так:

C≥2[2Qg+Iqbs(max⁡)f+Qls+ICbs(leak)f]VCC−Vf−VLS−VMinC \ge \frac{2\left[2Q_g + \dfrac{I_{qbs(\max)}}{f} + Q_{ls} + \dfrac{I_{Cbs(leak)}}{f}\right]}{V_{CC} - V_f - V_{LS} - V_{Min}}

где Qg — заряд затвора верхнего транзистора, f — частота, Iqbs(max) — наибольший ток покоя верхнего канала, Qls — заряд схемы сдвига уровня за цикл (по AN-978 около 5 нКл у драйверов на 500 и 600 В), ICbs(leak) — ток утечки конденсатора, Vf — падение на бутстрепном диоде, VLS — падение на нижнем ключе или нагрузке, VMin — наименьшее допустимое напряжение между VB и VS. Утечку конденсатора учитывают только для электролита; AN-978 советует по возможности обходиться без него.

Диод. Он должен выдерживать полное напряжение шины — оно приложено к нему, когда открыт верхний ключ. Средний ток диода равен Qg · f. Восстановление нужно ультрабыстрое: медленный диод возвращает часть заряда конденсатора обратно в источник VCC. Записка Infineon о высоковольтных драйверах требует время обратного восстановления меньше 100 нс.

Пример: бутстреп для IRF540 на 20 кГц

Полумост из двух IRF540 на шине 48 В, ШИМ 20 кГц, VCC = 15 В, ток нагрузки до 10 А. Исходные данные:

ВеличинаЗначениеОткуда
Qg72 нКлIRF540, Vishay: максимум при VGS = 10 В
Iqbs(max)230 мкАIR2110: наибольший ток покоя VBS
Qls5 нКлAN-978: типично для драйверов на 500 и 600 В
ICbs(leak)0керамический конденсатор
Vf1 Втакое падение на диоде принимает Infineon в своём примере
VLS1,3 В10 А · 0,077 Ом = 0,77 В при 25 °C; по рис. 4 Vishay при 125 °C сопротивление больше примерно в 1,7 раза
VMin11,2 В10 В на затворе — при них гарантировано RDS(on) IRF540 — плюс до 1,2 В, которые выход HO теряет относительно VB; это выше порога UVLO 9,4 В

Ток покоя за период даёт 230 мкА / 20 кГц = 11,5 нКл, и

C≥2 (2⋅72+11,5+5+0) нКл(15−1−1,3−11,2) В=321 нКл1,5 В≈214 нФ.C \ge \frac{2\,(2 \cdot 72 + 11{,}5 + 5 + 0)\ \text{нКл}}{(15 - 1 - 1{,}3 - 11{,}2)\ \text{В}} = \frac{321\ \text{нКл}}{1{,}5\ \text{В}} \approx 214\ \text{нФ}.

На просадку бутстрепа здесь остаётся всего 1,5 В: при VCC = 15 В и гарантированных 10 В на затворе каждая десятая доля вольта в падениях заметно меняет результат. Если считать нижний ключ холодным (VLS = 1 В), выйдет около 178 нФ. К тому же заряд 72 нКл Vishay указывает при VGS = 10 В, а затвор здесь заряжается выше, и по кривой заряда (рис. 6 Vishay) заряд растёт дальше, — поэтому ёмкость берут с запасом. AN-978 в разделе о выбросах VS советует конденсатор больше 0,47 мкФ с малым ESR, чтобы выбросы его не перезаряжали, а в схемах той же записки (рис. 23 и 26) стоит 0,47 мкФ при частоте выше 5 кГц — к рис. 23 прямо приписано: для IRF540 и кристаллов похожего размера. Подойдёт керамика 1 мкФ прямо у выводов VB и VS. Между VCC и COM — конденсатор не меньше чем в десять раз больше, то есть от 10 мкФ, тоже с малым ESR. Диод — ультрабыстрый, на напряжение выше шины, со средним током 72 нКл · 20 кГц ≈ 1,4 мА.

Для сравнения, более новая записка Infineon считает иначе: заряд QTOT = QG + QLS + (сумма утечек и токов потребления) · THON делят на допустимую просадку ΔVBS ≤ VCC − VF − VGEmin − VCEon. С утечкой затвора 0,1 мкА, током покоя 230 мкА, утечкой драйвера 50 мкА, утечкой диода 100 мкА, как в примере Infineon, и временем включения не дольше периода 50 мкс получается 72 + 5 + 19 ≈ 96 нКл; при той же допустимой просадке 1,5 В (VGEmin = 11,2 В с учётом потерь выхода HO) это около 64 нФ. Формула AN-978 даёт примерно втрое больший запас, а рекомендованные 0,47 мкФ перекрывают обе оценки.

Нагрев драйвера. По формулам AN-978 (разд. 4) на 20 кГц перезаряд двух затворов 2 · 15 В · 72 нКл · 20 кГц даёт около 43 мВт, внутренние КМОП-цепи — 15 В · (5…30) нКл · 20 кГц, до 9 мВт, схема сдвига уровня — (48 + 15) В · 4 нКл · 20 кГц ≈ 5 мВт, статические потери — около 3,5 мВт. Всего порядка 60 мВт: при 75 °C/Вт кристалл в корпусе PDIP-14 нагреется над воздухом на 4–5 °C. Резисторы в затворах забирают часть потерь перезаряда на себя.

Выбросы VS ниже общего провода

Когда верхний ключ выключается при индуктивной нагрузке, ток переходит в диод нижнего ключа, и паразитные индуктивности дорожек выбрасывают VS ниже COM. В опыте AN-978 на диоде было около 10 В, а на выводе VS IR2110 — 50 В. Записка даёт оценку: 10 А за 20 нс на индуктивности 50 нГн — это 25 В, а такую индуктивность, по AN-978, имеет небольшая скрепка.

Сколько выдерживает именно IR2110, говорит даташит. По примечанию 1 к рабочим условиям логика работает при VS до −4 В, а при VS от −4 В до −VBS выход верхнего канала сохраняет состояние. Рис. 36 показывает, что допустимый выброс зависит от VBS: типично около −3 В при 10 В, −4 В при 12 В и около −5,5 В при 15 В. AN-978 и DT97-3 называют для драйверов IR в целом гарантированные 5 В, но у IR2110 при низком VBS запас меньше. При большем выбросе выход верхнего канала временно сохраняет состояние и не реагирует на входы; если напряжения остаются в предельных режимах, драйвер не повреждается. Опаснее перезаряд бутстрепа: по DT97-3 в предельном случае идеального бутстрепа при VCC = 15 В выброс больше 10 В поднимает VB − VS выше предельных 25 В, грозя пробоем и защёлкиванием паразитных структур.

Что делать по AN-978 и DT97-3:

  • Сократить индуктивность между ключами: исток верхнего транзистора ставят вплотную к стоку нижнего, дорожки — широкие и прямые.
  • Ставить драйвер рядом с транзисторами, а VS и COM вести отдельными проводниками прямо к истокам.
  • Бутстрепный конденсатор — больше 0,47 мкФ, конденсатор VCC–COM — в десять раз больше, оба прямо у выводов.
  • Не обходиться без резистора в затворе: без него в опыте AN-978 выключение заняло 4 нс, а выброс на VS достиг 90 В; с 27 Ом — 48 нс и 18 В. AN-978 советует также диод параллельно резистору анодом к затвору: при включении он заперт, а при выключении и в закрытом состоянии удерживает затвор в нуле.
  • Если выброс всё ещё велик — резистор около 5 Ом или меньше между VS и средней точкой моста (DT97-3, метод A). Бутстреп заряжается через него, и при большем сопротивлении возможен сквозной ток при старте; резистор в затворе верхнего ключа уменьшают так, чтобы суммарные сопротивления цепей затворов верхнего и нижнего ключей остались равными.
  • Измерять VS − COM и VB − VS прямо на выводах драйвера, дифференциальным щупом.

Модулям и параллельно включённым транзисторам с зарядом затвора в сотни нанокулон тока драйвера может не хватить: AN-978 описывает для них внешний буфер на 8 А пикового тока, который может питаться от того же бутстрепа. Драйверы модулей и их защиты разобраны в статье «IGBT-модули».

Типичные ошибки

  • VDD от 15 В при логике 3,3–5 В. При VDD = 15 В единица на входе гарантирована только от 9,5 В — драйвер не видит сигналов микроконтроллера.
  • Единица на HIN и LIN одновременно. Встроенного мёртвого времени нет, оба ключа откроются, и через полумост пойдёт сквозной ток.
  • Старт с верхнего ключа. Конденсатор ещё не заряжен, VB − VS ниже порога UVLO, и HO молчит. AN-978 в поиске неисправностей советует убедиться, что конденсатор заряжается при включении, — для этого сначала открывают нижний ключ.
  • Обычный выпрямительный диод в бутстрепе. Нужен ультрабыстрый диод на полное напряжение шины, иначе часть заряда уходит обратно в VCC.
  • Только электролит в роли бутстрепного конденсатора. Его утечка разряжает конденсатор, а ESR создаёт скачок напряжения при заряде; Infineon настоятельно рекомендует хотя бы один керамический конденсатор с малым ESR.
  • VCC ниже 10 В. Порог включения UVLO VCC — 7,4–9,6 В, 8,5 В типично: при 9 В отдельные экземпляры могут не включиться, а рекомендованный минимум — 10 В. К тому же при 10–11 В транзисторам с нормировкой RDS(on) при 10 В не хватает напряжения на затворе: выход теряет до 1,2 В, а верхний канал — ещё и падение на бутстрепном диоде.
  • Активный вход SD. По списку проверок AN-978 вход отключения должен быть неактивен: единица на SD выключает оба выхода.

Замена

На странице IR2110 Infineon указывает для IR2110PBF статус «not for new design» (на 18 октября 2026 года). В AN-1100 Infineon называет заменой IRS2110 и IRS2113: они совместимы вывод в вывод и имеют ту же функциональную схему. Главные отличия — встроенный ограничитель 20 В на каждом питании, из-за которого предельные VCC, VBS и VDD снижены с 25 до 20 В, немного большие задержки (130 и 120 нс типично вместо 120 и 94 нс), предельное VB 520 и 620 В вместо 525 и 625 В и выход в единице до 1,4 В ниже питания вместо 1,2 В. Следующее поколение — 2ED2110S06M на 650 В по технологии «кремний на изоляторе»: в нём есть бутстрепный диод, а выброс VS он переносит до 100 В ниже COM.

Другие микросхемы для управления нагрузками — в разделе «Драйверы двигателей и нагрузок».

Частые вопросы

Чем IR2110 отличается от IR2113?

Допустимым напряжением верхнего канала и согласованием задержек: VS до 500 В у IR2110 и до 600 В у IR2113 (предельное VB — 525 и 625 В), разница задержек каналов — не больше 10 и 20 нс. Остальные параметры и выводы в общем даташите Infineon одинаковые. Буква S в названии означает корпус SOIC-16 вместо PDIP-14.

Можно ли подключить IR2110 к Arduino или STM32 на 3,3 В?

Да, если питать вывод VDD от того же напряжения, что и микроконтроллер: допускается от VSS + 3 В до VSS + 20 В. Пороги входов растут вместе с VDD: при VDD = 15 В единица гарантирована только от 9,5 В, и сигнал 3,3 или 5 В её не даст. При VDD ниже 5 В смещение VSS относительно COM ограничено снизу значением −VDD.

Какой бутстрепный конденсатор ставить к IR2110?

Минимум считают по формуле AN-978: для IRF540 с зарядом затвора 72 нКл на 20 кГц при VCC = 15 В и 10 В на затворе выходит около 0,21 мкФ. Но против перезаряда бутстрепа выбросами VS AN-978 советует брать больше 0,47 мкФ с малым ESR — например, керамику 1 мкФ, — а конденсатор между VCC и COM не меньше чем в десять раз больше бутстрепного, то есть от 10 мкФ.

Есть ли у IR2110 мёртвое время?

Нет. Входы HIN и LIN независимы, выходы повторяют их в фазе, и единица на обоих входах откроет оба транзистора полумоста. Паузу задают в микроконтроллере — комплементарными выходами таймера с мёртвым временем — или резистором с диодом в цепи затвора, которые задерживают только включение. При VDD = 15 В включение у драйвера запаздывает относительно выключения примерно на 25 нс, но при VDD = 3,3–5 В задержки почти равны, и рассчитывать на этот запас нельзя.

Можно ли держать верхний ключ открытым постоянно?

С бутстрепом — нет: конденсатор подзаряжается, только когда открыт нижний ключ. Ток верхнего канала — до 230 мкА при 25 °C, около 265 мкА при 125 °C, а с утечками драйвера и диода, как в примере Infineon, около 380 мкА — разрядит 1 мкФ на 3 В за 8–13 мс: напряжение VB − VS упадёт примерно с 13 до 10 В, а на затворе будет ещё до 1,2 В меньше. При 7,0–9,4 В сработает блокировка UVLO. Для постоянного включения AN-978 предлагает изолированный источник или подкачку заряда.

Почему нижний канал работает, а верхний нет?

Чаще всего не заряжен бутстрепный конденсатор: VB − VS должно превысить порог UVLO, от 7,5 до 9,7 В. Перед стартом откройте нижний ключ, чтобы VS притянулся к COM и конденсатор зарядился через диод. Затем проверьте, что VS не уходит ниже COM больше чем на 4 В — столько допускает даташит, а при низком VBS запас ещё меньше, — и что скорость его изменения не превышает 50 В/нс.

Источники

  1. Infineon (International Rectifier). IR2110(S)PbF/IR2113(S)PbF High and Low Side Driver, Data Sheet No. PD60147 rev.V, 2019 — Features и Product Summary — VOFFSET 500 и 600 В, IO± 2 А, VOUT 10–20 В, логика от 3,3 В, смещение земель ±5 В; Absolute Maximum Ratings; Recommended Operating Conditions с примечаниями 1 и 2; Dynamic Electrical Characteristics — ton, toff, tsd, tr, tf, MT; Static Electrical Characteristics — VIH, VIL, VOH, VOL, ILK, IQBS, IQCC, IQDD, IIN, пороги UVLO, IO+ и IO−; Functional Block Diagram, Lead Definitions, Lead Assignments (PDIP-14 и SOIC-16); рис. 7A, 7C, 8A, 8C — задержки включения и выключения от температуры и VDD; рис. 12B и 13B — пороги входов от VDD; рис. 14B — VOH до 1,2 В; рис. 17A — ток VBS от температуры; рис. 36 — допустимый выброс VS ниже COM от VBS
  2. International Rectifier (Infineon). AN-978 RevD: HV Floating MOS-Gate Driver ICs, 2007 — разд. 1 — требования к затвору верхнего ключа; 2.1 — пороги входов, пропорциональные VDD, у IRS211x, мёртвое время, защёлка отключения SD, фильтр импульсов короче 50 нс, смещение VSS ±5 В; 2.2–2.3 — UVLO нижнего и верхнего канала, бутстреп, импульсная передача команд, dv/dt до 50 В/нс; 3 — формула минимальной ёмкости бутстрепа, Qls около 5 нКл, ток диода Qg · f, ультрабыстрый диод; 4 — потери PG = V · QG · f, PCMOS, (VR + VCC) · QP · f, QP около 4 нКл при 50 В; 5 — устойчивость к выбросу VS не меньше 5 В у драйверов IR в целом, CB больше 0,47 мкФ против перезаряда выбросами, конденсатор VCC–COM не меньше 10 CB; 6 — выброс 50 В на VS у IR2110, 25 В от 10 А за 20 нс на 50 нГн, 90 В при 0 Ом и 18 В при 27 Ом в затворе; 7 — внешний буфер на 8 А для модулей, который может питаться от бутстрепа; 8 — постоянное включение верхнего ключа; рис. 23 и 26 — C = 0,47 мкФ при f > 5 кГц (к рис. 23 — для IRF540 и кристаллов похожего размера, в подписи напечатано 0.47mF); 12 — цепь резистор–диод в затворе для дополнительного мёртвого времени, задержка включения IR2110 на 25 нс больше выключения при расхождении до 10 нс; 16 — поиск неисправностей; табл. I — ограничения бутстрепа по скважности и длительности включения
  3. Infineon. Using monolithic high-voltage gate drivers, Application note, Revision 1.01, 2024-11-20 — разд. 2.1 — уравнения 1–4 (ΔVBS, условие VGEmin > VBSUV−, QTOT, CBOOTmin), пример с VF = 1 В и утечкой диода 100 мкА, керамический конденсатор с малым ESR; 2.2.1 — худший случай заряда при токе через нижний ключ; 2.2.2 — резистор последовательно с диодом; 2.2.3 — скачок напряжения на ESR электролита при первом заряде; 2.2.4 — диод с напряжением выше шины и trr < 100 нс
  4. Infineon. Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (DT97-3), Application note, Revision 1.01, 2024-11-20 — разд. 3–4 — причина выброса VS ниже COM и гарантированная устойчивость 5 В; разд. 5 — перезаряд бутстрепа: в предельном случае идеального бутстрепа при VCC = 15 В выброс больше 10 В поднимает VBS выше 25 В; 6 — измерение VS − COM и VB − VS прямо на выводах; 7 — рекомендации по разводке и развязке; 8 — метод A: резистор около 5 Ом или меньше между VS и средней точкой, бутстреп заряжается через него, резистор в затворе уменьшают, чтобы сопротивления цепей затворов остались равными
  5. Infineon. AN-1100: IRS211(0,3), IR211(0,3) and 2ED2110S06M Comparison, Revision 1.01, 2024-12-11 — разд. 1–2 — IRS2110/IRS2113 как замена вывод в вывод с той же функциональной схемой, 2ED2110S06M на 650 В со встроенным бутстрепным диодом и устойчивостью VS до 100 В ниже COM; табл. 1 — ограничитель 20 В и предельные 20 В по питаниям у IRS211x, VB до 520 и 620 В; табл. 3 — задержки трёх драйверов; табл. 4 — VOH до 1,4 В у IRS211x
  6. Infineon. IR2110 — страница продукта (статус IR2110PBF), просмотрено 2026-10-18 — статус IR2110PBF в корпусе PDIP14 — not for new design
  7. Vishay Siliconix. IRF540 Power MOSFET (Document Number 91021, S21-0819-Rev. C, 02-Aug-2021) — Product Summary и Specifications — Qg не больше 72 нКл при VGS = 10 В, IGSS ±100 нА, RDS(on) не больше 0,077 Ом при VGS = 10 В; рис. 4 — рост RDS(on) с температурой; рис. 6 — заряд затвора выше 10 В

Нашли ошибку?