IR2104 и IR2104S — полумостовой драйвер со встроенным мёртвым временем
IR2104 управляет двумя N-канальными MOSFET или IGBT полумоста от одного входа: верхний ключ повторяет вход, нижний работает в противофазе, а паузу между ними 520 нс микросхема вставляет сама. Выводы, параметры, бутстрепное питание, вход отключения SD и сравнение с IR2110 и IRS2104 — по даташиту Infineon (International Rectifier) и записке AN-1104.
Обновлено Редакция GAW
IR2104 и его SOIC-версия IR2104S — драйверы верхнего и нижнего ключа полумоста на MOSFET или IGBT с плавающим верхним каналом до 600 В. От IR2110 их отличает логика: один вход IN управляет обоими ключами в противофазе, вход SD отключает оба, а мёртвое время 520 нс встроено в микросхему — микроконтроллеру не нужно формировать два сигнала с паузой, и сквозной ток по вине программы исключён. Цена — ток выхода 130/270 мА и задержка включения 680 нс.
Коротко
- Напряжение верхнего плеча VS
- до 600 В; VB предельно 625 В
- Ток выхода
- 130 мА вытекающий и 270 мА втекающий минимум (210 и 360 мА типично), импульс ≤ 10 мкс
- Мёртвое время
- 520 нс типично, 400–650 нс
- Задержки при 1000 пФ
- включение 680 нс, выключение 150 нс типично
- Питание VCC и VBS
- 10–20 В; UVLO 8,9 В вверх и 8,2 В вниз типично
- Входы
- IN и SD (активный низкий): единица от 3 В, ноль до 0,8 В
Выводы
| Вывод | Название | Назначение по даташиту |
|---|---|---|
| 1 | VCC | питание нижнего канала и логики, 10–20 В |
| 2 | IN | логический вход; HO в фазе с ним, LO — в противофазе |
| 3 | SD | отключение обоих выходов низким уровнем |
| 4 | COM | общий вывод нижнего канала |
| 5 | LO | выход на затвор нижнего ключа |
| 6 | VS | плавающий общий верхнего канала — средняя точка полумоста |
| 7 | HO | выход на затвор верхнего ключа |
| 8 | VB | плавающее питание верхнего канала |
Логика работы
По временной диаграмме даташита (рис. 1): при единице на SD выход HO повторяет IN, LO — его инверсия, между выключением одного выхода и включением другого выдерживается пауза DT. Низкий уровень на SD переводит оба выхода в ноль за tsd — 160 нс типично.
| IN | SD | HO | LO |
|---|---|---|---|
| 1 | 1 | 1 | 0 |
| 0 | 1 | 0 | 1 |
| любой | 0 | 0 | 0 |
Параметры
Предельные значения относительно COM; рабочие — при VCC = VBS = 15 В и 25 °C, динамические — с нагрузкой 1000 пФ.
Предельные режимы: VB до 625 В, VS от VB − 25 В до VB + 0,3 В, VCC до 25 В, скорость изменения VS — 50 В/нс.
| Параметр | Значение | Условия |
|---|---|---|
| VS рабочее | до 600 В | логика работает при VS от −5 В (примечание 1) |
| VBS рабочее (VB − VS) | 10–20 В | |
| VCC рабочее | 10–20 В | |
| Вход IN и SD: VIH / VIL | не ниже 3 В / не выше 0,8 В | VCC 10–20 В |
| Ток выхода IO+ (в единице) | 130 мА мин., 210 мА типично | VO = 0, импульс ≤ 10 мкс |
| Ток выхода IO− (в нуле) | 270 мА мин., 360 мА типично | VO = 15 В, импульс ≤ 10 мкс |
| UVLO по VCC: порог вверх / вниз | 8,0–9,8 В (8,9 типично) / 7,4–9 В (8,2 типично) | |
| Ток покоя IQCC / IQBS | 150 / 30 мкА типично, 270 / 55 мкА макс. | вход 0 или 5 В |
| Утечка VB при 600 В | до 50 мкА | VB = VS = 600 В |
| Задержка включения ton | 680 нс типично, 820 нс макс. | VS = 0 |
| Задержка выключения toff | 150 нс типично, 220 нс макс. | VS = 600 В |
| Задержка отключения tsd | 160 нс типично, 220 нс макс. | |
| Фронт tr / спад tf | 100 / 50 нс типично, 170 / 90 нс макс. | 1000 пФ |
| Мёртвое время DT | 400–650 нс, 520 нс типично | |
| Рассогласование каналов MT | до 60 нс | |
| Мощность / RθJA | 1,0 Вт / 125 °C/Вт (PDIP), 0,625 Вт / 200 °C/Вт (SOIC) | TA ≤ 25 °C |
Порог единицы 3 В оставляет 3,3-вольтовому микроконтроллеру запас всего 0,3 В; у IRS2104 он снижен до 2,5 В (AN-1104). Блокировка по пониженному напряжению есть только по VCC: у верхнего канала своего UVLO в таблицах нет, за VBS следит разработчик.
Типовое включение
Схема из даташита: VCC через быстрый диод на VB, бутстрепный конденсатор между VB и VS, HO и LO через резисторы на затворы, VS — к средней точке полумоста, COM — к истоку нижнего ключа, керамика между VCC и COM. Шина до 600 В.
- Бутстреп. Конденсатор заряжается от VCC через диод, пока открыт нижний ключ. Расчёт ёмкости — в статье о бутстрепном конденсаторе и на карточке IR2110. Для ориентира: заряд затвора 72 нКл (IRF540) снимает с 1 мкФ всего 72 мВ (наш расчёт), так что 0,47–1 мкФ керамики хватает, если ключ не держат открытым долго. Диод даташит не нормирует: он должен выдерживать напряжение шины и быть быстрым.
- VCC. 10–20 В; ниже 8,2–9 В сработает UVLO и оба выхода уйдут в ноль. При VCC = 15 В на затворах около 15 В — транзисторы с пределом затвора ±10 или ±12 В, например IRLZ44, не подходят.
- VS. Логика работает при VS от −5 В; больший выброс ниже COM при выключении верхнего ключа сбивает состояние (примечание 1). Короткие дорожки у средней точки и резисторы в затворах обязательны.
- Ток затвора. 130/270 мА — немного: затвор IRF540 с Qg = 72 нКл IR2104 зарядит не быстрее чем за 72 нКл / 210 мА ≈ 0,35 мкс (наш расчёт при типичном токе), IR2110 с 2 А — за ~40 нс. Для больших ключей и частот выше десятков килогерц IR2104 не подходит.
Почему N-канальному верхнему ключу вообще нужно плавающее питание — в ответе «Почему N-канальный MOSFET в плюсовом проводе не открывается полностью?».
Сравнение с IR2110 и IRS2104
| Параметр | IR2104 | IRS2104 (AN-1104) | IR2110 |
|---|---|---|---|
| Входы | IN + SD, выходы в противофазе | то же, вывод в вывод | HIN и LIN независимые |
| Мёртвое время | 520 нс встроено | 520 нс встроено | нет, задаёт контроллер |
| Ток выхода IO+ / IO− | 130 / 270 мА мин. (210 / 360 типично) | 130 / 270 мА мин. (290 / 600 типично) | 2 А / 2 А |
| Фронт / спад на 1000 пФ | 100 / 50 нс | 70 / 35 нс | 25 / 17 нс |
| Порог единицы на входе | 3 В | 2,5 В | пропорционален VDD |
| VS | до 600 В | до 600 В | до 500 В (IR2113 — 600 В) |
| Корпус | PDIP-8, SOIC-8 | PDIP-8, SOIC-8 | PDIP-14, SOIC-16 |
Значения IR2110 — с его карточки. По AN-1104, IRS2104 заменяет IR2104 без изменения схемы.
Частые ошибки
- SD в воздухе. Выход непредсказуем; вывод подтягивают к VCC через резистор или ведут на микроконтроллер.
- Постоянная единица на IN. Бутстреп разряжается, верхний ключ переходит в линейный режим и греется; нужен хотя бы короткий ноль для подзарядки.
- Расчёт на мёртвое время как на достаточное. 400–650 нс хватает MOSFET, но медленному IGBT с хвостом тока может не хватить; регулировать DT нельзя.
- Длинная земля COM с силовым током: выбросы на VS ниже −5 В сбивают логику.
- Работа на 200 кГц и выше. Задержка 680 нс и два мёртвых времени съедают заметную долю периода.
Другие драйверы ключей — в разделе «Драйверы».
Частые вопросы
Чем IR2104 отличается от IR2110?
У IR2104 один вход IN и вход отключения SD: верхний выход повторяет вход, нижний инвертирует, а паузу 520 нс микросхема вставляет сама — открыть оба ключа одновременно нельзя. У IR2110 входы HIN и LIN независимые, мёртвого времени нет, зато ток выхода 2 А против 130/270 мА, отдельное питание логики VDD и корпус DIP-14. IR2104 проще и дешевле, IR2110 быстрее и гибче.
Как подключить вход SD у IR2104?
SD — активный низкий уровень: на схеме типового включения в даташите он обозначен с чертой, и по временной диаграмме при низком уровне оба выхода выключены. Для работы на SD должна быть единица не ниже 3 В (отключение — ниже 0,8 В). Оставлять вывод в воздухе нельзя: его подтягивают к VCC или к питанию логики резистором либо подключают к выводу микроконтроллера.
Можно ли держать верхний ключ IR2104 открытым постоянно?
Нет. Питание верхнего канала — бутстрепный конденсатор, который заряжается только пока открыт нижний ключ. При постоянной единице на IN конденсатор разряжается током покоя верхнего канала до 55 мкА плюс утечками: 1 мкФ теряет 1 В примерно за 18 мс (наш расчёт), потом VBS упадёт ниже рабочих 10 В. Для статического включения верхнего ключа нужен отдельный плавающий источник.
Почему задержка включения 680 нс, а выключения — 150 нс?
Даташит причину не объясняет, но разница 680 − 150 = 530 нс почти равна мёртвому времени 520 нс: по всей видимости, в задержку включения входит DT — драйвер сначала выключает один ключ, выдерживает паузу и только потом включает другой. На частоте 100 кГц с периодом 10 мкс две паузы по 520 нс отнимают около 10 % периода (наш расчёт), и выше 100–200 кГц IR2104 использовать невыгодно.
Источники
- International Rectifier (Infineon). IR2104(S) & (PbF) Half-Bridge Driver, Data Sheet No. PD60046-S, 4/2/2004 — с. 1 — Features, Product Summary (600 В, 130/270 мА, VOUT 10–20 В, ton/off 680 и 150 нс, DT 520 нс), Typical Connection (вход SD с чертой — активный низкий); с. 2 — Absolute Maximum Ratings (VB 625 В, VCC 25 В, dVS/dt 50 В/нс, 1,0 и 0,625 Вт, 125 и 200 °C/Вт), Recommended Operating Conditions с примечанием 1 (VS от −5 В); с. 3 — Static (VIH 3 В, VIL 0,8 В, VOH/VOL 100 мВ, ILK 50 мкА, IQBS 30/55 мкА, IQCC 150/270 мкА, UVLO 8,9/8,2 В, IO+ 130/210 мА, IO− 270/360 мА) и Dynamic Electrical Characteristics (ton 680/820, toff 150/220, tsd 160/220, tr 100/170, tf 50/90, DT 400/520/650 нс, MT 60 нс при CL = 1000 пФ); с. 4 — Functional Block Diagram, Lead Definitions, Lead Assignments (PDIP-8 и SOIC-8); с. 5 — рис. 1 временная диаграмма, рис. 2–5 определения задержек
- International Rectifier (Infineon). AN-1104: IRS2104 and IR2104 Comparison (без номера ревизии и даты в документе) — IRS2104 — замена вывод в вывод с той же функциональной схемой; отличия: tr 70 нс и tf 35 нс типично, VIH и порог SD 2,5 В, IO+ 290 мА и IO− 600 мА типично, VOH/VOL нормированы при 2 мА (0,2 и 0,1 В макс.); предельные и рекомендуемые режимы без изменений
Нашли ошибку? ·
Смотрите также
- ДрайверыH-мосты, сборки ключей, драйверы затворов и индикаторов: параметры и выбор
- IR2110, IR2113Драйвер верхнего и нижнего ключа до 500 и 600 В: выводы, бутстреп, UVLO, мёртвое время
- Бутстрепный конденсаторПитание драйвера верхнего ключа от плавающего конденсатора
- Мёртвое времяПауза между ключами полумоста против сквозного тока
- Сквозной токТок через оба одновременно открытых ключа полумоста
- Блокировка при пониженном питанииПороги включения и выключения по питанию: зачем, гистерезис, примеры
- Полумост (half-bridge)Два ключа между шинами питания с выходом в средней точке
- Почему N-канальный MOSFET в плюсовом проводе не открывается полностью?Исток сидит на нагрузке, и напряжение затвор — исток почти исчезает