Перейти к содержанию

TDA2030A — усилитель мощности звука на 18 Вт

TDA2030A — монолитный усилитель мощности звука класса AB в пятивыводном корпусе Pentawatt: 18 Вт на 4 Ом при питании ±16 В, двухполярное питание до ±22 В или однополярное до 44 В. Разбираем по даташиту STMicroelectronics выводы, параметры, обе типовые схемы, расчёт радиатора и то, от чего усилитель возбуждается.

Обновлено Редакция GAW

TDA2030A — монолитный усилитель мощности звуковой частоты класса AB: вся схема усилителя вместе с выходными транзисторами и их защитой — на одном кристалле. По включению он похож на мощный операционный усилитель: у него есть неинвертирующий и инвертирующий входы, усиление без обратной связи 80 дБ, а рабочее усиление задают два резистора обратной связи, как у неинвертирующего усилителя на ОУ. Чем класс AB отличается от класса D и как читать строку выходной мощности, рассказано в разделе «Микросхемы усилителей звука».

Коротко

  • Питание — от ±6 до ±22 В двухполярного или до 44 В однополярного; ±22 В — одновременно и предельное значение.
  • Мощность — 18 Вт на 4 Ом и 12 Вт на 8 Ом при ±16 В и искажениях 0,5 %; гарантированный минимум — 15 и 10 Вт.
  • Усиление задают два резистора обратной связи; ST требует, чтобы оно было больше 24 дБ.
  • Ток покоя — 50 мА типично, до 80 мА.
  • Защита — ограничение мощности выходных транзисторов при коротком замыкании и тепловое отключение около 145 °C.
  • Фланец соединён с выводом 3 (−Vs); тепловое сопротивление кристалл–корпус — не больше 3 °C/Вт.

Распиновка TDA2030A

TDA2030A в корпусе Pentawatt, вид сверху: 1 неинвертирующий вход, 2 инвертирующий вход, 3 минус питания −Vs, 4 выход, 5 плюс питания +Vs; фланец соединён с выводом 3Выводы: 1 — +IN, 2 — −IN, 3 — −Vs, 4 — OUT, 5 — +VsPentawatt, вид сверхуTDA2030A1+IN2−IN3−Vs4OUT5+Vsфланец — вывод 3 (−Vs)
TDA2030A в корпусе Pentawatt, вид сверху, как на рис. 2 даташита ST: фланец слева, выводы справа, вывод 1 внизу
ВыводОбозначениеНазначение
1+INнеинвертирующий вход
2−INинвертирующий вход, сюда приходит обратная связь с выхода
3−Vsминус питания; при однополярном питании — общий провод
4OUTвыход на динамик
5+Vsплюс питания

Металлический фланец соединён с выводом 3. При двухполярном питании на нём −Vs, поэтому радиатор нельзя без изолирующей прокладки прикручивать к шасси, соединённому с общим проводом: минусовое плечо питания окажется замкнутым на общий провод. При однополярном питании вывод 3 и фланец — это общий провод. Диаметр монтажного отверстия во фланце — 3,65–3,85 мм, масса микросхемы — 2 г (рис. 31 даташита).

Предельные режимы

Табл. 3 (Absolute maximum ratings) и табл. 2 (Thermal data) даташита. Работа на этих значениях не гарантируется — это границы, за которыми микросхема может выйти из строя, подробнее — в статье «Предельные режимы».

ПараметрЗначение
Напряжение питания±22 В; однополярное — до 44 В (VS max на стр. 1 и в разд. 5)
Входное напряжениев пределах напряжения питания
Напряжение между входами±15 В
Пиковый выходной ток3,5 А, ограничен внутренней защитой
Рассеиваемая мощность20 Вт при температуре корпуса 90 °C
Температура кристалла и храненияот −40 до +150 °C
Тепловое сопротивление кристалл–корпусне больше 3 °C/Вт

Электрические характеристики

Табл. 4 (Electrical characteristics): испытательная схема рис. 3, питание ±16 В, температура 25 °C, если не указано иное.

ПараметрМин.Тип.Макс.Условия
Напряжение питания±6 В±22 В
Ток покоя50 мА80 мА
Входной ток0,2 мкА2 мкА±22 В
Напряжение смещения нуля±2 мВ±20 мВ±22 В
Разность входных токов±20 нА±200 нА
Выходная мощность на 4 Ом15 Вт18 Втискажения 0,5 %, усиление 26 дБ, 40–15 000 Гц
Выходная мощность на 8 Ом10 Вт12 Втто же
Выходная мощность на 8 Ом при ±19 В13 Вт16 Втто же
Полоса мощности100 кГц15 Вт на 4 Ом
Скорость нарастания8 В/мкс
Усиление без обратной связи80 дБ1 кГц
Усиление испытательной схемы25,5 дБ26 дБ26,5 дБ1 кГц
Коэффициент гармоник на 4 Ом0,08 %; 0,03 % на 1 кГц0,1–14 Вт, 40–15 000 Гц
Коэффициент гармоник на 8 Ом0,5 %0,1–9 Вт, 40–15 000 Гц
Шум, приведённый ко входу3 мкВ10 мкВполоса 22 Гц–22 кГц
Отношение сигнал/шум106 дБ; 94 дБ15 Вт; 1 Вт; 4 Ом, источник 10 кОм, кривая A
Входное сопротивление (вывод 1)0,5 МОм5 МОмбез обратной связи, 1 кГц
Подавление пульсаций питания54 дБ100 Гц, усиление 26 дБ, 4 Ом, источник 22 кОм
Температура теплового отключения145 °Cкристалл

Ток покоя 50 мА при ±16 В — это около 1,6 Вт тепла уже без сигнала: 32 В · 0,05 А, а при наибольших 80 мА — около 2,6 Вт. Усиление 26 дБ в испытательной схеме (рис. 3) задают резисторы 13 кОм и 680 Ом: 1 + 13 000 / 680 ≈ 20,1, то есть 26 дБ. Пересчёт разов в децибелы — в калькуляторе децибел.

Схема включения с двухполярным питанием

Рекомендованная ST схема — рис. 17 даташита (она же рис. 1 на первой странице), а табл. 7 объясняет назначение каждой детали и что будет, если номинал изменить.

Как соединено. Сигнал через C1 приходит на неинвертирующий вход (вывод 1), резистор R3 соединяет этот вход с общим проводом. С выхода (вывод 4) на инвертирующий вход (вывод 2) идёт резистор обратной связи R1, а от вывода 2 на общий провод — R2 последовательно с C2. Плюс питания — на вывод 5, минус — на вывод 3; по табл. 7 каждое плечо блокируют конденсаторами 100 мкФ (C5, C6) и 0,1 мкФ (C3, C4). Диод D1 включён от выхода к +Vs, D2 — от −Vs к выходу. С выхода на общий провод — цепочка R4 и C7, параллельно ей динамик; разделительный конденсатор на выходе не нужен.

ДетальНоминалНазначениеЕсли большеЕсли меньше
R122 кОмзадаёт усилениеусиление растётусиление падает
R2680 Омзадаёт усилениеусиление падает (по табл. 7 оно должно оставаться больше 24 дБ)усиление растёт
R322 кОмсмещение неинвертирующего входавходное сопротивление растётвходное сопротивление падает
C11 мкФразделительный на входерастёт нижняя граничная частота
C222 мкФразделительный в цепи R2растёт нижняя граничная частота
C3, C40,1 мкФблокировка питанияопасность возбуждения
C5, C6100 мкФблокировка питанияопасность возбуждения
R41 Омустойчивость на высоких частотахопасность возбуждения на ВЧ с индуктивной нагрузкой
C70,22 мкФустойчивость на высоких частотахполоса шире
R5около 3 · R2верхняя граница полосыхуже подавление ВЧопасность возбуждения
C8около 1 / (2π · B · R1)верхняя граница полосыполоса ужеполоса шире
D1, D21N4001защита от выбросов напряжения на выходе

Усиление считается так же, как у неинвертирующего усилителя на ОУ:

K=1+R1R2=1+22 кОм680 Ом≈33,4(30,5 дБ).K = 1 + \frac{R_1}{R_2} = 1 + \frac{22\ \text{кОм}}{680\ \text{Ом}} \approx 33{,}4 \quad (30{,}5\ \text{дБ}).

Требование ST — больше 24 дБ, то есть больше 15,8 раза. При R1 = 22 кОм это значит, что R2 не должен превышать примерно 1,5 кОм. Конденсатор C2 развязывает R2 по постоянному току, и по постоянному напряжению каскад усиливает в единицу.

Нижняя граничная частота задаётся двумя RC-цепями: C2 с R2 — 1 / (2π · 680 Ом · 22 мкФ) ≈ 10,6 Гц, C1 с R3 — 1 / (2π · 22 кОм · 1 мкФ) ≈ 7,2 Гц. Спады обеих цепей складываются, и вместе они ослабляют сигнал на 3 дБ около 14 Гц — выше каждой частоты по отдельности. Другие номиналы удобно пересчитать калькулятором RC-фильтра.

Верхнюю границу полосы задают R5 и C8: они включены последовательно, параллельно R1 (на рис. 17 нарисованы пунктиром). B в формуле для C8 — нужная полоса: например, для 20 кГц при R1 = 22 кОм получается около 360 пФ, а R5 ≈ 3 · 680 Ом ≈ 2 кОм.

Схема включения с однополярным питанием

Рис. 4 даташита (Single supply amplifier). Вывод 3 здесь соединён с общим проводом, а на входы подаётся половина напряжения питания, поэтому выход находится под постоянным напряжением около половины питания и динамик подключают через конденсатор.

ЦепьДетали по рис. 4
Средняя точкаделитель 100 кОм + 100 кОм от +Vs на общий провод, конденсатор 22 мкФ от средней точки на общий провод
Смещение входарезистор 100 кОм от средней точки к выводу 1
Входконденсатор 2,2 мкФ к выводу 1
Обратная связь100 кОм с выхода на вывод 2; от вывода 2 на общий провод — 2,2 мкФ и 4,7 кОм последовательно
Питаниевывод 5 — на +Vs, вывод 3 — на общий провод; 220 мкФ и 0,1 мкФ от +Vs на общий провод
Выход1N4001 от выхода к +Vs и от общего провода к выходу; 1 Ом и 0,1 мкФ на общий провод; динамик 4 Ом через 2200 мкФ

Усиление этой схемы — 1 + 100 / 4,7 ≈ 22,3, или около 27 дБ. Снизу полосу ограничивают две цепи: 2,2 мкФ с 4,7 кОм в обратной связи — 1 / (2π · 4,7 кОм · 2,2 мкФ) ≈ 15,4 Гц — и выходной конденсатор 2200 мкФ с динамиком 4 Ом — 1 / (2π · 4 Ом · 2200 мкФ) ≈ 18 Гц. Вместе они дают спад на 3 дБ около 26 Гц. С динамиком 8 Ом частота выходной цепи вдвое ниже, около 9 Гц, но общая граница опускается только до 19 Гц: теперь её держит цепь обратной связи.

Выходная мощность и напряжение питания

Все значения — при искажениях 0,5 %, усилении 26 дБ и частотах 40–15 000 Гц. На рис. 6 по оси отложено полное напряжение питания: 32 В соответствуют ±16 В из табл. 4. Значения со знаком «≈» сняты с графика.

Питание4 Ом8 Ом
24 В (±12 В)≈10 Вт≈6 Вт
32 В (±16 В)18 Вт, табл. 412 Вт, табл. 4
36 В (±18 В)≈22 Вт, конец графика≈14,5 Вт
38 В (±19 В)—16 Вт, табл. 4
40 В (±20 В)—≈17 Вт

Кривая для 4 Ом на рис. 6 доведена только до 36 В. Больше мощности ST получает другими схемами:

  • С внешней комплементарной парой BD907/BD908 (рис. 15, табл. 5) TDA2030A работает как драйвер мощных транзисторов. При однополярном питании 36 В на 4 Ом это 28 Вт при искажениях 0,5 % и 35 Вт при 10 %, при 39 В — 35 и 44 Вт. Усиление этой схемы — 20 дБ, питание — до 44 В. Подробнее о таких парах — в статье «Комплементарная пара».
  • Две микросхемы в мостовой схеме (рис. 19): динамик 8 Ом включён между выходами, мощность — 34 Вт при ±16 В.

Защита от короткого замыкания и перегрева

Короткое замыкание. Схема защиты ограничивает ток выходных транзисторов так, чтобы их рабочая точка оставалась в области безопасной работы; ST называет это ограничением пиковой мощности, а не простым ограничением тока. Формулировка осторожная: защита уменьшает вероятность повреждения при случайном замыкании выхода на общий провод, но не обещает, что микросхема выдержит его всегда.

Тепловая защита. Кристалл не нагревается выше 150 °C (по табл. 4 отключение срабатывает около 145 °C): когда температура доходит до предела, защита снижает рассеиваемую мощность и ток потребления. По словам ST (разд. 7.2), поэтому даже постоянная перегрузка выхода или слишком горячий воздух не повреждают микросхему, а радиатор можно рассчитывать с меньшим запасом, чем для схемы без такой защиты. Защита при этом снижает мощность, поэтому в примере ниже кристалл всё же держим на 15 °C ниже порога.

Расчёт радиатора

Тепло идёт от кристалла через корпус и радиатор в воздух, и тепловые сопротивления на этом пути складываются. Отсюда наибольшее допустимое тепловое сопротивление радиатора — так его считает Texas Instruments в даташитах своих усилителей LM3886 (уравнение 6) и LM1875 (раздел о радиаторе):

θрад≤Tj−TвоздP−θjc−θконт,\theta_\text{рад} \le \frac{T_j - T_\text{возд}}{P} - \theta_{jc} - \theta_\text{конт},

где θjc = 3 °C/Вт — тепловое сопротивление кристалл–корпус TDA2030A по табл. 2, θконт — термопаста или изолирующая прокладка между фланцем и радиатором (из даташита прокладки), P — мощность, которую рассеивает микросхема.

Прямые на рис. 10 даташита ST — допустимая мощность в зависимости от температуры воздуха — с этой формулой совпадают, если взять кристалл 150 °C и θjc = 3 °C/Вт. 20 Вт из табл. 3 — это (150 − 90) / 3 при корпусе, нагретом до 90 °C. С радиатором 4 °C/Вт при 25 °C получается (150 − 25) / (3 + 4) ≈ 17,9 Вт, с радиатором 8 °C/Вт — около 11,4 Вт, и так же идут прямые на графике.

Сколько рассеивает микросхема. ST этого для самой TDA2030A не приводит: рис. 14 относится к схеме с транзисторами BD907/BD908. Поэтому возьмём оценку не от ST, а из даташитов другого производителя — TI для LM1875 и LM3886. Для резистивной нагрузки и синусоидального сигнала наибольшая мощность, которую рассеивает микросхема:

Pрас≈Uп22π2Rн+Pпок,P_\text{рас} \approx \frac{U_\text{п}^2}{2\pi^2 R_\text{н}} + P_\text{пок},

где Uп — полное напряжение питания (32 В при ±16 В), Rн — сопротивление нагрузки, Pпок — мощность покоя. TI прямо оговаривает, что это приближение для идеального выходного каскада класса B. Наибольшее тепло выделяется не на полной громкости: по уравнению 3 из даташита LM3886 — при амплитуде выходного напряжения Uп / π. Это выходная мощность около 4/π² ≈ 0,4 от идеальной U² / (2Rн), где U — напряжение одного плеча: при ±16 В на 4 Ом идеальная мощность — 32 Вт, а самый тяжёлый для нагрева режим — около 13 Вт на выходе.

Пример: ±16 В, 4 Ом.

  • Выходной каскад: 32² / (2π² · 4) ≈ 13,0 Вт.
  • Мощность покоя — по наибольшему току покоя из табл. 4, как в примере TI: 32 В · 0,08 А ≈ 2,6 Вт. Всего около 15,5 Вт.
  • Воздух внутри корпуса усилителя — 40 °C. Кристалл держим не выше 130 °C, на 15 °C ниже порога тепловой защиты.
  • Радиатор вместе с прокладкой должен иметь тепловое сопротивление не больше (130 − 40) / 15,5 − 3 ≈ 2,8 °C/Вт.

Динамик 8 Ом считайте так же, как нагрузку 4 Ом. С резистором 8 Ом получилось бы около 6,5 + 2,6 ≈ 9 Вт, но динамик — не резистор. TI в даташите LM1875 приводит правило: нагрузка 8 Ом с фазовым сдвигом 60° — худший случай для динамика — греет усилитель примерно как резистор 4 Ом, равный её активной части. Поэтому и для динамика 8 Ом при ±16 В нужен радиатор не хуже примерно 2,8 °C/Вт. Свои значения подставьте в калькулятор радиатора.

Типичные ошибки

Табл. 7 даташита прямо называет, при каких отступлениях от рекомендованной схемы появляется опасность возбуждения — генерации на высоких частотах.

  • Нет цепочки R4–C7 на выходе. 1 Ом и 0,22 мкФ с выхода на общий провод ST относит к устойчивости на высоких частотах и предупреждает: с R4 больше рекомендованного возможна генерация с индуктивной нагрузкой. Динамик и есть индуктивная нагрузка.
  • Слишком малое усиление. Сноска к табл. 7: усиление с обратной связью должно быть больше 24 дБ. Включить TDA2030A повторителем, как обычный ОУ, нельзя.
  • Сэкономили на конденсаторах питания. Меньше 0,1 мкФ и 100 мкФ на каждом плече — по ST, опасность возбуждения.
  • R5 меньше примерно 3 · R2 в цепи ограничения полосы R5–C8 — тоже опасность возбуждения.
  • Нет диодов D1 и D2. По табл. 7 они защищают микросхему от выбросов напряжения на выходе: диоды включены с выхода на шины +Vs и −Vs и отводят в них такие выбросы.
  • Фланец на общем шасси при двухполярном питании. Фланец соединён с −Vs: без изолирующей прокладки это замыкание минусового плеча.
  • Напряжение нестабилизированного источника посчитали под нагрузкой. В примере ST (табл. 6) обмотка 24 В даёт под током 1 А 31 В, без нагрузки — 36,2 В, а при сети на 20 % выше — 43,2 В на холостом ходу, почти предел 44 В. Считать нужно по наибольшему напряжению сети и без нагрузки.

TDA2030A, LM386 и PAM8403

Значения для LM386 и PAM8403 — из карточки LM386 и PAM8403.

TDA2030ALM386PAM8403
Класс и выходAB, выход относительно общего провода; при двухполярном питании — без выходного конденсатораAB, выход относительно общего провода, через конденсаторD, мостовой
Каналов112
Питание±6…±22 В или до 44 В4–12 В (LM386N-4: 5–18 В)2,5–5,5 В
Мощность18 Вт на 4 Ом, 12 Вт на 8 Ом при ±16 В и 0,5 %325 мВт на 8 Ом при 6 В и 10 %3,2 Вт на 4 Ом при 5 В и 10 %, 2,5 Вт при 1 %
Усилениезадают резисторы, больше 24 дБ26–46 дБ (×20–200)24 дБ
Ток покоя50 мА4 мА16 мА

Мощность в даташитах указана при разных искажениях: у TDA2030A — при 0,5 %, у LM386 — при 10 %, когда сигнал уже заметно ограничен, у PAM8403 — при 10 % и при 1 %. Различаются они и назначением: TDA2030A встречается в усилителях на ватты с питанием ±12…±20 В от трансформатора — в ремонте и при повторении таких схем эта карточка и нужна, — а LM386 и PAM8403 ставят в небольшие устройства с питанием от 5 В, аккумулятора или батареек.

Частые вопросы

Какую мощность выдаёт TDA2030A?

По даташиту ST при питании ±16 В и искажениях 0,5 % — 18 Вт на 4 Ом (гарантированно не меньше 15 Вт) и 12 Вт на 8 Ом (не меньше 10 Вт). При ±19 В на 8 Ом — 16 Вт. Это мощность при малых искажениях; с внешней комплементарной парой BD907/BD908 и однополярным питанием 39 В ST получает 35 Вт на 4 Ом при тех же 0,5 %, а два TDA2030A в мостовой схеме при ±16 В — 34 Вт на 8 Ом.

Какое питание нужно TDA2030A?

Двухполярное от ±6 до ±22 В или однополярное до 44 В. Предельное значение совпадает с верхней границей рабочего диапазона, запаса нет. Если источник нестабилизированный — трансформатор, выпрямитель и конденсатор, — считайте напряжение без нагрузки при повышенном напряжении сети: в примере ST вторичная обмотка 24 В даёт 36,2 В на холостом ходу, а при сети на 20 % выше — уже 43,2 В.

Нужен ли радиатор для TDA2030A?

Да, если усилитель отдаёт ватты. Тепловое сопротивление кристалл–корпус — до 3 °C/Вт, кристалл выдерживает 150 °C, а тепловая защита срабатывает около 145 °C. ST не приводит, сколько рассеивает сама микросхема; по оценке TI для идеального каскада класса B (даташиты LM1875 и LM3886) при ±16 В на 4 Ом и наибольшем токе покоя это около 15,5 Вт. Тогда при 40 °C внутри корпуса прибора и кристалле не горячее 130 °C нужен радиатор не хуже 2,8 °C/Вт вместе с прокладкой — и для динамика 8 Ом тоже. Фланец соединён с выводом 3, то есть с −Vs.

Почему TDA2030A возбуждается?

Проверьте то, что ST в таблице рекомендованных номиналов связывает с устойчивостью: цепочку 1 Ом и 0,22 мкФ с выхода на общий провод, конденсаторы 0,1 и 100 мкФ по каждому питанию и усиление — оно должно быть больше 24 дБ. Резистор R5 в цепи ограничения полосы R5–C8 не делайте меньше примерно трёх R2: ST предупреждает, что это тоже грозит возбуждением.

Как включить TDA2030A от однополярного питания?

По рис. 4 даташита: вывод 3 — на общий провод, на неинвертирующий вход подают половину питания с делителя 100 + 100 кОм через резистор 100 кОм, а среднюю точку делителя блокируют конденсатором 22 мкФ. Сигнал приходит через 2,2 мкФ, обратная связь — 100 кОм с выхода и 4,7 кОм с 2,2 мкФ на общий провод, усиление около 27 дБ. Динамик 4 Ом подключают через конденсатор 2200 мкФ.

Источники

  1. STMicroelectronics. TDA2030A: 18 W hi-fi amplifier and 35 W driver (DS0115, Doc ID 1459 Rev 2, July 2011) — табл. 1 — исполнение TDA2030AV, Pentawatt; рис. 2 — выводы, фланец соединён с выводом 3; табл. 2 — Rth(j-case) не больше 3 °C/W; табл. 3 — ±22 В, ±15 В между входами, 3,5 А, 20 Вт при 90 °C корпуса, −40…+150 °C; табл. 4 — характеристики при ±16 В; рис. 3 — испытательная схема; рис. 4 — однополярное питание; рис. 6 — мощность от напряжения питания; рис. 10 — допустимая мощность от температуры; рис. 15, табл. 5 — 35 Вт с BD907/BD908; рис. 17, табл. 7 — типовая схема и назначение деталей; рис. 19 — мост 34 Вт; стр. 1 и разд. 5 — VS max 44 В; табл. 6 — нестабилизированный источник; разд. 7 — защита от КЗ и тепловая защита; рис. 31 — размеры Pentawatt, отверстие и масса
  2. STMicroelectronics. TDA2030A — 18 W hi-fi amplifier / 35 W audio driver, страница продукта — статус Obsolete (снят с производства); корпус Pentawatt, класс AB, VS max = 44 В; документация — даташит DS0115 версии 2.0 от 22 июля 2011 года
  3. Texas Instruments. LM1875 20W Audio Power Amplifier (SNAS524A, May 2004) — стр. 8, Power Dissipation and Heat Sinking — оценка рассеиваемой мощности VS²/(2π²RL) + PQ для идеального каскада класса B, VS — полное напряжение питания, пример расчёта радиатора; стр. 9 — нагрузка 8 Ом с фазой 60° рассеивает примерно как 4 Ом. Оценка другого производителя, не данные ST
  4. Texas Instruments. LM3886 Overture Audio Power Amplifier Series: High-Performance 68W Audio Power Amplifier w/Mute (SNAS091C, revised March 2013) — стр. 18 — уравнение 2 (наибольшая рассеиваемая мощность VCC²/(2π²RL)) и уравнение 3 (VOpk = VCC/π); стр. 19 — уравнение 6, тепловое сопротивление радиатора

Нашли ошибку?